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帖子 [仿真分享]利用CST的RLC求解器提取IGBT的局部寄生參數
那么我們的RLC局部寄生參數的提取,這一小部分的仿真工作就完成了,如果要把整個IGBT的模型的寄生參數提取出來,那這個工作量是真的不小。沒有辦法只能一個一個來。九層之臺,起于壘土。文章來源:CST電磁兼容性仿真
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萬有引力LYQ ??? 2年前
[仿真分享]利用CST的RLC求解器提取IGBT的局部寄生參數
帖子 Flotherm:IGBT仿真模型的校準
IGBT校準案例 Part 1 仿真與測試的設置 對某型號的IGBT模型進行校準,其結構如圖所示。
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仿真客 ??? 2年前
Flotherm:IGBT熱仿真模型的校準
帖子 [仿真分享]利用CST的RLC求解器提取IGBT的局部寄生參數
本文摘自微信公眾號:CST電磁兼容性仿真如果對CST電磁兼容性仿真感興趣的朋友可以關注或者掃描我的微信公眾號二維碼最近有同學問小編CST是否可以提取3D模型的局部寄生參數。其實CST官方里面寫了好幾篇關于寄生參數提取的文章。而且CST的library里面也有相關案例。正好小編最近也在擺弄IGBT的模型。
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【已注銷】 ??? 2年前
[仿真分享]利用CST的RLC求解器提取IGBT的局部寄生參數
問答 comsol,超聲振動下的電場仿真?

仿真過程中,我遇到了以下問題,誠懇地希望能夠得到您的指導和解答:</p><p><strong>1.使用裝配體下的接觸對時,仿真能夠成功模擬出接觸力,但無法得到電場的分布結果。</strong></p><p><strong>2.在使用聯合體并手動創建接觸對后,仿真無法正確模擬銑刀與工件的接觸,接觸力始終顯示為零,但電場分布是能夠模擬出的。</strong></p>

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丁佳慶 ??? 1年前
帖子 2025大賽優秀作品 | 逆變器系統IGBT模塊連接可靠性仿真優化及AI技術應用探索
基于PCB板+IGBT模塊+散熱器總成精細化熱-固耦合仿真模型,精準復現整機由于各層結構CTE不同導致的“呼吸效應”熱變形首先通過構建PCB板+IGBT模塊+散熱器熱-固耦合模型,精準復現因CTE差異導致的“呼吸效應”熱變形,定位溫度循環動載荷致Pin針焊層疲勞失效的原因;通過Creo參數化建模并與Ansys Workbench聯合,結合響應面優化Pin針結構參數,尋優時間縮至24h內
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Ansys中國 ??? 6月前
2025大賽優秀作品 | 逆變器系統IGBT模塊連接可靠性仿真優化及AI技術應用探索
帖子 IGBT器件結構及其分析
結語基于EDA仿真驗證進行芯片研發的方法在業內已廣泛使用,與集成電路芯片不同,分立器件的研發由于種類繁多,工藝差異明顯、仿真工具有限等,無法使用通用的此類方法,而是需要針對器件或工藝制定具體方法并實施項目。
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電氣分享社區 ??? 3年前
IGBT器件結構及其分析
視頻 IGBT的熱仿真應用理論及實操
1.緒論2.規格書解讀及IGBT損耗計算3.基于廠家數據的IGBT精確化建模及參數理解4.基于實物測量的IGBT簡化建模及數值理解5.IGBT仿真應用討論6.5KW光伏儲能機柜熱仿真案例7.瞬態變載工況熱仿真8.散熱器及熱管散熱器應用應用方法9.液冷設計10.實驗測試
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仿真大官人 ??? 6月前
IGBT的熱仿真應用理論及實操
問答 comsol電場瓷絕緣子仿真

comsol瓷絕緣子電場仿真時,模型幾何結構和參數設置都盡量按照真實值設置,但是模型仿真結果一直不收斂

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野蠻紳士 ??? 1年前
帖子 800V高壓DCAC驅動板IGBT的熱仿真
一.技術參數 1.分析類型:穩態熱仿真 2.材料:Cooler:ADC12 3.邊界條件:Ambient temperature:85℃ Cooler face temperature:75℃ Air Convention:10W/(m2·K) 4.載荷:IGBT PowerLoss=30W/chip Diode PowerLoss
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AutoEuler ??? 3月前
800V高壓DCAC驅動板IGBT的熱仿真
帖子 為什么MOSFET和IGBT特性不同?
而三極管類型的,它是兩個反接的PN結,所以,在導通時,必須先克服一個PN結的內電場,所以,一般IGBT,BJT都會有一定的前向電壓。前面分析過,由于PN結電容的存在,所以IGBT和BJT的頻率一般沒有場效應器件高。 4. 為什么MOSFET反接后,特性像個二極管?如圖所示,就非常明確了,自然形成了一個正偏PN結,這就是體二極管。
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電子元器件超市 ??? 4年前
為什么MOSFET和IGBT特性不同?
帖子 為什么MOSFET和IGBT特性不同?
而三極管類型的,它是兩個反接的PN結,所以,在導通時,必須先克服一個PN結的內電場,所以,一般IGBT,BJT都會有一定的前向電壓。前面分析過,由于PN結電容的存在,所以IGBT和BJT的頻率一般沒有場效應器件高。 4. 為什么MOSFET反接后,特性像個二極管?如圖所示,就非常明確了,自然形成了一個正偏PN結,這就是體二極管。
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平頭叔 ??? 4年前
為什么MOSFET和IGBT特性不同?
帖子 基于SolidWorks的FLOEFD的IGBT散熱仿真案例
采用SolidWorks2016版本的流體分析軟件FLOEFD對功率模塊IGBT進行水冷散熱仿真案例,詳細介紹了軟件操作的步驟及過程,有助于入門學習及實際案例操作。附件包含案例操作PPT文件和模型的STP文件。部分文件內容截圖如下:
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AutoEuler ??? 4年前
基于SolidWorks的FLOEFD的IGBT散熱仿真案例
帖子 電動汽車 IGBT 芯片技術綜述和展望
為提高電動汽車 IGBT 芯片面積利用率及降低成本,終端結構還以可借鑒超級結或溝槽柵終端結構,英飛凌公司已在其 CoolMOS 芯片中應用溝槽柵終端技術,通過橫向和縱向相結合的方式分散電場,減小終端結構面積。
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平頭叔 ??? 4年前
電動汽車 IGBT 芯片技術綜述和展望
帖子 IGBT為什么被稱為電力電子行業的“CPU”
從結構上講,IGBT主要有三個發展方向:1、IGBT縱向結構:非透明集電區NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區NPT型和FS電場截止型;2、IGBT柵極結構:平面柵機構、Trench溝槽型結構;3、硅片加工工藝:外延生長技術、區熔硅單晶;按照封裝工藝來看,IGBT模塊主要可分為焊接式與壓接式兩類。
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電氣分享社區 ??? 3年前
IGBT為什么被稱為電力電子行業的“CPU”
帖子 IGBT全球缺貨成香餑餑,對從業者來說是紅利期到了嗎?
另一方面是通過在NPT或FS結構中引入緩沖層或注入增強層等新型結構來改善載流子分布和電場分布,從而提高器件性能。
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蘇格不拉底 ??? 3年前
IGBT全球缺貨成香餑餑,對從業者來說是紅利期到了嗎?
帖子 AnsysWB-IGBT芯片穩態熱仿真
絕緣柵雙極性晶體管模塊(IGBT模塊)因其能夠承受高電壓、導通強電流,同時快速切換兩種模式,成為大功率系統的熱門選擇。 該模塊由多個安裝在銅底板頂部的IGBT芯片組成,底部配有散熱器。在模塊中,電流因電阻損耗而產生熱量,這也被稱為焦耳熱。雖然散熱器以相對恒定的速率散熱,但模塊的開關以及隨后電流密度和熱源的增減會導致模塊以循環的方式加熱和冷卻。
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AutoEuler ??? 5月前
AnsysWB-IGBT芯片穩態熱仿真
帖子 基于ANSYS的水冷電機控制器散熱仿真分析
摘 要:電機控制器中的主要散熱器件有電容和IGBT等,其散熱性能直接關系到電機的輸出。以控制器中的8個電容及3個IGBT為主要熱源,采用有限元分析的穩態熱模塊及流體模塊,分別對其進行溫度仿真分析,分析對比在使用水冷散熱前后主要發熱器件的散熱狀態,得出水冷散熱的仿真效果比常態下的溫度降低約27℃,為實際產品的設計生產提供支撐。
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寶怡 ??? 2年前
基于ANSYS的水冷電機控制器散熱仿真分析
帖子 電場可以控制中性粒子的運動嗎?
在標準網頁瀏覽器中運行的生物醫學仿真 App。 該仿真 App 允許用戶輸入一些量,例如電場的頻率和施加的電壓。結果包括一個分離的紅細胞比例的標量值。此外,在選項卡窗口中提供了三種不同的可視化效果:血細胞和血小板分布、電勢和流體流動的速度場。 下圖顯示了電勢和流場的可視化結果。屏幕截圖顯示了微流體通道中的瞬時電勢。屏幕截圖顯示了流體速度大小。
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我是小能 ??? 3年前
電場可以控制中性粒子的運動嗎?
帖子 某電除塵器兩電場改三電場,進口為下進氣結構,電場氣流均布性模擬分析
本次模擬對象為電除塵器改造項目,本除塵器共三電場,進口為下部進氣結構,但不同于以往常規漸擴型下進氣結構,而是豎直向上的進氣煙道直插于水平進氣口的下底板上,該結構相對于以往常規漸擴型下進氣結構對氣流的擴散性更差,如果進氣口內不增加任何導流措施時,該電除塵器電場前斷面的氣流均布性很難達到要求,針對目前電除塵器內部結構,通過三維軟件及CFD流體仿真技術對本電除塵器進行建模并計算除塵器內部的煙氣流場分布狀態
1964
LCFX ??? 12月前
某電除塵器兩電場改三電場,進口為下進氣結構,電場氣流均布性模擬分析
帖子 一文讀懂IGBT
場效應管(FET):利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件,它僅靠半導體中的多數載流子導電,又稱為單極型晶體管。 絕緣柵型場效應管(IGFET):柵極-源極,柵極-漏極之間采用SiO2絕緣層隔離,因此而得名。
1982
木火柴 ??? 4年前
一文讀懂IGBT
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