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由于內圓鋸切割的切縫大、材料損耗多，且對高硬脆材料的切割尺寸有限制，從 20 世紀 90 年代中期開始，切縫窄、切割厚度均勻且翹曲度較低的線鋸切割方式逐步發展起來。線鋸切割以鋼線做刃具，主要分為游離磨料（砂漿線切割）和固結磨料切割（金剛石線鋸切割技術）兩類。目前，碳化硅晶棒的切割技術有：金剛石線切割（固結磨料線鋸切割）、砂漿線切割（游離磨料線鋸切割）、激光切割。

激光切割是利用高功率密度激光束照射被切割材料，使材料很快被加熱至汽化溫度，蒸發形成孔洞，隨著光束對材料的移動，孔洞連續形成寬度很窄的（如0．1mm左右）切縫，完成對材料的切割。

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在對晶圓進行激光切割的過程中，需要進行精準定位，以此來保證能在晶圓上沿著正確的輪廓開出溝槽，通常由切割槽的深度和寬度來衡量晶圓分割的質量。VT6000系列共聚焦顯微鏡，其以共聚焦技術為原理，配合高速掃描模塊，專業的分析軟件具有多區域、自動測量功能，能夠快速重建出被測晶圓激光鐳射槽的三維輪廓并進行多剖面分析，獲取截面的槽道深度與寬度信息。

此外，激光切割技術也在汽車制造業中得到廣泛應用，特別是在汽車車身板件切割、鋁合金零部件加工等方面。 在鋰電池制造領域，激光技術也被廣泛應用于電池片切割、電極打孔、電極剝離等工藝中。其中，激光片切割技術已經成為鋰電池制造的主流工藝，其高速、高精度的特點，能夠提高電池制造的效率和一致性。綜合來看，激光技術在汽車制造和鋰電池制造等領域的應用前景十分廣闊。

硅晶棒再經過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。 晶圓的基本原料硅是由石英砂所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將這些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導體的材料，經過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓。

在封裝中，混合鍵合用于晶圓到晶圓和芯片到晶圓的鍵合。在die-to-wafer中，兩個帶有芯片的晶圓在晶圓廠中進行加工。然后，第一晶片上的芯片被切割并使用混合鍵合鍵合到第二晶片。圖 5：Xperi 的芯片到晶圓混合鍵合流程。資料來源：Xperi芯片到晶圓為封裝客戶提供了更多選擇，但這是一個具有挑戰性的過程。

【展覽范圍】：焊接技術設備：各類焊機、大型專用和成套焊接設備、焊接關聯自動化設備、焊接機器人、焊接用裝置及器械、安全保護用具、焊接線、焊接構造物流程用機械、表面處理裝置、焊接材料、其他焊接關聯器械及材料等； 切割技術設備：數控切割機、等離子切割機設備、火焰切割機、金屬加工折機、切割自動化設備、切割裝置及器械、鋸齒、切割工具、其他關聯設備等； 激光技術設備：激光加工設備、激光打標機、激光焊接機、

傳統激光切割時，能量的累積和傳導是造成切割道兩側熱損傷的主要原因，而水導激光因水柱的作用，將每個脈沖殘留的熱量迅速帶走不會累積在工件上，因此切割道干凈利落。 基于這些優點，理論上水導激光切割碳化硅是不錯的選擇，但該技術難度大，相關的設備成熟度不高，作為易損件的噴嘴制作難度大，如果不能精確穩定地控制微細水柱，飛濺的水滴燒蝕芯片，影響成品率。

：減薄機、單晶爐、研磨機、熱處理設備、光刻機、刻蝕機、離子注入設備、CVD/PVD設備固晶機、等離子清洗設備、切割機、裝片機、鍵合機、焊線機、回流焊,波峰焊、測試機、分選機、耦合機、載帶成型機、檢測設備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設備、水處理等;半導體材料：硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP

Top 10 迪斯科（Disco）- 日本全球領先的晶圓切割設備商，主營半導體制程用各類精密切割，研磨和拋光設備。1H'22半導體業務營收同比增長7.0%，環比下降16.1%。

用于封測的激光切割設備價格也很高，核心零部件激光頭的價格昂貴，單個激光頭的價值高達十萬美元以上，并且激光頭的壽命通常在兩年內。據長電科技公告，2021年其中設備購置費高達15.6 億元，劃片機計劃購買130臺（包括劃片機和切割機），總價3611萬美元。 除了設備，半導體的廠房也是一大筆支出。

三維五軸激光切割加工中心的主要部件 這里介紹三維激光切割加工設備的主要部件，主要為：床身，激光光纖線纜，激光光源，切割頭。 (1)床身: 加工中心主要結構和運動機構的支撐。

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尤其在近幾年，先進節點走向10nm、7nm、5nm......白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產線，致力于滿足時下半導體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導體行業發展。W1白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為140*100mm，滿足晶圓表面大范圍多區域的粗糙度自動化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高、彈坑等微納米級別精度的測量。

如碳化硅襯底加工過程中，一般還會在切割工藝時留有余量，以便在后續研磨拋光過程中減小TTV、BOW、Warp的數值。 TTV、BOW、Warp的區別 TTV描述晶圓的厚度變化，不量測晶圓的彎曲或翹曲；BOW度量晶圓彎曲程度，主要度量考慮中心點與邊緣的彎曲；Warp更全面，度量整個晶圓表面的彎曲和翹曲。