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剪切應力的存在意味著單元應變導致剪切變形，而不是預期的彎曲變形，因此整體撓度較小，也就是說單元剛度太大了 剪切鎖定只影響完全積分的一階單元在彎曲載荷下的單元性能。 對于二階單元，剪切閉鎖不是問題，因為二階單元的邊是可以彎曲的，但它依舊有細微的剪切閉鎖效應。

閉鎖敏感性 低 (通過 EAS/ANS 技術抑制彎曲、剪切、厚度閉鎖) 中等 (通過非協調模式緩解剪切閉鎖) 中 (主要抑制彎曲閉鎖，極薄結構可能出現剪切閉鎖) 與實體單元兼容性 高 (同實體單元自由度，可直接連接) 高 (同為實體單元

材料需按三維實體屬性定義，需輸入工程常數（包括 G??、G??等橫向剪切模量）。 閉鎖抑制技術：采用增強擬應變法 (EAS)改善面內和面外彎曲行為，采用假設自然應變法 (ANS)緩解剪切閉鎖和厚度閉鎖問題，適用于大變形分析。 局部坐標系：局部坐標系的 3 方向需垂直于單元中面，在橫向剪切變形顯著時，該方向可能偏離法線方向，需在建模時預先考慮。

表面上，這對有限元法而言，容易實現，而實際上，當厚度趨于零時，并不能收斂于薄板數值解，出現所謂的剪切閉鎖現象。

磁吸結構的設計挑戰什么是磁吸結構-使用永磁體之間的磁力進行關閉、密封或定位的結構-廣泛應用于消費電子、家電、工業及汽車等領域，其中消費電子領域包括但不限于筆記本電腦、平板電腦、手機、磁吸鍵盤、觸控筆、智能保護套等-典型的磁吸結構應用為：消費電子產品中的定位器、連接器、傳感設備等磁吸結構設計挑戰-磁吸閉鎖時，過大的磁力會損壞外殼、連接器等結構-用戶體驗是重要的設計目標