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芯片封裝成型總覽 (IC Packaging)Moldex3D芯片封裝成型模塊不僅預測芯片封裝成型制程，亦能協助金線偏移與導線架變形的現象，也能與FEA軟件接軌執行更深入的結構分析。

（圖6：2.5D 結構示意圖） 資料來源：EETimes，國盛證券研究所 3D 封裝和 2.5D 封裝的主要區別在于，2.5D 封裝是在中介層上進行布線和打孔，而 3D集成是直接在芯片上打孔（TSV）和重布線（RDL），電氣連接上下層芯片。

大綱STMicroelectronics 工程師運用 Moldex3D芯片封裝解決方案將樹脂充填不完整的風險降到最低。首先，軟件能重現因流動行為不平衡而引發的包封形成情況。接下來運用 Moldex3D 模擬將封裝設計優化，降低發生問題的風險。最后藉由更改幾何形狀發現對充填前推進有驚人效果，能在成型過程中避免產生結構瑕疵。

晶圓需求主要來自3D堆疊元件，與2020年相較，晶圓總體成長為CAGA 8.5%。 其中包含FCBGA、扇出型、WLCSP和3D堆疊封裝，3D堆疊IC的目標是在未來五年中以24.8％的CAGR成長，其中HBM占48%、3D占27%，而3D NAND占82%。臺積電仍保持領先地位，其2019年占扇出型封裝市場69%市占率。

Moldex3D毛細底部填膠模塊 (Moldex3D Underfill) 可模擬毛細流動，此現象是受到倒裝芯片底部填膠在點膠制程中底膠材料表面張力，及底膠材料、錫球與基板之間的接觸角度影響。Moldex3D覆晶封裝底部填膠模塊允許用戶輸入實際的點膠制程，并預測底部點膠制程中的氣孔位置，以大幅提高生產力。Moldex3D毛細底部填膠模塊仿真是在 Moldex3D 「封裝」模塊中建立的。

對于Auto Hybrid模式的建模，點擊匯入幾何來匯入IC組件的2D配置(曲線)，再點擊封裝組件來呼叫精靈創建3D IC組件。

成本一直是異構 3D 封裝最重要的問題之一，而 Foveros 將是英特爾憑借其領先的封裝技術首次涉足大批量生產。然而，英特爾表示，采用 3D Foveros 封裝生產的芯片與標準單片（單芯片）芯片設計相比具有極強的價格競爭力——在某些情況下甚至可能更便宜。

Moldex3D 解決方案Moldex3D芯片封裝模塊目前支持的分析項目相當完善，以準確的材料量測為基礎，除了基本的流動充填與硬化過程模擬；并延伸到其他先進制造評估，例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充封裝、后熟化過程、應力分布與結構變形等。

常見的金線材料則包含金、銅、鋁等等，由于金線的管徑細小，因此金線缺陷往往是芯片封裝制程最重要的挑戰之一，而金線缺陷包括金線偏移、斷裂以及交叉。而為了確保良率及提升性能，封裝制程廣泛使用多種類的線料。以下將說明如何透過Moldex3D IC封裝模塊，進行多種金線材料定義的偏移分析。

芯片封裝產業Moldex3D建議產品Moldex3D Advanced Package

材料設定由Moldex3D材料庫指定各種屬性組件的材料，用戶也能依照各自情況自定義材料。圖六 依照各對象屬性設定材料4.

Moldex3D 解決方案Moldex3D芯片封裝模塊目前支持的分析項目相當完善，以準確的材料量測為基礎，除了基本的流動充填與硬化過程模擬；并延伸到其他先進制造評估，例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充封裝、后熟化過程、應力分布與結構變形等。

常見的金線材料則包含金、銅、鋁等等，由于金線的管徑細小，因此金線缺陷往往是芯片封裝制程最重要的挑戰之一，而金線缺陷包括金線偏移、斷裂以及交叉。而為了確保良率及提升性能，封裝制程廣泛使用多種類的線料。以下將說明如何透過Moldex3D IC封裝模塊，進行多種金線材料定義的偏移分析。

模塊導覽 (Modules Overview)Moldex3D支持的芯片封裝成型制程：轉注成型 (Transfer Molding)轉注成型制程將芯片封裝，避免芯片受到任何外在因素的損傷。常用的材料為陶瓷與塑料(環氧成型塑料EMC)，由于塑料成本較低，因此塑料轉注成型是常用的封裝制程技術。

a) 封裝頁簽 (Encapsulation Tab)封裝項目可以讓使用者在加工精靈的封裝頁簽中設定IC封裝的制程參數。在封裝頁簽，可定義流率多段設定 (flow rate profile)、沖膠壓力 (transfer pressure profile)、熟化多段設定 (curing profile setting)和初始轉化率 (initial conversion)。

尤其在近幾年，先進節點走向10nm、7nm、5nm......白光3D輪廓測量儀適配芯片制造生產線，致力于滿足時下半導體封裝中晶圓減薄厚度、晶圓粗糙度、激光切割后槽深槽寬的測量需求，助力半導體行業發展。W1白光3D輪廓測量儀X/Y方向標準行程為140*100mm，滿足晶圓表面大范圍多區域的粗糙度自動化檢測、鐳射槽深寬尺寸、鍍膜臺階高、彈坑等微納米級別精度的測量。

制造芯片的過程十分復雜，今天我們將會介紹六個最為關鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。

所以3D堆疊把以前很大的芯片分成兩三個小的，良率會上升，制造成本下降。但是3D的設計成本要增加，因為比以前復雜很多。綜合起來，3D封裝主要有以下2個痛點。1） 3D-IC設計聚合與管理。包括：①裸片放置與Bump規劃。②SoC和封裝團隊各自為戰。③缺少代表多種技術的統一數據庫。

通過先進封裝的技術，越來越多的2.5D/3D芯片相繼面世，3D封裝和 2.5D封裝之間的基本區別在于，2.5D 封裝在Interposer上并排互連芯片，而 3D 互連層將芯片進行堆疊，即互連結構在彼此的頂部[16]。業界無論從設計者還是晶圓廠都在大力發展2.5D/3D封裝的相關技術。

Moldex3D模擬真實的填膠過程步驟，預測可能產生的空洞位置。注意：Moldex3D芯片封裝成型模塊支持solid與eDesign (僅轉注成型) 網格模型。 Moldex3D芯片封裝成型的應用1.