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我們從商用OCT系統中獲取目標規格。 軸向分辨率完全來自光源特性，應在5μm的數量級上。 來自樣品處光束半徑的橫向分辨率應為15μm。800 nm範圍內的光將用於避免組織中的高吸收，這會限制穿透。光源規格OCT將干涉測量技術與寬帶近紅外光結合使用。 較寬的帶寬可提供最佳分辨率，而波長選擇可確定樣品材料中的穿透深度。

項目偏好...文件夾：Ince-Gaussian 模態對於具有橢圓對稱增益孔徑的雷射腔設計，近軸波動方程的適當解由 Ince-Gaussian 模態提供。這些模態的電場分佈可以寫成 Ince 多項式。 Miguel A. Bandres 和 Julio C.

圖5 多晶體微觀結構兩種方法構建結果"voronoi"方法與"graingrowth"方法構建的幾何模型對比如圖6所示，從晶粒尺寸分布可以發現"graingrowth"方法構建的幾何模型“晶粒尺寸分布更廣”，從晶粒球形度分布可以發現"graingrowth"方法構建的幾何模型“晶粒球形度更高”。

模態的數目】 。

根據達朗貝爾（D’Alembert）原理，對一個具有 N 個自由度的線性振動系統，其運動微分方程為： (3-1) 式中， 為質量矩陣， 為阻尼矩陣，為剛度矩陣，為作用力向量，為位移向量，為速度向量，為加速度向量，t 為時間。

目 錄 TOC \o "1-3" \h \u 摘 要 I ABSTRACT II 1. 緒論 1 1.1. 課題的研究背景 1 1.2. 本文的研究內容和方法 2 2. 基于ABAQUS軟件的二次開發 3 2.1. ABAQUS介紹 3 2.2.

為了滿足 SiP 產品的失效分析，實現內部互連結構和芯片內部結構中失效點的定位，分析技術必須向高空間分辨率、高電熱測試靈敏度以及高頻率的方向發展。目前，半導體器件失效分析的試驗項目及相關設備主要有以下幾種。① 外部目檢: 光學顯微鏡、掃描電子顯微鏡和電子探針。② 電特性測試: 器件功能測試機臺和半導體參數分析儀。