Flash的案例
EEPROM和flash這樣講，早就懂了！
例如常見的24C02：
廣義的EEPROM
flash屬于廣義的EEPROM，因?yàn)樗彩请姴脸腞OM。但是為了區(qū)別于一般的按字節(jié)為單位的擦寫的EEPROM，我們都叫它flash。
flash做的改進(jìn)就是擦除時(shí),不再以字節(jié)為單位，而是以塊為單位，一次簡化了電路，數(shù)據(jù)密度更高，降低了成本。
MB存量的ROM一般都是flash。如W25Q128JVSIQ：
flash又分為nor flash和nand flash。
（1）nor flash：
nor flash數(shù)據(jù)線和地址線分開，可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能，可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。
（2）nand flash：
nand flash同樣是按塊擦除，但是數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用，不能利用地址線隨機(jī)尋址。讀取只能按頁來讀取。（nandflash按塊來擦除，按頁來讀，nor flash沒有頁），例如：W29N01HVSINA。
由于nand flash引腳上復(fù)用，因此讀取速度比nor flash慢一點(diǎn)，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內(nèi)部電路更簡單，因此數(shù)據(jù)密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。
使用壽命上，nor flash的擦除次數(shù)是nand的數(shù)倍。而且nand flash可以標(biāo)記壞塊，從而使軟件跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。
展開 2019年NAND Flash產(chǎn)業(yè)大洗牌
從2017年供不應(yīng)求的榮景，NAND Flash市況在2018年進(jìn)入風(fēng)云變色的調(diào)整期，生產(chǎn)業(yè)者持續(xù)擴(kuò)大64層3D TLC NAND供貨，新一代制程技術(shù)及更大容量規(guī)格正伺機(jī)而出，供過于求與終端市場買氣不足，導(dǎo)致2018年NAND Flash跌價(jià)幅度超過6成。
到2018年底，每GB價(jià)格已下探至0.08美元，逐漸逼近部分廠商的成本價(jià)，在跌價(jià)、擴(kuò)產(chǎn)等多重因素影響下，2019年市況風(fēng)云詭譎，供應(yīng)鏈洗牌淘汰賽一觸即發(fā)，也為全球產(chǎn)業(yè)的競合局勢更加增添煙消四起的氛圍。
NAND位元產(chǎn)出連年成長 終端市場亂象橫生
DRAM與NAND Flash存儲器市場在過去幾年幾經(jīng)產(chǎn)業(yè)跌宕，在供過于求壓力下，2015~2016年市價(jià)下滑，2017年再度風(fēng)生水起、漲勢不止，然而產(chǎn)業(yè)榮景未如預(yù)期延續(xù)，各家大廠競相強(qiáng)化投資規(guī)模，3D NAND Flash新增產(chǎn)能開出，市場需求卻成長平緩，加速2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌。
受到技術(shù)與良率瓶頸，2018年3D NAND良率提升速度并不如預(yù)期順利，因而導(dǎo)致次級品在外流通銷售，進(jìn)而干擾市場價(jià)格，對應(yīng)至終端應(yīng)用，消費(fèi)型SSD市場首當(dāng)其沖。
從2017年12月中~2018年第3季跌價(jià)幅度已經(jīng)逾5成，120G SSD價(jià)格超跌下探0.2美元／GB關(guān)卡，質(zhì)量參差不齊的問題延續(xù)至第3季，至于240GB和480GB價(jià)格在2018年累積跌幅也分別超過4~5成以上。
展開 NAND Flash的類型及對比分析
第一批3D Flash產(chǎn)品有24層。隨著該技術(shù)的進(jìn)步，已經(jīng)制造出32,48,64甚至96層3D閃存。3D閃存的優(yōu)勢在于同一區(qū)域中的存儲單元數(shù)量明顯更多。這也使制造商能夠使用更大的制程工藝節(jié)點(diǎn)來制造更可靠的閃存。
3D Flash的另一個(gè)主要技術(shù)轉(zhuǎn)變是使用電荷阱Flash而不是浮柵晶體管。除了用氮化硅膜代替浮柵之外，電荷阱在結(jié)構(gòu)上類似于FGMOS。注意，由于大規(guī)模制造的困難，電荷阱在市場上沒有被廣泛使用。由于難以制造浮柵晶體管的垂直串以及電荷阱的其他固有優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)采用電荷阱技術(shù)用于3D閃存。
與FGMOS相比，基于電荷阱的存儲器有許多優(yōu)點(diǎn)。可以在較低電壓下編程和擦除基于電荷阱的存儲器，從而提高耐用性。由于捕獲層（氮化物）是絕緣層，電荷不會泄漏，從而提高了可靠性。由于電荷不會從電荷阱的一側(cè)流到另一側(cè)，因此可以在同一阱層存儲多于一位的電荷。賽普拉斯（前Spansion）在NOR閃存中有效地利用了這種功能，稱為MirrorBit技術(shù)，將兩位數(shù)據(jù)存儲在一個(gè)類似于MLC閃存的單個(gè)存儲單元中。
未來的趨勢
所有主要的閃存制造商都積極致力于開發(fā)不同的方法，以降低每比特閃存的成本，同時(shí)正在積極研究增加3D NAND Flash中垂直層的數(shù)量。雖然15nm似乎是目前NAND閃存中最小的成功節(jié)點(diǎn)，但Flash的光刻節(jié)點(diǎn)的縮小仍在繼續(xù)。將MLC和TLC技術(shù)與3D NAND閃存相結(jié)合的方法也正在積極探索當(dāng)中，許多制造商已經(jīng)看到了成功的曙光。隨著新技術(shù)的出現(xiàn)，我們可能很快就會看到存儲單元可以存儲一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)和垂直層，達(dá)到256層，甚至更高。
來源：本文由 公眾號 半導(dǎo)體行業(yè)觀察（ID：icbank）翻譯自「embedded」，作者 Avinash Aravindan，謝謝。
展開 東芝/西數(shù)新晶圓廠啟用 量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash
東芝存儲器自2017年2月開始興建6號晶圓廠，是3D NAND Flash快閃存儲器的專用生產(chǎn)廠區(qū)。東芝存儲器與西數(shù)已針對沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關(guān)鍵生產(chǎn)制程開始部署先進(jìn)制造設(shè)備，新廠已經(jīng)在9月初開始量產(chǎn)新一代96層3D NAND Flash。
鑒于3D NAND Flash在企業(yè)服務(wù)器、資料中心及智能手機(jī)的需求不斷成長，未來幾年這些需求將持續(xù)擴(kuò)大的情況下，為因應(yīng)市場趨勢，未來可望進(jìn)一步投資擴(kuò)大產(chǎn)能。
此外，與6號晶圓廠相毗鄰的存儲器研發(fā)中心，也已經(jīng)于2018年3月開始營運(yùn)，主要負(fù)責(zé)研發(fā)及推動3D NAND Flash的發(fā)展工作。
東芝存儲器進(jìn)一步指出，將與西數(shù)持續(xù)推動并擴(kuò)展雙方在存儲器事業(yè)的市場領(lǐng)導(dǎo)地位，積極開發(fā)各項(xiàng)計(jì)劃以強(qiáng)化競爭力，推動3D NAND Flash的共同開發(fā)，并根據(jù)市場趨勢規(guī)劃資本的投入。
對此，東芝存儲器社長暨執(zhí)行長成毛康雄表示，東芝存儲器很高興有這個(gè)機(jī)會能為新一代的3D NAND Flash開拓更廣闊的市場。而6號晶圓廠和存儲器研發(fā)中心能讓東芝存儲器在3D NAND Flash市場中維持領(lǐng)先地位，而且相信與西數(shù)的合資事業(yè)，將能協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)市場上最先進(jìn)的存儲器。
西數(shù)的執(zhí)行長Steve Milligan也同時(shí)指出，很榮幸能與西數(shù)的重要合作伙伴──東芝存儲器一起為6號晶圓廠和存儲器研發(fā)中心揭開序幕。
近20年來，兩家公司合作無間，帶動了NAND Flash技術(shù)的成長和創(chuàng)新。此外，雙方也正積極提升96層3D NAND Flash的產(chǎn)能，以因應(yīng)從消費(fèi)性、移動應(yīng)用到云端資料中心等終端市場的各式商機(jī)，且6號晶圓廠具備先進(jìn)技術(shù)設(shè)備，將進(jìn)一步提升東芝存儲與西數(shù)在業(yè)界技術(shù)領(lǐng)先和成本領(lǐng)導(dǎo)的地位。
展開 
詳細(xì)圖文：Flash芯片內(nèi)存提取！
作為Flash芯片內(nèi)容提取系列的第一部分，本文將介紹如何拆焊Flash芯片，設(shè)計(jì)及制作相應(yīng)的分線板。
該系列將詳細(xì)講解及實(shí)踐對嵌入式設(shè)備的非易失性存儲的簡單有效攻擊手段。這些攻擊包括：
（1）讀取存儲芯片內(nèi)容；
（2）修改芯片內(nèi)容；
（3）監(jiān)視對存儲芯片的讀取操作并遠(yuǎn)程修改（中間人攻擊）。
想想，當(dāng)你拆開一個(gè)嵌入式產(chǎn)品，卻被擋在Flash之外，好奇的你一定想對它一探究竟吧！那么，下面我們就開始！
拆焊Flash芯片
為了讀取Flash芯片的內(nèi)容，有以下兩個(gè)基本途徑：
（1）直接將導(dǎo)線連接到芯片的引腳；
（2）把芯片拆下來，插到另一塊板子上。
下面介紹的Flash為BGA（球形柵格陣列）封裝——無外露引腳。因此，只能選擇拆焊的方法。
圖：目標(biāo)芯片
拆焊法的優(yōu)點(diǎn)：
（1）可避免對電路板上其他器件造成影響；
（2）可以很容易看到芯片底部的布線；
（3）可用其他芯片或微控制器代替原芯片。
一些不便之處：
（1）電路在缺少完整器件的情況下無法運(yùn)行；
（2）在拆卸過程中，一些鄰近器件可能被損壞；
（3）如果操作不恰當(dāng)，Flash本身可能毀壞。
OK，拆焊是吧？你看，下圖所示的熱風(fēng)簡直就是神器。只要將芯片周圍加熱，便可以很容易地拿下芯片：
圖：熱風(fēng)拆焊
這種辦法簡單、快速只是可能傷及無辜——焊掉鄰近的元件，所以，務(wù)必小心翼翼。
下圖顯示芯片拆下后PCB的布線。觀察圖片，猜想底部的兩列引腳為空引腳，因?yàn)樗麄儔焊蜎]接入電路。
圖：拆焊下來后
用KiCAD定制分線板
現(xiàn)在該做什么？BGA封裝簡直就是一團(tuán)糟，依然無法外接導(dǎo)線。
一種可行的方法是制作分線板。
展開 詳細(xì)圖文：Flash芯片內(nèi)存提取！
作為Flash芯片內(nèi)容提取系列的第一部分，本文將介紹如何拆焊Flash芯片，設(shè)計(jì)及制作相應(yīng)的分線板。
該系列將詳細(xì)講解及實(shí)踐對嵌入式設(shè)備的非易失性存儲的簡單有效攻擊手段。這些攻擊包括：
（1）讀取存儲芯片內(nèi)容；
（2）修改芯片內(nèi)容；
（3）監(jiān)視對存儲芯片的讀取操作并遠(yuǎn)程修改（中間人攻擊）。
想想，當(dāng)你拆開一個(gè)嵌入式產(chǎn)品，卻被擋在Flash之外，好奇的你一定想對它一探究竟吧！那么，下面我們就開始！
拆焊Flash芯片
為了讀取Flash芯片的內(nèi)容，有以下兩個(gè)基本途徑：
（1）直接將導(dǎo)線連接到芯片的引腳；
（2）把芯片拆下來，插到另一塊板子上。
下面介紹的Flash為BGA（球形柵格陣列）封裝——無外露引腳。因此，只能選擇拆焊的方法。
圖：目標(biāo)芯片
拆焊法的優(yōu)點(diǎn)：
（1）可避免對電路板上其他器件造成影響；
（2）可以很容易看到芯片底部的布線；
（3）可用其他芯片或微控制器代替原芯片。
一些不便之處：
（1）電路在缺少完整器件的情況下無法運(yùn)行；
（2）在拆卸過程中，一些鄰近器件可能被損壞；
（3）如果操作不恰當(dāng)，Flash本身可能毀壞。
OK，拆焊是吧？你看，下圖所示的熱風(fēng)簡直就是神器。只要將芯片周圍加熱，便可以很容易地拿下芯片：
圖：熱風(fēng)拆焊
這種辦法簡單、快速只是可能傷及無辜——焊掉鄰近的元件，所以，務(wù)必小心翼翼。
下圖顯示芯片拆下后PCB的布線。觀察圖片，猜想底部的兩列引腳為空引腳，因?yàn)樗麄儔焊蜎]接入電路。
圖：拆焊下來后
用KiCAD定制分線板
現(xiàn)在該做什么？BGA封裝簡直就是一團(tuán)糟，依然無法外接導(dǎo)線。
一種可行的方法是制作分線板。
展開 東芝將量產(chǎn)96層3D NAND Flash
Toshiba 于2017 年2 月開始興建6 號晶圓廠，作為生產(chǎn)3D NAND Flash ( 快閃記憶體) 的專用廠區(qū)。Toshiba 與Western Digital 已針對沉積(deposition) 與蝕刻(etching) 等關(guān)鍵生產(chǎn)制程部署先進(jìn)制造設(shè)備。新晶圓廠在本月初已開始量產(chǎn)96 層3D NAND Flash。
與6號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發(fā)中心已于今年3 月開始營運(yùn)，負(fù)責(zé)研發(fā)并推動3D NAND Flash 的發(fā)展工作。
東芝記憶體公司與Western Digital 將持續(xù)推動并擴(kuò)展雙方在記憶體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，積極開發(fā)各項(xiàng)計(jì)劃以強(qiáng)化競爭力，推動3D NAND Flash 的共同開發(fā)，并根據(jù)市場趨勢規(guī)劃資本的投放。
東芝記憶體公司主席及行政總裁成毛康雄(Yasuo Naruke) 表示：「我們很高興有這個(gè)機(jī)會能為新一代的3D NAND Flash 開拓更廣闊的市場。6 號晶圓廠和記憶體研發(fā)中心能讓我們在3D NAND Flash 市場中維持領(lǐng)先地位，而且我們相信與Western Digital 的合資事業(yè)，將協(xié)助四日市的工廠繼續(xù)生產(chǎn)最先進(jìn)的記憶體。」
Western Digital 行政總裁Steve Milligan 同時(shí)指出：「今天很榮幸能與我們的重要合作伙伴東芝記憶體公司一起為6 號晶圓廠和記憶體研發(fā)中心揭開序幕。近20 年來我們合作無間，帶動了NAND Flash 技術(shù)的成長和創(chuàng)新。此外，我們正積極提升96 層3D NAND 產(chǎn)能，以因應(yīng)從消費(fèi)性、流動應(yīng)用到云端數(shù)據(jù)中心等終端市場的各式商機(jī)。6 號晶圓廠具備先進(jìn)技術(shù)設(shè)備，將進(jìn)一步提升我們在業(yè)界技術(shù)領(lǐng)先和成本領(lǐng)導(dǎo)的地位。」
展開 汽車構(gòu)造flash
汽車構(gòu)造flash.part1.rar
汽車構(gòu)造flash.part2.rar
汽車構(gòu)造flash.part3.rar
圖解基于UDS的Flash BootLoader
A:OEM不希望ECU中保存有可以擦寫Flash的代碼，所以BootLoader需要在燒錄App之前，先把擦寫Flash的代碼通過UDS燒寫到RAM中，燒完了之后進(jìn)行一下31服務(wù)下的CRC校驗(yàn)。之后燒錄ECU的App程序，App可能會因?yàn)榈刂凡贿B續(xù)而分為很多段下載。下載完畢后需要進(jìn)行總的CRC校驗(yàn)。不管哪次校驗(yàn)，CRC所校驗(yàn)的數(shù)據(jù)是代碼的數(shù)據(jù)段，即36服務(wù)中傳輸?shù)挠行?shù)據(jù)。
end
文章來源：汽車ECU開發(fā)
旺季需求不明顯供給增加，下半年NAND Flash合約價(jià)續(xù)跌
根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）最新調(diào)查，盡管第三季為傳統(tǒng)旺季，但由于消費(fèi)性電子產(chǎn)品需求成長力道偏弱，加上3D NAND Flash供給持續(xù)增加，預(yù)計(jì)NAND Flash均價(jià)在第三季及第四季都將呈現(xiàn)10%左右的跌幅。
DRAMeXchange指出，價(jià)格持續(xù)疲軟的主因仍為供過于求，問題來自于幾個(gè)層面：
第一、智能手機(jī)硬件規(guī)格已無太大差異，難以吸引換機(jī)需求，全年手機(jī)年成長較2017年持平；
第二、筆記本電腦由于上半年廠商積極出貨，在基期墊高的情形下, 使得下半年旺季效應(yīng)并不明顯；
第三、服務(wù)器需求雖呈現(xiàn)穩(wěn)定成長，但由于毛利高，吸引各供貨商積極投入，導(dǎo)致服務(wù)器SSD供給大增；第四、64/72層3D NAND Flash的良率持續(xù)提升以及擴(kuò)產(chǎn)，主要供貨商皆上修產(chǎn)出預(yù)測。
上述原因使得供過于求的狀況延續(xù)至下半年，以至于合約價(jià)仍難有支撐力道。
價(jià)格走跌有助于推升搭載容量，eMMC/UFS、SSD位元需求成長可期
然而價(jià)格走跌對于NAND Flash市場而言，并不盡然是負(fù)面影響，反而有助于推升平均搭載容量。智能手機(jī)市場隨著價(jià)格走跌，一方面促進(jìn)旗艦機(jī)種搭載容量進(jìn)一步往256/512GB提升，同時(shí)也促使中階以上機(jī)種自32/64GB轉(zhuǎn)采64/128GB容量，使得2018年位元消耗量仍有40%以上的成長。
在SSD方面，由于價(jià)格下跌，有助于筆記本電腦的搭載率預(yù)估年內(nèi)將突破50%，主流搭載容量也提升到256GB，而512GB的產(chǎn)品也有機(jī)會在未來2-3年內(nèi)成為主流。服務(wù)器SSD部份，供貨商也對高容量產(chǎn)品躍躍欲試，2019年起在3D QLC NAND架構(gòu)問市后，可望進(jìn)一步推升容量成長。
展開 NAND Flash價(jià)格5季來首漲，鎧俠虧損額縮小
鎧俠指出，上季NAND Flash售價(jià)（以日元計(jì)算）較上上季（2023年4-6月）揚(yáng)升5%-9%、為五季來（2022年4-6月當(dāng)季以來）首度轉(zhuǎn)為上漲；上季NAND Flash出貨量季減約10%-14%。鎧俠表示，以美元計(jì)算的售價(jià)季增0-4%。
關(guān)于市場動向及今后展望，鎧俠指出，隨著各家NAND Flash廠商持續(xù)生產(chǎn)調(diào)整（減產(chǎn)）、客戶去化庫存，供需平衡持續(xù)改善，價(jià)格已止跌。
鎧俠表示，NAND Flash市場中長期呈現(xiàn)成長趨勢的市場見解未發(fā)生太大變化。
鎧俠指出，將持續(xù)配合需求動向進(jìn)行減產(chǎn)以及管控營銷費(fèi)用，且為了確實(shí)創(chuàng)造獲利，將進(jìn)行縮減制造成本、評估產(chǎn)品研發(fā)組合以及加快重點(diǎn)產(chǎn)品研發(fā)等措施。
東芝（Toshiba）目前持有鎧俠約四成股權(quán)。
鎧俠原先計(jì)劃和美商威騰電子（Western Digital）的半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行合并，不過因合并案無法獲得對鎧俠間接出資的SK海力士的同意，因此鎧俠、WD已于10月中止合并協(xié)商。WD并于10月30日宣布，將切割旗下NAND快閃存儲器部門，成立新公司并獨(dú)立上市，預(yù)計(jì)2024年下半年啟動相關(guān)作業(yè)。
展開 
NAND Flash的最新競爭格局，長江存儲成為黑馬
在本周于美國加州舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，全球幾家主要的記憶體制造商紛紛表示看好3D NAND快閃記憶體(flash)的未來發(fā)展，并透露了一部份的開發(fā)藍(lán)圖。而其最近的競爭對手——長江存儲科技公司(Yangtze Memory Technology Corp.；YMTC)更積極接觸媒體，深入介紹其最新3D NAND技術(shù)架構(gòu)與發(fā)展前景。
海力士(SK Hynix)也十分樂于提供其96層(96-layer)元件的詳細(xì)資訊。東芝(Toshiba)宣布推出一款低延遲芯片，正面挑戰(zhàn)三星(Samsung)的Z-NAND和英特爾(Intel)的Optane。美光(Micron)僅簡要介紹其下一代計(jì)劃，而Western Digital (WD)則推出了全新軟體，作為其資料中心策略的一部份。
事實(shí)上，這些消息的發(fā)布，正值硬碟仍主導(dǎo)目前的電腦儲存之際。然而，根據(jù)一些市場預(yù)測，NAND flash正在市場上刮起一陣旋風(fēng)，預(yù)計(jì)到2025年將占據(jù)市場的半壁江山。
海力士Tbit級芯片明年出樣
海力士宣布將在今年年底前針對行動系統(tǒng)出樣其512-Gbit 96層芯片，采用11.3 x 13-mm 2封裝。明年6月之前，該公司還將出樣一款以16 x 20-mm 2封裝的Tbit級版本，即所謂的V5系列。這兩款芯片均采用電荷儲存架構(gòu)，支援高達(dá)1.2-Gbits/s/pin的資料速率。
V5系列元件的尺寸比其現(xiàn)有72層NAND芯片更小30%，但讀取速度提高了25%，寫入性能也提升了30%。相較于現(xiàn)有的產(chǎn)品，整體功率效率大幅提高150%。
海力士目前已經(jīng)開始研發(fā)128層的下一代產(chǎn)品了。
展開 HS6621CM-C是一款集成32 bit CPU、Flash和Audio的BLE/2.4G 的多模無線SoC芯片
HS6621CM-C是一款集成32 bit CPU、Flash和Audio的BLE/2.4G 的多模無線SoC芯片，內(nèi)置64kB SRAM、512kB Flash以及GPIO、SPI、I2C、UART、語音ADC，SAR ADC等多種接口與設(shè)備，在單顆芯片上集成了各種2.4GHz物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)所需的所有特性和功能， 32pin 5x5 QFN封裝；
架構(gòu)特征如下：
1. 內(nèi)置32位ARM? Cortex?-M4F, 芯片主頻可達(dá)48MHz
2. 內(nèi)置64kB SRAM, 512kB Flash
3. BLE/2.4GHz RF收發(fā)器可配置工作在1Mbps標(biāo)準(zhǔn)兼容的BLE模式、2Mbps增強(qiáng)的BLE模式、125/500kbps BLE模式、和私有1Mbps、2Mbps模式，所有模式都支持FSK/GFSK/調(diào)制
4. BLE Mesh：支持128/256個(gè)節(jié)點(diǎn)組網(wǎng)，同時(shí)可控制8/16個(gè)分組，支持超過200個(gè)節(jié)點(diǎn)無延遲開關(guān)控制和實(shí)時(shí)狀態(tài)更新
5. 豐富的外設(shè)和接口：17個(gè)GPIO、2*SPI（Master/Slave）、I2C（Master/Slave）、I2S、UART、16bit語音ADC，12bit GPADC
6. 高性能數(shù)字麥克風(fēng)、Codec (I2S)、模擬麥克風(fēng)輸入，PWM聲音頻輸出;
芯片內(nèi)部框圖如下
應(yīng)用場景
適用于各種人機(jī)交互和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如可穿戴設(shè)備、智能遙控器、智能玩具以及智能家居設(shè)備等
展開 Flash柱分離方法摸索建議
現(xiàn)在越來越多的實(shí)驗(yàn)室都擁有了自動化程度比較高的分離純化工具---
快速制備色譜儀(中低壓制備色譜)，常稱之為
過柱機(jī)或者Flash
。由名字可知，這就是個(gè)替代手工過硅膠柱的工具，他所用到的柱子我們常叫它
Flash柱
。今天化學(xué)科訊就分享一下Flash柱分離的方法摸索的一些建議。
選柱子的依據(jù)是什么?
這里有一個(gè)進(jìn)樣公式，即：J =Z×0.208%×N
1）進(jìn)樣量用漢語拼音的J來表示；Z為硅膠裝填量
2）擬將ΔRf的差值精確到0.01，那么0.01的差值設(shè)置為1個(gè)單位，用N來表示；
3）進(jìn)樣系數(shù)：0.208%，是基于40-60um粒徑（300-400目），60A孔徑的硅膠，在特定的壓力條件、理想流速下，計(jì)算出的理想進(jìn)樣系數(shù)。考慮到實(shí)際使用過程中樣品裝樣不平、操作誤差大等因素，以0.2%代替，更接近于實(shí)際；
舉個(gè)例子：80g的柱子在如下條件中可分離多少樣品？
薄層數(shù)據(jù)：Rf1=0.19，Rf2=0.33
則N=（0.33-0.19）÷0.01=14
按公式計(jì)算，J=80×0.2%×14=2.24g，則，該樣品依照此薄層數(shù)據(jù)，80g柱子最大進(jìn)樣量為2.24g。
再來一個(gè)例子算算看。
薄層數(shù)據(jù)：Rf1=0.25，Rf2=0.21，120g的柱子能分多少樣品？
N=（0.25-0.21）÷0.01=4
進(jìn)樣量J=120×0.2%×4=0.96g
不難看出，ΔRf差值越小，進(jìn)樣量就越少。我們應(yīng)根據(jù)目標(biāo)物與雜質(zhì)的分離度（ΔRf的差值）來選擇使用何種規(guī)格的柱子。
該進(jìn)樣公式可優(yōu)化為：J=Z×0.2×ΔRf，
即：進(jìn)樣量=硅膠量（實(shí)際克數(shù)）×0.2×Rf的差值
用什么方法分離?
選好了合適的柱子，那么，該怎么設(shè)定分離方法呢？
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