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磨粒研磨仿真

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創(chuàng)建者:匿名 創(chuàng)建時(shí)間:2022-04-01

磨粒研磨仿真的視頻教程

磨粒研磨軌跡SPH仿真
磨粒研磨軌跡SPH仿真

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電磁檢測與仿真系列課-05-Comsol 2D、3D電感式磨粒傳感器仿真
電磁檢測與仿真系列課-05-Comsol 2D、3D電感式磨粒傳感器仿真

傳感器工作原理,線圈檢測原理 2. 2D\3D模型參數(shù)化建模處理 3. 2D動(dòng)網(wǎng)格仿真設(shè)置及求解器設(shè)置 4. 2D仿真提取感應(yīng)線圈完整載波和包絡(luò)信號 5. 3D仿真設(shè)置及微小顆粒網(wǎng)格剖分 6. 3D仿真噪聲的去除及提取感應(yīng)電動(dòng)勢信號

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磨粒研磨仿真圖1

磨粒研磨仿真的實(shí)例教程

30angle 裂紋云圖 30angle 沿深度方向的裂紋分布云圖 調(diào)試許久的金剛石磨粒磨削硬脆材料引起的裂紋延伸擴(kuò)展云圖終于有了一定的進(jìn)展,紀(jì)念一下。2021-12-7.
仿真文件說明 1、多面體磨粒自定義隨機(jī)建模 2、磨粒在砂輪表面隨機(jī)三維分布 3、砂輪磨削模型和仿真 4、磨粒仿真均可以自定義修改 5、附件為建模和仿真的完整文件 6、該模型答疑和協(xié)助仿真 7、目前沒有時(shí)間錄制操作視頻 仿真視頻 仿真圖片 通過添加微信或者QQ可獲得答疑 WeChat & QQ:1489785835 仿真軟件ABAQUS 6.14-1 付費(fèi)描述 三維多面體磨粒、圓周隨機(jī)分布、砂輪建模、磨削仿真的CAE文件
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2.2模型簡化 為了使仿真模型更加準(zhǔn)確反映實(shí)際磨粒加工導(dǎo)致的損傷及裂紋擴(kuò)展情況,做出如下三點(diǎn)模型簡化,最終模型簡化示意如圖2.3所示。 (1)研磨過程簡化成單顆磨粒對工件的變切深刻劃過程,磨粒設(shè)為圓錐狀,工件設(shè)為長方體。理由:研磨是通過磨盤上的微粉金剛石磨粒與工件之間的相互沖擊、劃擦等力學(xué)物理作用來去除材料(見圖2.1),因此,將研磨盤加工等效為單顆磨粒加工;在極短時(shí)間內(nèi)研磨盤的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)可以等效為直線劃擦運(yùn)動(dòng);此外根據(jù)實(shí)際金剛石磨粒壓頭形狀,將磨粒設(shè)為圓錐形狀,工件設(shè)為長方體。 (2)忽略加工系統(tǒng)的振動(dòng)及工件材料的熱傳導(dǎo)。理由:研磨相對磨削具備更低的轉(zhuǎn)速,在加工過程中的散熱及振動(dòng)很小。 (3)磨粒設(shè)為剛體。理由:磨粒為金剛石材質(zhì),為自然界最硬的物質(zhì),其硬度、強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于單晶碳化硅。 2.3模型幾何尺寸 刻劃實(shí)驗(yàn)中采用圓錐角為120°,圓錐倒角半徑0.2mm的金剛石壓頭,故仿真中設(shè)置磨粒特征尺寸與之相同。工件尺寸與磨粒特征尺寸配合到同一尺度下即可,均為mm級,設(shè)為2×1×0.3mm3。 長方體工件(長×寬×高):2.0mm×1.0mm×0.3mm 圓錐磨粒尺寸:圓錐角120°,圓錐倒角半徑R=0.2mm 3.仿真方法 3.1仿真算法選擇 FEM-SPH(Finite Element Method-Smoothed Particle Hydrodynamics)耦合算法,即有限元-光滑質(zhì)點(diǎn)流體動(dòng)力學(xué)耦合的方法。 本文所用的加工材料單晶碳化硅屬于典型的硬脆材料,對于硬脆材料的研磨加工仿真,單純用有限元法(FE)來模擬往往會(huì)因?yàn)榫W(wǎng)格畸變而導(dǎo)致計(jì)算精度低甚至計(jì)算強(qiáng)行終止的情況。這是因?yàn)樵谀バ嫉男纬蛇^程中,材料的去除會(huì)經(jīng)歷彈性變形階段、彈塑性轉(zhuǎn)變階段、塑性變形階段、塑脆性轉(zhuǎn)變階段及脆性斷裂,且這一過程中工件材料會(huì)產(chǎn)生大量的不連續(xù)裂紋。
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在雙顆磨粒及多顆磨粒耦合劃擦仿真中,隨著磨粒數(shù)的增多及對磨粒約束的增加,模型求解時(shí)間迅速增加,在設(shè)置不出錯(cuò)的情況下,有時(shí)候甚至長達(dá)幾百個(gè)小時(shí),這是我們不能接受的。建立的模型如圖1所示。我們來分析原因。 圖1 雙顆磨粒耦合模型 首先求解時(shí)間過長的原因與磨粒的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)有關(guān),本文中磨粒在Z向做拋物線運(yùn)動(dòng),先向下在向上在sph粒子表面劃過深淺不一的溝槽,其次磨粒在Y方向做勻速直線。這樣的復(fù)合運(yùn)動(dòng)使得計(jì)算量大大增加。 其次磨粒與sph粒子的接觸采用自動(dòng)點(diǎn)面接觸,多對接觸對使得接觸算法不斷循環(huán),從而計(jì)算時(shí)間急劇增加,,隨著后面磨粒數(shù)增多到三顆、四顆、五顆...其計(jì)算時(shí)間必然更長,所以改進(jìn)接觸算法是主要原因。 最后求解時(shí)間與sph粒子的數(shù)量直接相關(guān)。本文中SPH粒子設(shè)置的是200000,粒子間隔0.01mm,也即是10μm,粒子之間是通過罰函數(shù)來互相建立聯(lián)系的,故粒子束增多,罰函數(shù)求解時(shí)間增長。
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通過ANSYS/LSDYNA軟件建立雙磨粒90°刻劃氧化鋁陶瓷表面,材料用JH-2本構(gòu),損傷失效選用最大拉伸失效,因此fs設(shè)為負(fù)值,金剛石磨粒為自然界最硬的物質(zhì),選用rigid本構(gòu)。通過速度曲線加載方式定義磨粒的運(yùn)動(dòng)方式,模型建立完成后于LSDYNA Solver求解,最終結(jié)果用LSPP查看,得出的損失云圖如下圖所示。
磨粒研磨仿真圖2

磨粒研磨仿真的最新內(nèi)容

仿真文件說明 1、多面體磨粒自定義隨機(jī)建模 2、磨粒在砂輪表面隨機(jī)三維分布 3、砂輪磨削模型和仿真 4、磨粒和仿真均可以自定義修改 5、附件為建模和仿真的完整文件 6、該模型答疑和協(xié)助仿真 7、目前沒有時(shí)間錄制操作視頻 仿真視頻 仿真圖片 通過添加微信或者QQ可獲得答疑 WeChat & QQ:1489785835
在刀具切削仿真領(lǐng)域,應(yīng)用SPH算法進(jìn)行金剛石刀具切削工件逐漸成為一個(gè)熱點(diǎn)。應(yīng)用SPH算法表征材料在加工過程中的磨屑狀態(tài)、損傷情況、亞表面裂紋擴(kuò)展對于揭示刀具切削原理更加直觀高效,是此方法的最大優(yōu)勢之處。關(guān)于SPH算法的原理及建模思路本帖不加說明,讀者可自行前往技術(shù)鄰平臺搜索閱覽。本帖主要給出金剛石磨粒在加工過程中形成的SPH磨屑狀態(tài)分布云圖方法。 除去磨削力信號、力表面形貌、亞表面工件損傷云圖等直接表征加工好壞的評價(jià)指標(biāo)
粒子拋擲效果及損傷分布與相關(guān)文獻(xiàn)中基本一致,驗(yàn)證了FE耦合SPH算法的合理性,可用于磨粒精密加工領(lǐng)域。
通過ANSYS/LSDYNA軟件建立雙磨粒90°刻劃氧化鋁陶瓷表面,材料用JH-2本構(gòu),損傷失效選用最大拉伸失效,因此fs設(shè)為負(fù)值,金剛石磨粒為自然界最硬的物質(zhì),選用rigid本構(gòu)。通過速度曲線加載方式定義磨粒的運(yùn)動(dòng)方式,模型建立完成后于LSDYNA Solver求解,最終結(jié)果用LSPP查看,得出的損失云圖如下圖所示。
30angle 裂紋云圖 30angle 沿深度方向的裂紋分布云圖 調(diào)試許久的金剛石磨粒磨削硬脆材料引起的裂紋延伸擴(kuò)展云圖終于有了一定的進(jìn)展,紀(jì)念一下。2021-12-7.
在雙顆磨粒及多顆磨粒耦合劃擦仿真中,隨著磨粒數(shù)的增多及對磨粒約束的增加,模型求解時(shí)間迅速增加,在設(shè)置不出錯(cuò)的情況下,有時(shí)候甚至長達(dá)幾百個(gè)小時(shí),這是我們不能接受的。建立的模型如圖1所示。我們來分析原因。 圖1 雙顆磨粒耦合模型 首先求解時(shí)間過長的原因與磨粒的復(fù)雜運(yùn)動(dòng)有關(guān),本文中磨粒在Z向做拋物線運(yùn)動(dòng),先向下在向上在sph粒子表面劃過深淺不一的溝槽,其次磨粒在Y方向做勻速直線。這樣的復(fù)合運(yùn)動(dòng)使得計(jì)算量大大增加
1問題的提出 單純用FEM算法建立有限元網(wǎng)格模型在模擬大變形問題經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)網(wǎng)格畸變,且FEM算法在模擬不連續(xù)的問題,如斷裂等問題并不具有優(yōu)勢,SPH算法由于不用依賴網(wǎng)格算法,可以很好解決這一問題,但隨之帶來的邊界難以處理,計(jì)算效率低的問題也一直難以很好解決。為此本文嘗試用FEM-SPH耦合算法來耦合兩者優(yōu)點(diǎn),以期獲得理想的仿真結(jié)果。本文以單顆球形磨粒等切深劃擦碳化硅工件的FEM-SPH耦合模型為例
基于FEM-SPH耦合算法的磨粒仿真研究 1.工程背景 隨著半導(dǎo)體行業(yè)的蓬勃發(fā)展,單晶碳化硅作為典型的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于集成電路生產(chǎn)、光學(xué)襯底材料制備等加工過程中,晶片表面質(zhì)量的好壞直接決定了半導(dǎo)體器件的使用性能及工作壽命[1-2],這也就對以單晶碳化硅為代表的光學(xué)材料的加工質(zhì)量提出了更高的要求,其中在研磨拋光過程中產(chǎn)生的表面/亞表面損傷缺陷(見圖1-1亞表面損傷示意圖)是影響晶片性能的重要因素