新研究：C軸碳化硅實現業界最高電子遷移率 日本京都大學的研究小組使用碳化硅霍爾棒結構研究了在不同溫度和施主濃度下垂直和沿 c 軸的電子遷移率。 在C軸上實現了有史以來最高的碳化硅電子遷移率——1160 cm2 V-1s-1。 目前，該研究發表在《應用物理快報》雜志上。