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登錄晶圓檢測設備的案例
WD4000無圖晶圓檢測機:助力半導體行業高效生產的利器
晶圓檢測機,又稱為半導體芯片自動化檢測設備,是用于對半導體芯片的質量進行檢驗和測試的專用設備。它可以用于硅片、硅晶圓、LED芯片等半導體材料的表面檢測,通過對晶圓的表面特征進行全面檢測,可以有效降低產品的不良率,提高產品的穩定性和可靠性。
一種晶圓表面形貌測量方法-WD4000無圖晶圓幾何量測系統
WD4000無圖晶圓檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術,完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖,實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應表面形貌的參數。
測量功能
1、厚度測量模塊:厚度、TTV(總體厚度變化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、顯微形貌測量模塊:粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、面積、體積等。
3、提供調整位置、糾正、濾波、提取四大模塊的數據處理功能。其中調整位置包括圖像校平、鏡像等功能;糾正包括空間濾波、修描、尖峰去噪等功能;濾波包括去除外形、標準濾波、過濾頻譜等功能;提取包括提取區域和提取剖面等功能。
4、提供幾何輪廓分析、粗糙度分析、結構分析、頻率分析、功能分析等五大分析功能。幾何輪廓分析包括臺階高、距離、角度、曲率等特征測量和直線度、圓度形位公差評定等;粗糙度分析包括國際標準ISO4287的線粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全參數;結構分析包括孔洞體積和波谷。
WD4000無圖晶圓檢測機通過非接觸測量,將晶圓的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度,TTV,BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷。
展開 東京電子 | 推出12吋晶圓功率器件用蝕刻設備
,以下簡稱為TEL)于2021年12月推出了一款用于300mm功率器件的蝕刻設備,名為“Tactras-UDEMAE”。TEL用于功率元器件方向的等離子體反應器(Plasma Reactor)曾在業界獲得了最大交貨量,而此款“Tactras-UDEMAE”設備系統將等離子體反應器的應用范圍兼容至300mm,并將其安裝在 Tactras 平臺上。Tactras是一個高度可靠且高效的平臺,已在 300 mm晶圓工藝中得到驗證。
用于300mm功率器件的蝕刻設備一一Tactras-UDEMAE(圖片出自:電波新聞)
該系統將現有的200mm晶圓中積累的工藝庫(Process Library)靈活運用于300mm晶圓工藝,還配置了可以防止晶圓斜面(Wafer Bevel)區域產生顆粒異物的新功能,這是制造分立功率器件(Discrete Power Device)的關鍵能力。通過有效平衡晶圓溫度、反應器(Reactor)內的壓力、氣體流量、RF(高頻射頻電源)等各種條件,成功在300mm晶圓上獲得了均勻蝕刻效果。
TEL執行董事兼FS BUGM中原哲也表示:“基于車載半導體等通用型半導體的需求增加這一背景,意味著對半導體生產設備的需求也在增長,尤其是對功率器件和其他分立器件。其中,蝕刻技術在功率器件和其他分立器件的制造過程中變得比以往任何時候都重要。擁有豐富交貨實績的Tactras平臺擁有龐大的安裝基礎,在晶圓傳輸速度和占地面積(Foot Print)方面都達到了全球最高水準,通過將該平臺與新開發的用于 300 mm功率器件的等離子體反應器(Plasma Reactor)相結合,TEL成功提供了一種技術解決方案,可顯著提高生產效率”。
展開 天天為"芯"而鬧,一文看晶圓制造主要設備一覽
一塊芯片的誕生需經歷重重考驗,從設計到制造再到封裝測試,每一關都需用到大量的設備和材料。而在半導體加工的過程中,集成電路制造更是半導體產品加工工序最多,工藝最為密集的環節,因此本文將以晶圓制造為例,說明前道過程中所需要的設備,并闡述其市場情況。
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晶圓制造過程及應用設備
芯片需要經過設計、制造(包括硅片制造以及晶圓制造)、封裝測試才能最終落到客戶手中。
芯片制造流程圖
從圖中的集成電路制造廠板塊我們可以看到,晶圓制造過程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備,滿足不同的需要。
晶圓制造主要步驟使用工藝及設備
設備中應用較為廣泛的有氧化爐、沉積設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入機、清洗機、化學研磨設備等。
展開 不是鴻海,不是特斯拉,旺宏晶圓廠恐花落日本設備廠商
去年3月,中國臺灣存儲器大廠旺宏宣布,其位于竹科園區的6吋晶圓廠將于2020年底停產。不過,由于疫情及需求爆增,產能供不應求,旺宏將生產延到了今年4月。
停止投產后,旺宏擬將廠房及設備出售。正值晶圓產能極度緊缺,旺宏的出售計劃吸引了多家海內外大廠,包括聯電、世界先進、代工廠鴻海以及電動車大廠特斯拉等。
但據臺灣經濟日報報道,該出售案最終可能花落日本最大的半導體設備廠商TEL(Tokyo Electron Limited)東京電子。旺宏尚未回應此市場消息,只強調該出售案將在6月底、7月初拍板定案。
整體來看,在各方角力后,目前剩東京電子及臺灣科技大廠在最后競爭。供應鏈認為,由于東京電子與旺宏已簽訂優先議價權,取得6吋廠的機率會更大。
據悉,東京電子是日本最大的半導體設備商,也是臺積電主要供應商之一,買下6吋廠的主要目的是將該廠無塵室作為零組件或設備倉儲中心。
展開 
天天為"芯"而鬧,一文看晶圓制造主要設備一覽
一塊芯片的誕生需經歷重重考驗,從設計到制造再到封裝測試,每一關都需用到大量的設備和材料。而在半導體加工的過程中,集成電路制造更是半導體產品加工工序最多,工藝最為密集的環節,因此本文將以晶圓制造為例,說明前道過程中所需要的設備,并闡述其市場情況。
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晶圓制造過程及應用設備
芯片需要經過設計、制造(包括硅片制造以及晶圓制造)、封裝測試才能最終落到客戶手中。
芯片制造流程圖
從圖中的集成電路制造廠板塊我們可以看到,晶圓制造過程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導體設備,滿足不同的需要。
晶圓制造主要步驟使用工藝及設備
設備中應用較為廣泛的有氧化爐、沉積設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入機、清洗機、化學研磨設備等。
展開 半導體量測領域設備——無圖晶圓幾何量測系統
在晶圓制造前道過程的不同工藝階段點,往往需要對wafer進行厚度(THK)、翹曲度(Warp)、膜厚、關鍵尺寸(CD)、套刻(Overlay)精度等量測,以及缺陷檢測等;用于檢測每一步工藝后wafer加工參數是否達到設計標準,以及缺陷閾值下限,從而進行工藝控制與良率管理。半導體前道量檢測設備,要求精度高、效率高、重復性好,量檢測設備一般會涉及光電探測、精密機械、電子與計算機技術,因此在半導體設備中,技術難度高。
在wafer基材加工階段,從第一代硅,第二代砷化鎵到第三代也是現階段熱門的碳化硅、氮化鎵襯底都是通過晶錠切片、研磨、拋光后獲得,每片襯底在各工藝后及出廠前,都要對厚度、翹曲度、彎曲度、粗糙度等幾何形貌參數進行系統量測,需要相應的幾何形貌量測設備。
下圖為國內某頭部碳化硅企業產品規范,無論是production wafer,research wafer,還是dummy wafer,出廠前均要對幾何形貌參數進行量測,以保證同批、不同批次產品的一致性、穩定性,也能防止后序工藝由于wafer warpage過大,產生碎片、裂片的情況。
WD4000系列無圖晶圓幾何量測系統,適用于線切、研磨、拋光工藝后,進行wafer厚度(THK)、整體厚度變化(TTV)、翹曲度(Warp)、彎曲度(Bow)等相關幾何形貌數據測量,能夠提供Thickness map、LTV map、Top map、Bottom map等幾何形貌圖及系列參數,有效監測wafer形貌分布變化,從而及時管控與調整生產設備的工藝參數,確保wafer生產穩定且高效。
展開 歐盟CE認證公司機構費用設備UL認證rohs檢測恒達檢測
CE認證產品范圍
信息類產品:電腦周邊與及相關信息處理設備;音視頻類:如電視、音響等聲音、視頻播放器等相關電子產品;燈具類:如燈泡、燈管、筒燈等各種LED/非LED燈;家電類:冰箱、空調、洗衣機等各種家用電器;機械類產品:大小型機械;儀器設備類產品:萬用表等相關測試儀器類產品
CE認證申請步驟
提供申請表、測試樣品給到順檢實驗室;實驗室測試CE認證樣品;實驗室出具CE認證測試報告、正書;
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關注 | SEMI:兩年內將新增29座晶圓廠 設備支出將超1400億美元
分類別來看,29座工廠中,15座為晶圓代工廠,月產能達3萬至22萬片晶圓(8英寸);存儲器部分將于兩年內啟建的晶圓廠則有4座,這些新廠產能更高,每月可制造10萬至40萬片晶圓(8英寸)。
SEMI認為,新廠動工后通常需時至少兩年才能達到設備安裝階段,因此多數今年開始建造新廠的半導體制造商最快也要2023年才能啟裝,不過有些制造商可能提前在明年上半年就會開始相關作業。
需要指出的是,雖然報告預測明年即將開工的高產能晶圓廠為10座,但也不排除期間又有芯片制造商宣布新建設計劃、數字往上攀升的可能。
文|思坦
圖源|網絡
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【免責聲明】文章為作者獨立觀點,不代表半導體材料與工藝設備立場。如因作品內容、版權等存在問題,請于本文刊發30日內聯系半導體材料與工藝設備進行刪除或洽談版權使用事宜。
展開 日本高鳥研發出新型碳化硅功率半導體方向的切割設備,可用于10吋晶圓
CINNO Research產業資訊,日本半導體材料加工設備廠商高鳥株式會社(Takatori,以下簡稱為“高鳥”)近日推出了一款用于切割功率半導體方向碳化硅(SiC)晶圓的新型切割設備。該設備不僅支持切割當下主流的直徑為6吋(約15厘米)的晶圓,還可用于切割10吋晶圓(約25厘米),可顯著提升半導體芯片的生產效率。
新型多線切割設備可切割直徑為10吋的晶圓
與硅基功率半導體相比,碳化硅材料功耗更低,預計在電動汽車(EV)等方向的需求有望進一步增長。晶圓尺寸越大,可以切割出的芯片數量就越多,因此晶圓廠家紛紛致力于向大尺寸晶圓“邁進”,如今已經從6吋向8吋(為6吋的1.8倍)過渡。
在碳化硅生產流程中,碳化硅襯底制備是最核心環節,技術壁壘高,難點主要在于晶體生長和切割。單晶生長后,將生長出的晶體切成片狀,由于碳化硅的莫氏硬度為9.2,僅次于金剛石,屬于高硬脆性材料,因此切割過程耗時久,易裂片。實現切割損耗小、并且切割出厚度均勻、翹曲度小的高質量SiC晶片是目前面臨的重要技術難點。
20 世紀 80 年代以前,高硬脆材料一般采用涂有金剛石微粉的內圓鋸進行切割。由于內圓鋸切割的切縫大、材料損耗多,且對高硬脆材料的切割尺寸有限制,從 20 世紀 90 年代中期開始,切縫窄、切割厚度均勻且翹曲度較低的線鋸切割方式逐步發展起來。線鋸切割以鋼線做刃具,主要分為游離磨料(砂漿線切割)和固結磨料切割(金剛石線鋸切割技術)兩類。
目前,碳化硅晶棒的切割技術有:金剛石線切割(固結磨料線鋸切割)、砂漿線切割(游離磨料線鋸切割)、激光切割。線鋸切割技術成熟,是主流切割技術。
高鳥家為砂漿線切割工藝,此次研發的多線切割設備(Multi Wire Saw)可以從直徑為10吋的硅棒(Ingot)上同時切割出多片晶圓。
展開 芯視佳訂購用于AR/VR用硅基 OLED生產的12吋晶圓用蒸鍍設備
CINNO Research產業資訊,根據韓媒Digital Today報道,9月2日,韓國半導體顯示設備制造商SNU Precision公司宣布,公司已成功獲得用于生產AR/VR領域Micro OLED的12吋晶圓蒸鍍設備訂單。
該合同總金額為1820萬美元(約1.3億人民幣),占SNU Precision公司2023年度銷售額的18.81%。
交易對方是中國公司——淮南芯視佳半導體科技有限公司,該公司成立于2020年9月,專注于硅基OLED IC設計以及Micro Display產品的生產和銷售。
近三年來,兩家公司之間并未簽訂過同類合同。此次銷售供應地區為中國,合同期限自即日起至2025年6月2日,共計9個月。
SNU Precision公司表示,將自主生產并供應該蒸鍍設備,且上述合同內容可能會根據雙方進一步協商進行調整。
SNU Precision公司成立于1998年,是一家專注于半導體研究與制造設備設計、制造及銷售的企業。2005年,公司在韓國KOSDAQ市場上市。公司產品線廣泛,涵蓋OLED制造設備、LCD制造設備、二次電池制造設備以及半導體/PCB制造設備等,其中OLED制造設備的銷售額占比最高,達到34.67%,LCD設備次之,占比為23.42%。
2023年,SNU Precision公司的營業額為1291億韓元(約6.9億人民幣),營業利潤為44億韓元(約2341萬人民幣),凈利潤為70億韓元(約3724萬人民幣)。今年第二季度,公司銷售額為292億韓元(約1.55億人民幣),營業利潤為20億韓元(約1064萬人民幣),凈利潤24億韓元(約1277萬人民幣)。
此外,SNU Precision公司于上月27日發布公告,宣布將吸收合并CIS公司。
展開 汽車線束制造及檢測設備
本文簡單介紹汽車線束在制造過程中,各個工序所需要的制造設備和檢測設備,及如何通過合理的工藝設計,使這些機械設備的實際利用率最大化。
隨著汽車線束生產制造自動化程度的不斷提高和生產交付周期的大幅縮短,在汽車線束生產制造過程中不得不采用先進的、自動化、高效率的生產制造設備,取代或者升級改進傳統的手動、半自動的線束生產制造機器設備大勢所趨。
本文將簡單介紹汽車線束生產制造過程中,不同的工序所采用的機械設備,以及如何高效的使用這些機械設備。由于相同功能的汽車線束生產制造用設備的型號、生產廠家各不相同,功能、性能也有所差異,故在設備的選用時應綜合考慮技術設計精度、經濟能力、空間場地等因素。
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汽車線束制造及檢測設備
本文簡單介紹汽車線束在制造過程中,各個工序所需要的制造設備和檢測設備,及如何通過合理的工藝設計,使這些機械設備的實際利用率最大化。
隨著汽車線束生產制造自動化程度的不斷提高和生產交付周期的大幅縮短,在汽車線束生產制造過程中不得不采用先進的、自動化、高效率的生產制造設備,取代或者升級改進傳統的手動、半自動的線束生產制造機器設備大勢所趨。
本文將簡單介紹汽車線束生產制造過程中,不同的工序所采用的機械設備,以及如何高效的使用這些機械設備。由于相同功能的汽車線束生產制造用設備的型號、生產廠家各不相同,功能、性能也有所差異,故在設備的選用時應綜合考慮技術設計精度、經濟能力、空間場地等因素。
展開 CINNO Research | 至2024年國內新型顯示行業檢測設備市場規模超92億元,本土設備商強勢占領市場
老化設備中國大陸市場發展狀況分析
4.1 中國大陸老化設備市場發展現狀和趨勢
4.2 中國大陸老化設備廠商市場競爭力分析
第三章 全球半導體行業市場發展綜述
一、全球主要半導體市場發展趨勢分析
二、全球及中國大陸晶圓產能發展趨勢分析
1.全球晶圓產能趨勢分析
2.中國大陸晶圓產能趨勢分析
第四章 中國大陸半導體檢測設備市場發展分析
一、半導體行業設備市場綜述
1.
半導體檢測設備行業專題報告
——以下內容已上傳【半導體產業研究】知識星球,成員可登錄星球搜索關鍵詞下載(文末查看如何成為星球成員)。
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地平鐵平面度檢測“避坑”指南:三步告別誤差,輕松“拿捏”精度
在機械加工、設備調試、工裝定位等工業場景中,地平鐵的平面度直接決定工件加工、檢測的精度,而平面度檢測是保障地平鐵合格使用的關鍵環節。很多企
地平鐵平面度檢測“避坑”指南:三步告別誤差,輕松“拿捏”精度
在機械加工、設備調試、工裝定位等工業場景中,地平鐵的平面度直接決定工件加工、檢測的精度,而平面度檢測是保障地平鐵合格使用的關鍵環節。很多企業因檢測方法不當、忽視細節,頻繁陷入誤差陷阱,導致工件報廢、效率下降。本文結合地平鐵、灰鐵地平鐵、鑄鐵地平鐵、高精度地平鐵、地平鐵平面度檢測、機床地平鐵等高頻關鍵詞,拆解檢測核心三步法,盤點常見“坑點”,打造實操性強的避坑指南。
###一、先避坑:4個高頻檢測誤區,90%的人都踩過
平面度檢測的誤差,大多源于細節疏忽,以下4個坑點務必避開,從源頭減少偏差:
1.誤區一:忽視檢測環境。在溫度波動大(>±2℃)、潮濕多塵的環境中檢測,地平鐵易熱脹冷縮,表面雜物也會影響檢測結果,這是易被忽視的核心誤區。
2.誤區二:量具選用不當。檢測高精度地平鐵(0級、00級)用普通水平儀,或檢測大型地平鐵用量具量程不足,會直接導致檢測誤差超標。
3.誤區三:檢測點位不足。僅檢測地平鐵或邊角少數點位,未覆蓋臺面,易遺漏局部凹凸變形,誤判地平鐵合格性。
4.誤區四:未做檢測前準備。未清理地平鐵臺面鐵屑、油污,未調平檢測基準,會導致量具與臺面接觸不實,出現虛假檢測數據。
###二、核心三步法:告別誤差,檢測平面度
掌握以下三步,無需團隊,也能輕松完成地平鐵平面度檢測,精度不打折:
1.一步:檢測前準備(避坑關鍵)。
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