這種多晶片協(xié)同工作的機(jī)制，賦予了聲波前所未有的靈活性，系統(tǒng)可以通過(guò)精確的延時(shí)法則，實(shí)現(xiàn)聲束的電子偏轉(zhuǎn)、聚焦和掃查，這意味著，檢測(cè)人員無(wú)需頻繁更換探頭或進(jìn)行復(fù)雜的機(jī)械移動(dòng)，僅憑電子控制即可生成扇形掃描（S-Scan）圖像，這種能力不僅極大地提升了對(duì)復(fù)雜幾何形狀工件（如渦輪葉片、異形焊縫）的覆蓋效率，更通過(guò)電子聚焦功能，在特定深度優(yōu)化了聲束能量，顯著提高了信噪比和缺陷定量的精度。

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因此外部調(diào)制器件也可分為電吸收型和折射率改變型，根據(jù)能量形式的不同，折射率改變型又可分為：電光調(diào)制、熱光調(diào)制、聲光調(diào)制以及磁光調(diào)制。

PID光離子傳感器在四氫噻吩監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用 四氫噻吩在線監(jiān)測(cè)儀利用PID（光離子化檢測(cè)器）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)天然氣管道內(nèi)THT濃度的24小時(shí)不間斷實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。一旦THT濃度出現(xiàn)異常變化，例如低于規(guī)定的安全范圍，監(jiān)測(cè)儀將立即通過(guò)聲光報(bào)警和手機(jī)短信等多種形式通知相關(guān)工作人員，以便迅速采取應(yīng)對(duì)措施。

先進(jìn)的電磁仿真 隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電磁學(xué)的研究和應(yīng)用仍至關(guān)重要。從量子計(jì)算的發(fā)展到新一代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)，電磁原理在不斷塑造我們的技術(shù)格局。了解這些原理對(duì)于在電信、能源系統(tǒng)和醫(yī)療技術(shù)等領(lǐng)域開(kāi)展前沿創(chuàng)新工作的工程師和科學(xué)家至關(guān)重要。 Ansys SimAI軟件是一款先進(jìn)的多物理場(chǎng)仿真軟件，可利用這些技術(shù)進(jìn)行電磁場(chǎng)訓(xùn)練和預(yù)測(cè)。

MEMS技術(shù)問(wèn)世已有數(shù)年，而且隨著“小型化”技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)，其被視為電子技術(shù)的未來(lái)。這是因?yàn)镸EMS制造是基于當(dāng)前使用的現(xiàn)有半導(dǎo)體微加工技術(shù)，例如表面微加工、光刻和干式蝕刻等。 盡管MEMS現(xiàn)在是一項(xiàng)極為成熟的技術(shù)，但直到2006年任天堂在其Wii遙控器中使用了基于MEMS的加速計(jì)，其才有了大量的商業(yè)應(yīng)用。從那時(shí)起，MEMS器件在許多應(yīng)用領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域都得到了普及。

近 200 位來(lái)自汽車、半導(dǎo)體、高科技、能源等行業(yè)的仿真精英參賽，他們以前沿思維與創(chuàng)新實(shí)踐，充分展現(xiàn)了仿真技術(shù)的無(wú)限潛能。我們將陸續(xù)為大家分享獲獎(jiǎng)佳作，帶您一同領(lǐng)略仿真賦能創(chuàng)新的非凡力量，希望用戶能從中汲取靈感、啟迪思路。

引言 從光纖到硅器件的高效光耦合是硅光子學(xué)中的關(guān)鍵技術(shù)。端面耦合器由于其需要制造在芯片表面上而面臨限制，這對(duì)晶圓級(jí)器件測(cè)試提出了挑戰(zhàn)。與端面耦合器相比，光柵耦合器具有靈活的放置、更高的對(duì)準(zhǔn)公差以及無(wú)需表面拋光等優(yōu)點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)測(cè)試并降低光纖封裝成本。傳統(tǒng)的光柵耦合器通常需要傾斜入射，通常約10°，以防止二階反射。

圖2 超透鏡的PSF測(cè)量的光學(xué)設(shè)置示例 偏轉(zhuǎn)特性： 超表面其中一個(gè)應(yīng)用是光束偏轉(zhuǎn)。該器件可以將光偏轉(zhuǎn)到任何所需的角度。它的特性通常包括確定偏轉(zhuǎn)角以及偏轉(zhuǎn)效率。后者被定義為所需階次的功率與其他階次的總發(fā)射功率之間的比率。兩種方法可用于實(shí)驗(yàn)表征，即直接測(cè)量和k空間測(cè)量。 超表面相位測(cè)量表征 超表面的一個(gè)核心應(yīng)用是依靠結(jié)構(gòu)單元引入相移突變來(lái)設(shè)計(jì)光的波前。