車用功率半導體技術的案例
助力汽車半導體產業發展，2025 廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會與您相約“羊城”廣州
隨著半導體技術的升級與發展，功率半導體已經成為推動新能源汽車和智能汽車產業升級的關鍵因素。汽車不再只是單純的交通工具，而是逐漸演變為一個智能移動空間，集成了多種先進技術和功能。特別是在新能源汽車領域，功率半導體在提升能源效率和車輛性能方面起到了至關重要的作用。
在全球新能源車市場快速擴張的背景下，中國市場表現尤為突出。隨著國家政策的大力支持和市場需求的不斷增長，國內半導體企業迎來了前所未有的發展機遇。然而，功率半導體行業也面臨著激烈的市場競爭和技術更新的挑戰。車企需要在保障產品性能和可靠性的同時，不斷推動技術創新，以應對市場變化和需求升級。
為推動新能源汽車半導體產業發展，2025年11月20日至22日，亞洲領先的車用功率半導體技術專業展，將在廣州保利世貿博覽館盛大召開。隸屬于AUTO TECH 展系列的AUTO TECH 2025 廣州國際新能源汽車功率半導體技術展覽會，展品覆蓋車用功率器件IGBT/MOSFET、SiC、GaN、基礎功率器件、材料、封裝測試、生產設備、散熱管理等技術產品，組委會將邀請比亞迪、廣汽埃安、特斯拉、豐田、小鵬、理想、小米、極氪、長城、上汽、本田、日產、大眾、寶馬、蔚來、華為、匯川技術、寧德時代、博世、英飛凌、電裝、瑞薩、安森美、意法半導體等汽車OEM廠商及Tier1 & 2 零部件供應商的上萬名采購、技術工程師匯聚一堂，參加展會以尋求供應商及合作伙伴。同期還將舉辦2025中國新能源汽車功率半導體產業技術論壇，為廣大汽車行業人士奉送一場“美味佳肴”。誠邀廣大同仁共同探索新能源汽車功率半導體產業前沿技術發展，您豈能錯過！
AUTO TECH 2025 華南展——誠邀您與行業同仁一道共迎汽車人的行業盛會，奏響汽車產業新篇章。
展開 聚焦汽車智能化與電動化，亞洲領先的汽車工業技術博覽會 2025年11月與您相約 AUTO TECH 華南展
搶占市場先機︱聚焦汽車智能化與電動化，亞洲領先的汽車工業技術博覽會 2025年11月與您相約 AUTO TECH 華南展
隨著汽車智能化與電動化的迅猛發展，汽車電子技術、車用功率半導體技術、智能座艙技術、輕量化技術/材料、軟件定義汽車、EV/HV技術、測試測量技術以及汽車內外飾技術也迎來了前所未有的更新與變革。在這個充滿機遇與挑戰的時代，加強行業交流顯得尤為重要。
展望新能源汽車未來，電動化的下半場是智能化，而且智能化拐點已經到來，并已成為用戶購車的關鍵考量因素。不僅電車會智能化，油車也會。后者首先會在座艙領域升級智能化，隨后混動車型向前適當演進，也會支持智能駕駛。
由此背景下，2025年11月20日至22日，以“綠色出行，科技創新 ”為主題的AUTO TECH 廣州國際汽車技術展覽會（以下簡稱“AUTO TECH 華南展”）將在廣州保利世貿博覽館盛大召開。由汽車技術相關的展覽及高峰技術論壇組成的，涵蓋汽車電子技術、車用功率半導體技術、智能座艙技術、輕量化技術/材料、軟件定義汽車、EV/HV技術、測試測量技術以及汽車內外飾等汽車工業多個重要領域；作為汽車科技創新展示平臺，組委會將邀請諸如廣汽、比亞迪、日產、豐田、本田、特斯拉、小鵬、蔚來、理想、東風、長安、上汽、吉利、長城、奇瑞、小米、奔馳、寶馬 、大眾、一汽、博世、大陸、寧德時代、電裝、德賽西威、華為技術等汽車OEM制造商及Tier 1 & 2 零部件供應商的上萬名采購、技術工程師匯聚一堂，參加展會。
展開 聚焦功率半導體產業︱APSME 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展將在廣州盛大召開
2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會，以“聚焦前沿技術突破，賦能產業創新融合”為主題。將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿博覽館盛大召開！
APSME 2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術展覽會匯聚全球優質品牌廠商齊聚現場，打造功率半導體全產業鏈創新展示、一站式采購及技術交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、材料、封裝技術、測試技術、生產設備、散熱管理等熱門產品，致力于先進半導體器件、封裝測試、工藝流程、創新應用及產業鏈間的合作，為上游及材料設備搭建交流協作的橋梁。展會期間還將舉辦一系列技術論壇，展示全球產業動態及未來技術趨勢。
展開 大功率半導體技術現狀及其進展
摘要：介紹了現代硅基大功率半導體器件的歷史演變和新型器件結構的研究進展，以及寬禁帶半導體材料和器件的現狀；闡述了國內大功率半導體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領域的研發進展和應用現狀；最后討論了大功率半導體技術面臨的技術挑戰和發展趨勢。
0 引言
經過 60 余年的技術發展，大功率半導體行業已經開發出多種硅（Si）基功率器件，單極型器件以金屬氧化物半導體場效應管（Metal Oxide Semiconductor,MOS）為代表，雙極型器件包括二極管、功率晶體管和晶閘管等，復合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。圍繞功率轉換，功率半導體器件結構和工藝以提高功率容量、增大功率密度、降低功率損耗和提升能源轉換效率為主要的技術發展方向 [1-2] 。
功率半導體器件的發展不斷推動著能源技術和軌道牽引傳動技術的發展。1957 年晶閘管的發明使得牽引傳動技術進入電力電子技術時代 [1]，晶閘管的誕生促進了交直傳動技術的進步與發展。1965 年第 1 臺晶閘管整流機車問世，同時全球也興起了單相工頻交流電網電氣化的高潮。20 世紀 70 年代初，大功率晶閘管特別是門極可關斷晶閘管（Gate Turn-off Thyristor, GTO）的出現和微機控制技術的發展，推動了交流傳動技術逐步取代交直傳動技術。20 世紀 90 年代中期，隨著高壓 IGBT 技術的成熟，交流傳動功率開關器件被 IGBT 所取代，在高速、重載和城市軌道交通等領域獲得廣泛應用。
展開 
一文了解大功率半導體技術歷史進程與現狀
摘要：介紹了現代硅基大功率半導體器件的歷史演變和新型器件結構的研究進展，以及寬禁帶半導體材料和器件的現狀；闡述了國內大功率半導體器件在軌道交通、直流輸電和新能源汽車等領域的研發進展和應用現狀；最后討論了大功率半導體技術面臨的技術挑戰和發展趨勢。
關鍵詞：功率半導體器件；硅材料；晶閘管；門極可關斷晶閘管；集成門極換流晶閘管；絕緣柵雙極晶體管；金屬氧化物半導體場效應晶體管；寬禁帶
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引言
經過 60 余年的技術發展，大功率半導體行業已經開發出多種硅（Si）基功率器件，單極型器件以金屬氧化物半導體場效應管（Metal Oxide Semiconductor,MOS）為代表，雙極型器件包括二極管、功率晶體管和晶閘管等，復合型器件包括絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）等。圍繞功率轉換，功率半導體器件結構和工藝以提高功率容量、增大功率密度、降低功率損耗和提升能源轉換效率為主要的技術發展方向。
功率半導體器件的發展不斷推動著能源技術和軌道牽引傳動技術的發展。1957 年晶閘管的發明使得牽引傳動技術進入電力電子技術時代，晶閘管的誕生促進了交直傳動技術的進步與發展。1965 年第 1 臺晶閘管整流機車問世，同時全球也興起了單相工頻交流電網電氣化的高潮。20 世紀 70 年代初，大功率晶閘管特別是門極可關斷晶閘管（Gate Turn-off Thyristor, GTO）的出現和微機控制技術的發展，推動了交流傳動技術逐步取代交直傳動技術。20 世紀 90 年代中期，隨著高壓 IGBT 技術的成熟，交流傳動功率開關器件被 IGBT 所取代，在高速、重載和城市軌道交通等領域獲得廣泛應用。
展開 古河電工研發出無氧銅條新技術！將影響全球功率半導體市場
另一方面，用于半導體方向的超高純度銅材料的市場需求則在不斷擴大。
超高純度半導體材料生產技術頗受關注
基于以上背景，古河電工成功確立了純度高、厚度均勻的無氧銅條生產技術，從而協助古河電工的客戶一一功率半導體廠家來提高生產良率（即削減生產損失）。
無氧銅條指的是去除了氧等不純物質的高純度銅條。一般而言，銅具有較高的導電性，但一旦混入異物（如氣泡等），其導電性就會降低。因此，為了充分發揮電線和半導體線路的性能，必須要提高銅的精煉純度。據古河電工透露，一般情況下把純度為99.96%的銅稱為“無氧銅”。而古河電工可以生產出純度為99.99%的無氧銅。此外，古河電工也在研發可進一步提高無氧銅純度的技術。古河電工有效利用超高純度銅的生產技術，為客戶提供無氧銅條，以滿足需求急劇增長的功率半導體（一種進行輸電、控制電壓的半導體）需求。
功率半導體晶圓是通過在上下陶瓷面貼附無氧銅板生產的，生產過程中面臨的一大問題是基底翹曲。首先，很難保證在基底兩面貼附厚度一致的薄銅板。其次，當在基底兩面貼附厚度不均的極薄銅板時產生的熱量也會導致翹曲產生。
此外，在使用功率半導體過程中也會發熱，其基底的膨脹和收縮都容易導致翹曲出現。最終導致芯片（Chip）破裂、絕緣部分剝離等問題。換言之，銅材的厚度（生產精度）和純度直接影響芯片（Chip）壽命。
古河電工為解決翹曲問題，靈活運用在邏輯半導體材料中積累的壓延技術，成功使無氧銅條的厚度偏差控制在原來的1/2，也有望減輕基底的翹曲問題。古河電工的此次技術突破的影響極大，例如有利于提高半導體良率、削減半導體生產工藝中產生的二氧化碳、提高芯片壽命、獲得更薄的基底等。
古河電工在半導體材料領域業務急速增長的機會
全球經濟環境急劇變化、前景不容樂觀，但古河電工在半導體材料領域卻獲得了業務增長的機會。如今全球使用的半導體數量在不斷增多。
展開 究竟為何功率半導體是半導體領域中的優質賽道？
——以下內容摘自《功率半導體：乘風新能源汽車，國產替代漸行漸近》，已上傳【半導體產業研究】知識星球，成員可登錄星球搜索關鍵詞下載（文末查看如何成為星球成員）。
目錄：
01/功率半導體解密：
究竟為何功率半導體是半導體領域中的優質賽道？
02/功率半導體行業總覽：
千億賽道，中國企業有望重塑產業格局
03/功率半導體各產品梳理：
主要產品包括二極管、晶閘管、晶體管、功率IC
04/ 功率半導體下游需求：
新能源汽車、充電樁、可再生能源市場需求旺盛， 功率半導體市場規模持續增長
05/ 功率半導體新機遇：
第三代功率半導體加速滲透，打開功率半導體成長天花板
06/ 建議關注標的：
推薦整體研發實力強勁，產品高端化布局的各細分賽道領先企業
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展開 資訊 | 士蘭微擴產，比亞迪半導體擬分拆上市，功率半導體迎來高景氣
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功率半導體相關動態1：定了！士蘭微擴產
5月11日晚間，士蘭微(600460)發布公告，擬建“新增年產24萬片12英寸高壓集成電路和功率器件芯片技術提升及擴產項目”，總投資為20億元，實施周期為2年。據了解，12英寸芯片海內外龍頭擴產的主要產品，具有成本相對較低、投資效率較高等特點，同時功率半導體在電動汽車等產品上需求量巨大。
兩期項目總投70億
據了解，該擴產項目為士蘭微與廈門半導體投資集團于2017年12月簽署的投資合作協議的一部分。雙方于2018年2月成立了項目公司士蘭集科，雙方合作在廈門市海滄區建設的第一條12吋產線，總投資70億元，其中一期總投資50億元，二期總投資20億元。
2020年，士蘭集科第一條12吋芯片生產線第一期項目已實現通線，并在2020年12月實現正式投產。預計今年四季度士蘭集科將實現月產12吋片3萬片的目標。
士蘭微稱，當前集成電路芯片及功率器件市場面臨良好的發展機遇，士蘭集科很有必要在完成第一期投資50億元的基礎上，進一步增加投入，盡快擴大產能。新增擴產項目已于2021年5月11日取得了《廈門市企業投資項目備案證明》。
受益于半導體板塊景氣，士蘭微業績增速明顯。今年一季度，該公司營收14.75億元，同比增長113.47%，歸屬于上市公司股東的凈利潤1.74億元，同比增長7726.86%。即使2020年一季度，上市公司生產不同程度受到疫情影響，其單季度歸母凈利潤環比仍然大幅上升644.8%。
展開 車載 | LG電子計劃直接開發和生產車用半導體MCU
CINNO Research產業資訊， LG電子為了應對半導體供應不足導致生產受阻的汽車市場，將自制車用半導體，實現半導體供應鏈內在化。LG電子最近投入了車載微控制器單元(MCU)的開發業務。這是LG電子首次開發車載半導體。據悉，開發總管由CTO部門內的SIC中心負責。
根據韓媒ETNews報道，據悉，LG電子正在與半導體設計專業公司接觸，以打造自己的MCU。業界分析這是LG電子實現MCU內在化的嘗試。LG電子CTO部門目前正在招聘數字邏輯設計和SoC等半導體專業人才。都是與MCU相關的領域，是為培養自身半導體能力作鋪墊。預計最早在一兩年內將生產自己的MCU產品。MCU是控制特定系統的專用處理器，發揮各種電子產品和設備的大腦作用，在控制汽車內部的各種電裝部件時，也使用MCU。
LG電子開始開發車載MCU，其目的是確保穩定的MCU供應鏈。LG電子正在通過VS事業本部、LG Magna e-Powertrain和ZKW推進汽車零部件業務。為應對MCU供給不足對電裝零部件事業的影響，計劃獨立進行MCU開發。
LG電子相關人士11月30日表示：“車用半導體內在化是內部確實正在研究，但是還沒有確定詳細的計劃”。
展開 三星大舉進攻車用半導體，押寶SoC和CMOS圖像傳感器
隨著電池、半導體、通信和其他支持技術的發展，這些舉措已經成為可能，這些技術正帶來 2000 億美元以上的汽車電子市場的新增長。根據 IC Insights 的數據，汽車半導體的增長勢頭特別好，預計全年汽車芯片銷售額將翻倍，從 2016 年的 229億美元增加到 2021 年的 429 億美元。巨大的市場潛力也吸引了韓國巨頭三星的眼光。去年 3 月，他們斥資 80 億美元收購汽車零部件制造商哈曼國際實業公司（Harman International Industries），三星還設立了一個 3 億美元的基金用于投資汽車初創企業和自動駕駛技術、以及去年 9 月份對安全軟件開發商 TTTech 的 7500 萬歐元戰略投資。
而據韓媒Digital Daily報導，三星電子(Samsung Electronics)在2018年德國狼堡汽車配件展(The IZB 2018)中宣布，推出Exynos Auto與ISOCELL Auto兩大車用電子品牌，并介紹新一代零組件解決方案，強化相關事業競爭力。
Exynos與ISOCELL是三星分別在2011年與2017年推出的行動裝置系統單芯片(SoC)及影像傳感器品牌，這次以這兩個品牌名稱加以延伸，意味事業領域將由行動裝置擴大到汽車市場。
一般而言，用在汽車上的半導體零件對品質與耐用度的要求比智慧型裝置高，三星電子計劃生產符合車用電子可靠度標準的產品，為客戶提供完善駕駛環境。
三星依照零件用途將Exynos Auto品牌細分為車用資訊娛樂系統(IVI)的V系列、先進駕駛輔助系統(ADAS)的A系列、車用資通訊系統(Telematics)的T系列共3種。
展開 功率半導體景氣度調研
新擴產能，對緩解當前需求沒有實質性幫助，8寸的基本沒擴，老舊產能還在淘汰，導致功率缺貨。華虹等，后續大概率還會調價。
需求：光伏、汽車，市場上能供給的少，芯片比較缺，即使有國內新玩家加入，但是晶圓廠也解決不了終端廠商認證問題。以前拿不到貨的中小設計公司，把大廠減少的產能補回來，也就導致需求看起來依然景氣。設計公司，有的領域拿貨需求下降，但是基本也是轉到其他領域去拿貨，所以交貨周期還是維持在去年Q3的狀態。
功率：消費類中低壓MOS需求沒有那么好，小廠很多也在做。偏高端的IGBT、超級結MOS等持續供不應求。電源管理、MCU等國內廠商以前大部分用在手機等消費類，現在需求也沒那么旺盛，整體供需平衡。2022年全年產能都排滿，新的訂單基本也進不來，海外IDM廠有老舊的6寸線在逐步關停，新的12寸線還沒完全釋放出來，而且12寸也是先用在高端的領域，無法承接6寸線的需求，所以還會持續緊缺。國內廠商擴產，還不能滿足汽車等的需求，后續獲得車規級認證、性能提升上后，就會開始有幫助。
功率需求：新能源爆發，車規級功率需求提升，就會擠壓工控、消費級的產品，帶來行業性緊缺，也給國內廠商帶來機會。短期供不應求，至少在22年會持續。無論是MOS還是IGBT，龍頭廠商價格還在上調，漲幅可能相對21年沒那么高，預計Q1-Q2會有一輪漲價。手機、PC相關領域需求減弱，新能源、光伏、通訊、電源、服務器的需求在走強，缺貨的領域沒有放緩跡象。訂單角度，海外產商交期還在拉長，MOS需求最緊的在30周以上，對應儲能、電動車、服務器等，100v以下和650V以上的在20-30周。IGBT 交期100周以上都有，現在下單拿貨都在23年以后，現在出貨都是一年前下的單（交期50周）。
展開 
功率半導體IGBT主要分類與QA
A：取決于兩點，從它本身產品而言，它最早做 IGBT 采用平面型的結構，IGBT 的輸出效率會比較低，如果是這種產品估計不會有很多商家接受，但它近一兩年也在不同產品的更新迭代，現在也有待大家拭目以待的 IGBT 半導體可以量產，現在還是要打一個問號，還要取決于比亞迪半導體自己的銷售策略，早幾年并沒有面向外面去做市場化。
Q：有關安世半導體? 安世在中低壓的產能做得好一些，預判未來一兩年和競爭對手對比情況怎么樣，怎么評價未來的增速？
A：安世半導體被聞泰收購，集中在模擬小信號的器件，和 IGBT 的產品有差異，安世最強的還是邏輯器件，被收入之后還是一個增長的勢頭，包括對渠道商、代理商的整合，整體操作的行業，銷售的規范度比以前還不夠。
安世個人認為是比較優秀的一家公司，公司的歷史、技術和市場積累都足夠優秀，在應用方向上安世在整個汽車領域是有成熟的應用和歷史的積累，安世不需要做其他方面做耗時間的準備工作，自己產品線拉得夠長，很多類的小功率器件等都是屬于小信號鏈，產品覆蓋面夠廣，很多客戶從他身上可以做到一個資源的整合。很多客戶對安世也是比較認可的態度，今年遇到缺貨，安世整個供貨產能還是不足。
Q：對三安的碳化硅的理解？
A：三安起先不做碳化硅，三安光電更多集中在 LED 的范疇，后期做碳化硅，本身有碳化硅很多技術和材料的積累，近幾年成立了獨立的事業部，產品推出速度挺快的，三安的碳化硅產品主要集中在碳化硅二極管，銷售額的主要來源還是來自于老三樣，光伏綠電、充電樁和車載的充電機。二極管占了絕大多數的份額，90%左右，小部分來自于碳化硅 MOS，是個門檻，因為碳化硅 MOS 本身的技術工藝，還有種種原因會制約國內廠商在碳化硅 MOS 管的發展速度，產品口碑還是來源于性價比。
展開 全球功率半導體IGBT企業20強
中車時代電氣秉承“雙高雙效”高速牽引管理模式，堅持“同心多元化”發展戰略，圍繞技術與市場，形成了“基礎器件+裝置與系統+整機與工程”的完整產業鏈結構，產業涉及高鐵、機車、城軌、軌道工程機械、通信信號、大功率半導體、傳感器、海工裝備、新能源汽車、環保、通用變頻器等多個領域，業務遍及全球20多個國家和地區，與國內外多家知名企業建立了良好的合作關系，具有廣闊的發展空間和前景。
13. 華微電子
吉林華微電子股份有限公司坐落在吉林高新技術產業開發區，為國家級重點高新技術企業，并被確立為國家級企業技術中心、國家博士后科研工作站。華微電子是集功率半導體器件設計研發、芯片加工、封裝測試及產品營銷為一體的高新技術企業。經科技部、中科院等國家機構論證，被列為國家級企業技術中心、國家博士后科研工作站、國家創新型企業。
展開 JCMSuite應用-高功率半導體激光器
在本教程項目中，我們研究了加熱對實際二極管激光器模式輪廓的影響，即熱透鏡。溫度的變化會引起材料折射率的變化。這當然會影響波導模式的形狀和傳播常數。通常加熱會增加折射率，從而導致模式的橫向壓縮.
下圖是我們分析的超大型光波導激光器的截面：
二極管激光器由一個pn-結組成。用于激光模式的橫向波導是由蝕刻在結構中的兩個溝槽形成的。橫截面是由布局文件中的一些平行四邊形設置的.
熱傳導項目
為了研究溫度對傳播模式的影響，我們首先必須確定設備內的溫度分布。相應的項目文件位于單獨的子文件夾“heat”中。溫度分布的長度尺度當然比光學分布圖大得多。此外，還必須考慮設備，散熱器等的整體安裝。因此，我們增加了用于溫度模擬的布局尺寸:
熱問題和傳播模式問題的布局在基本文件夾中只在計算域的大小上不同，它裁剪所有其他定義的平行四邊形。此外，在熱布局中，我們有一個額外的平行四邊形，用來定義溝槽之間熱源的位置
在源文件中定義了以下熱源:為DomainId=1000的平行四邊形分配一個空間均勻的熱源，并為邊界指定溫度源.
熱模擬的邊界條件為:
固定的邊界條件對給定的溫度設置了溫度分布并模擬了散熱器。輻射邊界條件是熱模擬的開邊界條件，并模擬了到無限環境熱輻射。在源文件中定義了邊界的相應溫度。
在給定熱源下所得到的溫度分布如下所示:
對于熱模擬，自適應網格細化也是可用的，自適應網格細化可以清晰地細化溫度場解顯示出最顯著特征的網格.
熱效應與光學模擬的耦合
溫度升高對光學模擬的物理影響是通過折射率的變化來模擬的。JCMsuite提供了對材料文件中定義的介電常數的熱光學校正，計算出的基本模態如下所示:
項目定義使用了基本傳播模式示例中的標準設置
展開 JCMSuite應用-高功率半導體激光器
在本教程項目中，我們研究了加熱對實際二極管激光器模式輪廓的影響，即熱透鏡。溫度的變化會引起材料折射率的變化。這當然會影響波導模式的形狀和傳播常數。通常加熱會增加折射率，從而導致模式的橫向壓縮.
下圖是我們分析的超大型光波導激光器的截面：
二極管激光器由一個pn-結組成。用于激光模式的橫向波導是由蝕刻在結構中的兩個溝槽形成的。橫截面是由布局文件中的一些平行四邊形設置的.
熱傳導項目
為了研究溫度對傳播模式的影響，我們首先必須確定設備內的溫度分布。 相應的項目文件位于單獨的子文件夾“heat”中。 溫度分布的長度尺度當然比光學分布圖大得多。 此外，還必須考慮設備，散熱器等的整體安裝。 因此，我們增加了用于溫度模擬的布局尺寸:
熱問題和傳播模式問題的布局在基本文件夾中只在計算域的大小上不同，它裁剪所有其他定義的平行四邊形。此外，在熱布局中，我們有一個額外的平行四邊形，用來定義溝槽之間熱源的位置
在源文件中定義了以下熱源:為DomainId=1000的平行四邊形分配一個空間均勻的熱源，并為邊界指定溫度源.
熱模擬的邊界條件為:
固定的邊界條件對給定的溫度設置了溫度分布并模擬了散熱器。輻射邊界條件是熱模擬的開邊界條件，并模擬了到無限環境熱輻射。在源文件中定義了邊界的相應溫度。
在給定熱源下所得到的溫度分布如下所示:
對于熱模擬，自適應網格細化也是可用的，自適應網格細化可以清晰地細化溫度場解顯示出最顯著特征的網格.
熱效應與光學模擬的耦合
溫度升高對光學模擬的物理影響是通過折射率的變化來模擬的。JCMsuite提供了對材料文件中定義的介電常數的熱光學校正，計算出的基本模態如下所示:
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