3D IC的案例
Ansys | 3D-IC設(shè)計：芯片集成的創(chuàng)新方法
正是這些瓶頸，促使設(shè)計人員轉(zhuǎn)向更具革命性的3D-IC設(shè)計。與傳統(tǒng)的2D-IC相比，3D-IC具有多重優(yōu)勢：性能更高、功耗更低、外形更小，同時支持異構(gòu)集成，空間利用率和電氣性能都得到提升。
3D-IC的實現(xiàn)依賴于硅中介和TSV。硅中介是一層薄硅片，作為多個裸片（芯片）的公共基板，通過微凸塊和垂直TSV實現(xiàn)芯片間的高密度互連。相比2D-IC，這種結(jié)構(gòu)帶來了更好的散熱、更低的功耗、更高的集成密度和更優(yōu)的電氣特性。
3D-IC設(shè)計面臨的多物理場挑戰(zhàn)
盡管3D-IC優(yōu)勢突出，但其復雜的堆疊結(jié)構(gòu)和密集的互連也引入了一系列多物理場挑戰(zhàn)——即多種物理現(xiàn)象相互交織、相互影響的問題，主要包括傳熱、電遷移、應(yīng)力應(yīng)變和熱膨脹。
熱膨脹與應(yīng)力翹曲
3D-IC中使用了多種材料（硅、金屬、介質(zhì)等），它們的熱膨脹系數(shù)不同。當溫度變化時，各層材料膨脹幅度不一，會產(chǎn)生機械應(yīng)力和翹曲，影響芯片性能和可靠性。
多芯片3D-IC系統(tǒng)中的熱分布
傳熱與自熱效應(yīng)
由于晶體管和其他元件密度極高，且多層堆疊，熱量難以散出，大量熱能滯留在系統(tǒng)內(nèi)部，導致溫度升高，這種現(xiàn)象稱為自熱。此外，3D-IC中包含數(shù)十億個元件，通過長互連線相連，這些連線在電流通過時產(chǎn)生的焦耳熱進一步推高溫度。因此，設(shè)計時必須對熱源進行精確監(jiān)控和分析，確保芯片可靠運行。
電遷移
電遷移是指電子在導體中運動時，與金屬原子發(fā)生動量交換，導致原子逐漸遷移，形成空洞或小丘，最終造成電路斷路或短路。由于3D-IC中電流密度高、結(jié)構(gòu)緊湊，電遷移風險尤為突出，必須通過可靠性驗證來防范。
電源與信號完整性電源完整性（PI）和信號完整性（SI）始終是IC設(shè)計的核心問題。
展開 科普時刻 | 3D-IC設(shè)計：芯片集成的創(chuàng)新方法
上述局限性，促使設(shè)計人員采用更具革命性的方法：3D-IC設(shè)計。與傳統(tǒng)的2D-IC設(shè)計相比，這種方法具有多種優(yōu)勢，包括提高性能、降低功耗和縮小外形尺寸。此外，相較于2D-IC，3D-IC設(shè)計技術(shù)還可實現(xiàn)異構(gòu)集成，更高效地利用空間并提高電氣性能。
3D-IC使用硅中介（silicon interposer）和TSV，以便在不同IP之間實現(xiàn)更好的連接。硅中介是一種用于2.5D和3D-IC設(shè)計的薄硅晶片，可以在單個封裝中連接多個裸片或芯片。它可作為放置芯片的基板，并使用較小間距垂直TSV和微突進行連接。與傳統(tǒng)的2D-IC相比，這可以實現(xiàn)更好的散熱、更低的功耗、更高的密度和更出色的電氣性能。
3D-IC的設(shè)計挑戰(zhàn)
3D-IC設(shè)計面臨一些多物理場挑戰(zhàn)，包括傳熱、電遷移、應(yīng)力和應(yīng)變以及熱膨脹。這些挑戰(zhàn)是由于3D-IC的復雜性和互聯(lián)性而產(chǎn)生的，其中多個芯片相互堆疊，并使用TSV和微突進行連接。
熱膨脹也是3D-IC設(shè)計中的一項挑戰(zhàn)。隨著IC溫度的變化，IC中使用的不同材料將以不同的速率膨脹，從而導致應(yīng)力和翹曲，影響其性能和可靠性。傳熱會使3D-IC設(shè)計中的溫度分布進一步復雜化。由于晶體管和其他組件的高密度，3D-IC中的傳熱變得非常困難。大多數(shù)熱量都滯留在系統(tǒng)中，導致溫度升高。這種現(xiàn)象被稱為自熱。3D-IC由數(shù)十億個組件組成，這些組件通過較長的互連線連接。這些長連接產(chǎn)生的焦耳熱，是導致整體溫度升高的另一個主要因素。在設(shè)計3D-IC時，必須對這些熱源進行監(jiān)控和分析，以確保可靠的性能。
Ansys Redhawk-SC Electrothermal提供了一種黃金標準技術(shù)，用于進行使用硅中介的3D-IC設(shè)計的熱行為仿真和檢查。您可以輕松地對3D-IC設(shè)計（包括硅中介）的幾何結(jié)構(gòu)和材料屬性進行建模，并對設(shè)計中的傳熱進行仿真。
展開 Ansys進入EDA廠商第一梯隊，這對3D-IC意味著什么？
但是為了獲得這些優(yōu)勢，3D-IC設(shè)計人員必須解決伴隨多芯片共同設(shè)計及互聯(lián)高級封裝而來的復雜性顯著增加問題。與傳統(tǒng)單芯片設(shè)計相比，必須分析和控制更多的物理效應(yīng)，這就需要廣泛的物理仿真分析工具，以應(yīng)對多物理場帶來的爆發(fā)性復雜性。
Ansys運用其多年積累的豐富多物理場仿真經(jīng)驗，結(jié)合最新的Redhawk-SC和Totem功能，以支持3D-IC電源完整性方面的進步，以行業(yè)領(lǐng)導者的姿態(tài)迎接這些挑戰(zhàn)。這包括專門用于解決3D-IC設(shè)計的熱完整性和高速完整性挑戰(zhàn)的全新功能，如RedHawk-SC Electrothermal。
在過去幾年里，Ansys因其在EDA設(shè)計流程中發(fā)揮的關(guān)鍵作用，獲得臺積電的官方認證。2020年，Ansys憑借其先進的半導體設(shè)計解決方案，成功通過臺積電高速CoWoS（晶圓基底芯片）和InFO（集成扇出型）2. 5D與3D封裝技術(shù)的早期認證。還與臺積電的持續(xù)成功合作，實現(xiàn)了面向3D-IC設(shè)計的層級熱分析解決方案。在最近的一次合作中，Ansys Redhawk-SC和Totem通過了臺積電最新N3E和N4P工藝技術(shù)的簽核認證。還有先進工藝、多裸片先進封裝和高速設(shè)計等領(lǐng)域的合作，也已獲得三星和GlobalFoundries的認證。Ansys甚至超越了代工廠簽核和認證范疇，定義了集成這些工具的參考流程，如臺積電N6射頻（RF）設(shè)計參考流程。
展開 Ansys攜手臺積電和微軟加速機械應(yīng)力仿真，基于云技術(shù)實現(xiàn)3D-IC可靠性
<p><strong>該聯(lián)合解決方案為分析2.5D/3D-IC多芯片系統(tǒng)中的機械應(yīng)力提供快速、高容量的云解決方案，以提高產(chǎn)品可靠性</strong></p><p><br></p><p><strong>主要亮點</strong></p><ul><li>管理熱機械應(yīng)力對于3D-IC的可靠性和魯棒性至關(guān)重要</li><li>Ansys與臺積電和微軟展開合作，為分析采用臺積電3DFabric技術(shù)的多芯片設(shè)計中的機械應(yīng)力提供快速、高容量的解決方案</li><li>Ansys Mechanical?能夠仿真大型3D集成電路中的應(yīng)力，且具有預測準確性，可以助力客戶獲得穩(wěn)健可靠的產(chǎn)品</li></ul><p> </p><p>Ansys與臺積電（TSMC）和微軟（Microsoft）展開合作，驗證了一項聯(lián)合解決方案，該方案用于分析采用臺積電3DFabric?先進封裝技術(shù)的多芯片3D-IC系統(tǒng)中的機械應(yīng)力。該聯(lián)合解決方案使客戶能更有信心地滿足新的多物理場要求，從而提高采用臺積電3DFabric的先進設(shè)計的功能可靠性。3DFabric是臺積電綜合全面的3D芯片堆疊與先進封裝技術(shù)產(chǎn)品系列。</p><p><br></p><p>Ansys Mechanical是行業(yè)領(lǐng)先的有限元分析軟件，用于仿真3D-IC中熱梯度引起的機械應(yīng)力。該解決方案流程已被證明可在Microsoft Azure上高效運行，有助于確保在當今高度大型和復雜的2.5D/3D-IC系統(tǒng)中實現(xiàn)快速的周轉(zhuǎn)時間。</p><p><br></p><p>3D-IC系統(tǒng)通常具有較大的溫度梯度，由于熱膨脹差，會導致組件之間產(chǎn)生強烈的機械應(yīng)力。這些應(yīng)力會導致各種元件之間的連接發(fā)生斷裂或錯位，并降低3D-IC裝配體的可靠壽命。而隨著半導體系統(tǒng)的規(guī)模和復雜性的增加，會更難以有效地對其進行分析。
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客戶案例 | 臺積電通過集成AI技術(shù)加速3D-IC設(shè)計，進一步擴大與Ansys的合作
Ansys AI技術(shù)可提高3D-IC設(shè)計的生產(chǎn)力，而更廣泛的合作則推動了面向AI、HPC和高速數(shù)據(jù)通信半導體的創(chuàng)新3D-IC熱、機械應(yīng)力和光子解決方案發(fā)展
主要亮點
在設(shè)計3D集成電路（IC）組件時，Ansys人工智能（AI）驅(qū)動的解決方案表現(xiàn)出更高的生產(chǎn)力，并為關(guān)鍵任務(wù)提供無縫自動化
Ansys多物理場平臺，可支持臺積電客戶對不斷發(fā)展的3D-IC設(shè)計的可靠性分析需求
Ansys與臺積電攜手合作，為臺積電用于光學數(shù)據(jù)通信的緊湊型通用光子引擎（COUPE）開發(fā)了綜合全面的多物理場分析工作流程
近期，Ansys與臺積電擴大合作范圍，利用AI推進3D-IC設(shè)計，并為更廣泛的先進半導體技術(shù)開發(fā)新一代多物理場解決方案。兩家公司共同開發(fā)了新的工作流程，用于分析3D-IC、光子、電磁（EM）和射頻（RF）設(shè)計，該流程可以實現(xiàn)更高的生產(chǎn)力。這些功能對于為高性能計算（HPC）、AI、數(shù)據(jù)中心連接和無線通信領(lǐng)域打造全球領(lǐng)先的半導體產(chǎn)品至關(guān)重要。
利用AI提高生產(chǎn)力
創(chuàng)建正確的3D-IC設(shè)計，以優(yōu)化熱和電氣效應(yīng)（例如通道剖面），需要大量耗時的設(shè)計流程。為了最大限度地減少這種限制，設(shè)計人員使用Ansys optiSLang?流程集成和優(yōu)化軟件，通過自動化來快速確定最佳設(shè)計配置。通過將optiSLang和用于設(shè)計分析和建模的Ansys RaptorX?芯片優(yōu)化電磁求解器盡早集成到計流程中，該解決方案減少了電磁仿真次數(shù)，并展示了協(xié)同優(yōu)化的通道設(shè)計。這不僅節(jié)省了時間，還降低了設(shè)計成本并加快了產(chǎn)品上市進程。
此外，臺積電、Ansys和Synopsys繼續(xù)開展長期合作，確保為客戶提供卓越的技術(shù)解決方案。
展開 客戶案例 | 智原科技利用Ansys多物理場分析增強3D-IC設(shè)計服務(wù)
Ansys經(jīng)過認證的半導體解決方案將幫助智原科技縮短2.5D/3D-IC的設(shè)計周期，并確保設(shè)計符合信號完整性和性能目標
主要亮點
智原科技將使用Ansys RaptorX?片上電磁（EM）建模解決方案來增強2.5D/3D集成電路（IC）的先進封裝設(shè)計開發(fā)
Ansys解決方案將幫助智原科技優(yōu)化其硅中介和多芯片設(shè)計（Multi-die Design），從而支持更出色的內(nèi)存帶寬、信號完整性和終端應(yīng)用性能
近期，半導體行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)智原科技（Faraday Technology Corporation）正在進一步擴大其應(yīng)用Ansys技術(shù)的范圍，以增強其開發(fā)多芯片2.5D/3D-IC先進設(shè)計的能力，這對于人工智能（AI）、IoT和5G應(yīng)用至關(guān)重要。在Ansys的支持下，智原科技將能夠幫助其客戶探索更可靠的設(shè)計選項，以實現(xiàn)更具創(chuàng)新性的產(chǎn)品。
作為一家領(lǐng)先的專用集成電路（ASIC）設(shè)計服務(wù)和IP提供商，智原科技致力于為客戶的芯片設(shè)計項目提供支持。近期，智原科技推出了2.5D/3D-IC先進封裝服務(wù)，以滿足行業(yè)對多芯片設(shè)計的爆發(fā)式需求，旨在實現(xiàn)性能更佳、功耗更低的產(chǎn)品。為滿足上述需求，工程師需要使用合適的多物理場分析工具，以在制造之前驗證芯片設(shè)計是否具備可靠的信號和結(jié)構(gòu)完整性以及可靠的配電。另一方面，開發(fā)更易受EM問題影響的更高密度芯片的趨勢，又加劇了這一挑戰(zhàn)。
通過在設(shè)計流程中引入RaptorX，智原科技將能夠提高其開發(fā)流程的精度和效率。此外，還可實現(xiàn)先進3D-IC產(chǎn)品的預測準確性EM建模和分析，確保數(shù)據(jù)傳輸符合嚴格的現(xiàn)代標準。這將提高設(shè)計的保真度，提高性能和可靠性，并加速產(chǎn)品上市進程。
智原科技研發(fā)副總裁C.H. Chien表示：“我們廣泛的芯片IP能夠為我們的客戶開展設(shè)計奠定堅實的基礎(chǔ)，使他們能夠?qū)Ｗ⒂趧?chuàng)新，并在市場中脫穎而出。
展開 【Ansys線上直播回看】Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享
『點擊觀看直播回放』
2.5D/3D IC相比較傳統(tǒng)IC具有更高的功能密度。通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術(shù)的組合，實現(xiàn)很高的功能密度，具有明顯的系統(tǒng)優(yōu)勢，由于2.5D/3D IC設(shè)計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應(yīng)，5月26日下午4點，【Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享】網(wǎng)絡(luò)研討會即將開播，本次網(wǎng)絡(luò)研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設(shè)計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設(shè)計的全新解決方案。
此次網(wǎng)絡(luò)直播吸引了眾多觀眾在線觀看，在會后我們也陸續(xù)收到在線觀眾以及其他用戶前來詢問，在此附上本場網(wǎng)絡(luò)直播錄播內(nèi)容，供大家回看學習。
▼▼▼2020 Ansys網(wǎng)絡(luò)研討會有獎反饋 - 可免費獲取本場錄播和講解資料，參與者均可獲得千元培訓券及技術(shù)鄰金幣獎勵！
關(guān)于Simulation World
Simulation World是一場面向全球觀眾且為免費的在線虛擬盛會，將于2020年6月10日-11日舉行，屆時，來自Ansys，客戶和合作伙伴多名演講者將在此發(fā)表主題演講。內(nèi)容涵蓋自動駕駛、電氣化、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及后疫情時代的數(shù)字化轉(zhuǎn)型等前沿趨勢探討，Ansys合作伙伴也將在其冠名的虛擬展廳中展示相關(guān)解決方案。立即掃碼報名！
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2.5D/3D IC通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術(shù)的組合，實現(xiàn)很高的功能密度，具有明顯的系統(tǒng)優(yōu)勢。由于2.5D/3D IC設(shè)計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應(yīng)，本次網(wǎng)絡(luò)研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設(shè)計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設(shè)計的全新解決方案。
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越來越多的企業(yè)在整個產(chǎn)品生命周期中融入前沿的ANSYS仿真技術(shù)，加速企業(yè)創(chuàng)新與實現(xiàn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。近期發(fā)布的ANSYS 2020 R1帶來全新升級的功能，同時上線新一季為大家精心打造的“30天密集學習計劃”，進一步了解ANSYS前沿仿真技術(shù)和行業(yè)應(yīng)用。
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展開 5/26 Ansys 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享
簡介：
2.5D/3D IC相比較傳統(tǒng)IC具有更高的功能密度。通過包含鍵合、倒裝、堆疊、Interposer和RDL再布線層等技術(shù)的組合，實現(xiàn)很高的功能密度，具有明顯的系統(tǒng)優(yōu)勢，由于2.5D/3D IC設(shè)計的復雜性，需要用三維電磁場工具精確抽取片上和封裝的三維電磁寄生效應(yīng)，本次網(wǎng)絡(luò)研討會基于HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設(shè)計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設(shè)計的全新解決方案。
時間：
2020/05/26 16:00~17:00
報名方式：
點擊鏈接報名：http://event.31huiyi.com/1854380366/index?c=jishulink
展開 Moldex3D模流分析之使用IC模組
為了預測IC芯片在封裝過程中受到環(huán)氧樹脂流動所造成的金線偏移量值與行為，Moldex3D IC 封裝模塊 目前設(shè)定Moldex3D線性求解器作為默認方式；因為線性仿真能夠快速進行小變形分析，加速取得金線偏移結(jié)果。然而目前常見的重點分析案例，金線偏移都是基于大變形的結(jié)果，故使用線性分析的結(jié)果值，容易高估整體變形量。因此Moldex3D新增了支持非線性分析選項，用以改善金線偏移預測并獲得更準確的結(jié)果。
使用Moldex3D IC 封裝模塊 ，金線偏移分析可分為兩種，即支持外部ANSYS和ABAQUS兩種應(yīng)力分析求解器，針對幾何非線性及材料非線性的偏移計算。若使用內(nèi)部Moldex3D的求解，目前已新增考慮幾何非線性的計算，但對于材料特性仍是線性計算。各種金線分析的求解器可支持線性與非線性分析狀況如下表所示。接下來我們也針對Moldex3D求解器進行非線性的金線偏移分析的操作流程和驗證結(jié)果，提出更進一步的分析結(jié)果比對。
各種應(yīng)力求解器對應(yīng)金線偏移分析支持項目
Moldex3D求解器金線偏移非線性計算設(shè)定流程
步驟1：使用IC模塊在計算參數(shù)設(shè)定中，在封裝分頁下選擇應(yīng)力求解器為Moldex3D。
步驟2：在金線偏移分析下的幾何字段選取非線性，并在最下方點選確認完成計算參數(shù)設(shè)定。
步驟3：在所有設(shè)定完成后啟動分析順序設(shè)定，并先確保已完成充填分析后，再接續(xù)進行金線偏移分析。單擊開始分析立刻執(zhí)行計算。
注意：需要先有充填分析結(jié)果，才能進行金線偏移分析
驗證與結(jié)果分析
透過ANSYS和Moldex3D兩種非線性應(yīng)力求解器分析結(jié)果發(fā)現(xiàn)，結(jié)果項中金線偏移量值與分布，無論使用哪一求解器，都具有良好且一致的偏移結(jié)果。這也意味著金線偏移在大變形影響下，主要受到幾何非線性影響較為明顯。
展開 Moldex3D模流分析之3D IC組件
對于IC封裝模擬而言，手動建立網(wǎng)格模型十分耗時，更不用說復雜結(jié)構(gòu)的網(wǎng)格。Moldex3D Studio提供了自動建構(gòu)網(wǎng)格技術(shù)，幫助使用者將2D圖面設(shè)計直接自動生成實體網(wǎng)格，此項技術(shù)降低前處理的時間成本，讓使用者更容易執(zhí)行網(wǎng)格劃分。
而在使用自動混和網(wǎng)格功能前，用戶應(yīng)先準備包含尺寸與位置的2D草圖，藉由Studio的封裝組件精靈定義圖面屬性、高度等等相關(guān)信息，從而將2D圖面轉(zhuǎn)為3D的IC組件，接著在網(wǎng)格生成的步驟中，針對一系列的參數(shù)設(shè)定，使用封裝實體網(wǎng)格精靈以生成各組件細小的實體網(wǎng)格，以下說明自動網(wǎng)格建模流程：
1.以曲線繪制2D草圖
在Studio建立新項目，選擇Solid網(wǎng)格與封裝制程以開啟后續(xù)對應(yīng)的功能，接著建立2D草圖，方法有兩種：點選匯入幾何以匯入IGS檔案或使用工具頁簽繪制特征線，包含芯片、溢流區(qū)等組件。
注：確保每個組件的特征線皆是封閉曲線
2.建立基底平面
Moldex3D支持曲線或面（基底平面）定義的2D圖面以簡化生成組件的流程。在基底平面模式中，使用裁切平面功能將所選擇的封閉曲線生成基底平面。基底平面的建立能夠修改表面網(wǎng)格，以方便使用者后續(xù)在精靈中建立組件。
注：封裝組件精靈支持由CSV文件(包含錫球位置與直徑等數(shù)據(jù))建立大量的錫球組件模型，用戶需要以萃取邊曲線和設(shè)定XYZ坐標工具在Z平面上建立其2D草圖。
3.以基底平面建立IC組件
在封裝組件精靈中選取目標面，并設(shè)定屬性、材料群組、厚度與Z軸位置，設(shè)定完后點選存盤即可創(chuàng)建組件，然后進行下一個組件的設(shè)定。
完成所有IC組件的設(shè)定后即可使用自動生成混合網(wǎng)格功能，在使用此功能前，用戶可以自行增加、刪除或編輯組件設(shè)定。
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行業(yè)熱點丨SimLab解決方案如何高效應(yīng)對3D IC多物理場與ECAD建模挑戰(zhàn)？
半導體行業(yè)正快速超越傳統(tǒng)2D封裝技術(shù)，積極采用 3D集成電路（3D ICs）和2.5D 先進封裝等方案。這些技術(shù)通過異構(gòu)芯粒、硅中介層和復雜多層布線實現(xiàn)更高性能與集成度。然而，由于電子計算機輔助設(shè)計（ECAD）數(shù)據(jù)規(guī)模龐大且結(jié)構(gòu)復雜，這種技術(shù)演進給建模、仿真和可靠性評估帶來了重大挑戰(zhàn)。
01現(xiàn)代 ECAD 模型日益增長的復雜性
現(xiàn)代 IC 封裝在多層布線中涉及數(shù)千條網(wǎng)絡(luò)，并采用多種具有不同物理特性的材料，導致 ECAD 數(shù)據(jù)集極為龐大，難以管理與分析。3D 存儲立方體和堆疊芯片封裝中的高密度布線及緊湊布局，還帶來了更高的功率密度和機械應(yīng)力。設(shè)計人員面臨熱應(yīng)力、分層、芯片翹曲和焊料疲勞等問題，這些都可能嚴重影響封裝的可靠性。傳統(tǒng)仿真工具難以高效處理此類精細模型，往往需要過長的運行時間，限制了早期設(shè)計探索的空間。
02多物理場仿真面臨的挑戰(zhàn)
大規(guī)模 3D IC 封裝的多物理場仿真存在多重技術(shù)難點。首先，ECAD 數(shù)據(jù)的體量和復雜性對現(xiàn)有工具的模型導入與處理能力形成巨大壓力。精確分析需要耦合熱、機械、疲勞和電磁等多重物理效應(yīng)，同時還需處理異質(zhì)材料和薄層幾何結(jié)構(gòu)。盡管全局精細網(wǎng)格劃分會帶來高昂的計算成本，但在關(guān)鍵區(qū)域仍不可或缺。此外，向系統(tǒng)級布局規(guī)劃和異質(zhì)集成的轉(zhuǎn)型，也要求傳統(tǒng) EDA 工具尚未完全支持的新型工作流程。
03Altair SimLab 的突破性解決方案
Altair SimLab 通過專為大規(guī)模 ECAD 模型設(shè)計的革命性多物理場仿真環(huán)境，有效應(yīng)對上述挑戰(zhàn)。該解決方案具備以下創(chuàng)新特性：
1.高效模型處理能力
將模型導入時間從數(shù)小時縮短至分鐘級，使常規(guī)桌面硬件即可完成精細仿真。
2.智能金屬映射技術(shù)
基于金屬與介電質(zhì)的體積含量計算等效材料屬性，將精密布線結(jié)構(gòu)簡化為有效的連續(xù)材料表征，同時保持仿真精度。
展開 Ansys攜手臺積電推出面向3D-IC設(shè)計的熱分析解決方案
Ansys RedHawk-SC Electrothermal是一款用于求解2.5D/3D多芯片IC系統(tǒng)的多物理場電源完整性、信號完整性和熱方程的仿真軟件產(chǎn)品。Ansys RedHawk-SC是一款用于半導體設(shè)計的電源完整性和可靠性分析工具，經(jīng)臺積電認證，可對所有FinFET工藝節(jié)點（包括最新的4nm和3nm）進行簽核。
Ansys副總裁兼電子與半導體事業(yè)部總經(jīng)理John Lee指出：“Ansys認為，3D-IC技術(shù)的普及將為半導體行業(yè)以及我們的客戶帶來巨大利益。我們將一如既往地與臺積電攜手合作，提供與臺積電先進3DFabric技術(shù)緊密結(jié)合并由其驗證的多物理場仿真平臺。”
展開 Ansys攜手臺積電推出面向3D-IC設(shè)計的熱分析解決方案
Ansys RedHawk-SC Electrothermal是一款用于求解2.5D/3D多芯片IC系統(tǒng)的多物理場電源完整性、信號完整性和熱方程的仿真軟件產(chǎn)品。Ansys RedHawk-SC是一款用于半導體設(shè)計的電源完整性和可靠性分析工具，經(jīng)臺積電認證，可對所有FinFET工藝節(jié)點（包括最新的4nm和3nm）進行簽核。
Ansys副總裁兼電子與半導體事業(yè)部總經(jīng)理John Lee指出：“Ansys認為，3D-IC技術(shù)的普及將為半導體行業(yè)以及我們的客戶帶來巨大利益。我們將一如既往地與臺積電攜手合作，提供與臺積電先進3DFabric技術(shù)緊密結(jié)合并由其驗證的多物理場仿真平臺。”
展開 官方免費 | 2.5D/3D IC封裝仿真分析案例分享
直播簡介
HFSS最新推出的2.5D/3D封裝仿真流程，幫助設(shè)計者完成GDS導入，interposer模型處理及3D全波仿真等過程，充分了解和體驗HFSS針對2.5D/3D IC設(shè)計的全新解決方案。
適宜人群
半導體行業(yè)客戶，包含芯片、封裝設(shè)計人員
時間安排
2020年2月21日 16：00
講師簡介
褚正浩
主任工程師
于2012年加入ANSYS，有多年的高速信號及電源完整性設(shè)計經(jīng)驗，目前主要負責ANSYS中國High-tech行業(yè)的技術(shù)方案規(guī)劃，為ANSYS的客戶提供信號完整性、電源完整性、電磁兼容方面的技術(shù)支持。在加入ANSYS之前，曾在Cadence-Sigrity公司以技術(shù)支持工程師的身份負責北方區(qū)客戶的信號完整性、電源完整性的技術(shù)支持。
報名方式
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