隔離技術的案例
域控軟件安全隔離關鍵技術剖析：MCU域 VS SOC域
那為什么MMU可以實現進程級隔離呢？
因為MMU的翻譯是基于頁表進行的，頁表記錄了進程虛擬頁到物理頁的映射。操作系統為不同的進程分配的不同的頁表起始地址，存儲在對應寄存器中。當MMU翻譯地址時，根據頁表起始地址加偏移量定位到具體的頁表項，進而完成地址翻譯。不難看出，這種機制使得進程擁有天然隔離的零散的地址空間。
圖4 MMU工作原理
安全隔離小結
安全隔離的底層原理是避免軟件對內存的不合理訪問，以滿足功能安全要求。硬件層面上，有MPU、MMU這樣的硬件進行程序內存空間的保護和約束；軟件層面上，容器化技術和虛擬化技術也能幫助用戶制定更靈活的隔離策略。但并不是說實現了這些安全隔離機制就等于完全滿足了安全隔離需求，還需要結合軟件和系統的正確設計來共同達成目標。
經緯恒潤功能安全團隊成立于2008年，系國內較早從事功能安全技術研究的團隊。作為功能安全、預期功能安全國家標準委員會成員，經緯恒潤的研發流程、生產流程已通過功能安全開發過程認證，功能安全開發過程達到ASIL-D，相關產品已成功服務于近百家國內外整車及零部件企業。
經緯恒潤功能安全軟件團隊可提供功能安全軟件開發技術咨詢服務，包括功能安全軟件階段流程/產品咨詢、L2監控算法開發集成和L3安全機制（安全通信、隔離、監控、執行和芯片AOU）的開發集成，控制器覆蓋動力域、底盤域、智駕域和車身域等。
未來，經緯恒潤將緊跟行業發展趨勢和市場需求，結合自身汽車電子產品研發和國內外咨詢實踐，一如既往地堅持自主創新道路，為智能汽車安全保駕護航。
了解更多：請致電 010-64840808轉6117或發郵件至market_dept@hirain.com（聯系時請說明來自技術鄰）
展開 技術文章｜如何設計可靠性更高、尺寸更小、成本更低的高電壓系統解決方案
本文將介紹如何利用全新隔離技術來保證這些高電壓系統的安全，從而提高可靠性，同時縮小解決方案尺寸并降低成本。
隔離方法
集成電路 (IC) 實現隔離的方式是阻斷直流和低頻交流電流，而允許電源、模擬信號或高速數字信號通過隔離柵傳輸。圖 1 展示了三種用于實現隔離的常用半導體技術：光學（光耦合器）、電場信號傳輸（電容式）和磁場耦合（變壓器）。
(a)
(b)
(c)
圖 1：半導體隔離技術：光耦合器 (a)；
電容式 (b)；變壓器 (c)
TI 利用電容隔離技術和專有集成平面變壓器（磁隔離），以及先進的封裝和工藝技術，力求提升我們大型且品類齊全的隔離式 IC 產品系列的可靠性、集成度和性能。
電容隔離
電容隔離技術基于穿過電介質的交流信號傳輸。TI 的電容隔離器使用介電強度很高的 SiO2 電介質構建。因為 SiO2 為無機材料，所以在不同濕度和溫度條件下都非常穩定。此外，我們專有的多層電容器和多層鈍化方法可降低高電壓性能對任何單層的依賴，從而提高隔離器的質量和可靠性。我們的電容技術支持的工作電壓 (VIOWM) 為 2kVRMS，可承受的隔離電壓 (VISO) 為 7.5kVRMS，并且能夠承受 12.8kVPK 的浪涌電壓。
磁隔離
磁隔離通常用于需要高頻直流/直流電源轉換的應用。IC 變壓器耦合隔離的一個優勢是可以傳輸超過數百毫瓦的功率，通常無需次級側偏置電源。也可以使用磁隔離來發送高頻信號。在需要同時輸送電力和傳輸數據的系統中，您可以使用相同的變壓器繞組線圈來滿足功率和信號需求，如圖 2 所示。
展開 如何實現電源和信號隔離以確保 CAN 總線可靠運行
本文說明了 CAN 故障的潛在原因，并介紹了常見的隔離技術。然后文中介紹了來自 Texas Instruments、RECOM Power、NXP Semiconductors 和 Analog Devices 等供應商的解決方案（設計人員可使用這些解決方案保護 CAN 設備），以及如何有效實施這些解決方案（包括使用評估板）的指導。所提供的解決方案包括分立實施方案（即基于單個 CAN 收發器）以及基于單芯片和雙芯片隔離 CAN 總線設計的集成解決方案。
故障的原因和隔離的必要性
CAN 總線故障可能由多種原因引起：子系統之間的接地電勢差；共模能量和輻射能量等一般噪聲源；以及配電總線上的高壓噪聲和尖峰。為確保汽車和工業系統中 CAN 總線互連器件的穩健運行，需要兩種隔離類型：
與電源總線隔離
連接各子系統的通信總線的隔離
與集成解決方案相比，電源和信號路徑單獨隔離的解決方案通常成本更低，效率更高。這些解決方案還使設計人員能夠獨立優化兩條路徑的隔離電平。設計人員可自由選擇最適合具體應用的隔離技術類型。選擇包括磁隔離、光隔離和電容隔離。有關各種隔離選擇的詳細討論不在本文的討論范圍內，但為了更好地了解，請參閱“如何為物聯網傳感器選擇正確的電隔離技術”。
基本電氣絕緣（使用不允許電流流動的材料）與強化絕緣之間也有區別。所需的絕緣水平取決于所涉及的電壓電平，以及是否存在從可接觸部件到地面的連接。基本絕緣提供一級防電擊保護。電壓大于 60 V DC 或 30 V AC 的系統視為危險系統，需要至少一級保護。系統不一定具有故障保險措施，但任何故障都將限制在系統內。強化或雙重絕緣可提供二級保護。這樣可以在發生故障時確保用戶的安全。
展開 3D成像技術和CMOS傳感器的發展方向簡析
DTI的機制如下（圖9）：Si-SiO2界面可用作隔離墻阻止電子擴散，降低串擾；Si-SiO2組成了類波導結構，將光線限制在硅中，實現了光學隔離，并且延長光在硅中的光程，提高量子效率、降低串擾。與前兩種解決方案相比，DTI結構的隔離效果最為顯著（圖10）。另外，溝槽越深，DTI的隔離性越好，串擾越小。由圖11結果知，DIT的深度一般要超過4μm。
圖9 DTI結構抑制串擾、增加光程的機制
圖10 （a）不同隔離方案量子效率比較，（b）P+注入和DTI隔離后像素的光學特性比較
圖11 串擾和DTI深度的關系
綜上，采用DTI隔離技術在體硅上制備的CMOS傳感器的靈敏度和分辨率最高，目前STM、三星具備采用DTI隔離技術制備CMOS傳感器的能力。
2.4 iPhoneX的近紅外圖像傳感器架構：DTI + SOI襯底
iphoneX中的近紅外CMOS傳感器是由蘋果和STM聯合開發的，器件的截面圖如圖12所示。
下面對該結構像素隔離的方案進行解析：首先，iphoneX采用了DTI隔離技術；另外，與2.3節介紹的體硅隔離不同，iphoneX采用的是SOI襯底。根據圖8和圖12，推測SOI襯底上近紅外圖像傳感器的采用了DTI 與SOI襯底相結合的隔離架構（圖13），該架構的特點是DTI結合SOI襯底的BOX層能夠實像素的全隔離：通過DTI隔離像素間的光學和電學串擾；通過BOX隔離來自襯底的噪聲，隔離金屬污染；DTI和BOX形成了全反射腔，大大增加了有效光程，光捕獲能力增大。因此，該架構能夠提高量子效率、減少串擾，從而大幅提高了近紅外傳感器的靈敏度和分辨率。
展開 
3/15 線上研討會 | 上汽、村田、黑芝麻等多位嘉賓傾情分享，共同推動智駕系統的發展
以硬件設計中的芯片來舉例，智能駕駛芯片的開發本就極為復雜，車規級芯片更是需要經過復雜的測試認證流程，關鍵技術涉及先進封裝、安全機制、核心IP、隔離技術、多芯片高速、低延時互聯架構技術等。
本次研討會首場直播將深入探討智能駕駛領域的挑戰和解決方案，特別聚焦于智駕域控制的硬件設計難點。邀請了包括上汽研發總院智能駕駛中心硬件開發團隊系統經理陳龍、村田電子貿易（上海）有限公司電容產品技術經理周耀俊、黑芝麻智能智能高級產品市場經理額日特、村田電子貿易（上海）有限公司傳感器產品技術副經理王徐崢等業內專家共同參與并作主題分享。通過與會專家分享和交流，我們將探討如何應對技術與產業挑戰，推動智能駕駛系統的發展和應用。
活動議程：
開播時間
2024年3月15日，13:30-16:00
嘉賓
上汽研發總院智能駕駛中心硬件開發團隊系統經理
陳龍
嘉賓
村田中國電容產品技術經理
周耀俊
嘉賓
黑芝麻智能高級產品市場經理
額日特
嘉賓
村田中國傳感器產品技術副經理
王徐崢
展開 JNTC開發出車載顯示曲面玻璃AG蝕刻技術
以硬件設計中的芯片來舉例，智能駕駛芯片的開發本就極為復雜，車規級芯片更是需要經過復雜的測試認證流程，關鍵技術涉及先進封裝、安全機制、核心IP、隔離技術、多芯片高速、低延時互聯架構技術等。
本次研討會首場直播將深入探討智能駕駛領域的挑戰和解決方案，特別聚焦于智駕域控制的硬件設計難點。邀請了包括上汽研發總院智能駕駛中心硬件開發團隊系統經理陳龍、村田電子貿易（上海）有限公司電容產品技術經理周耀俊、黑芝麻智能智能高級產品市場經理額日特、村田電子貿易（上海）有限公司傳感器產品技術副經理王徐崢等業內專家共同參與并作主題分享。通過與會專家分享和交流，我們將探討如何應對技術與產業挑戰，推動智能駕駛系統的發展和應用。
活動議程：
開播時間
2024年3月15日，13:30-16:00
嘉賓
上汽研發總院智能駕駛中心硬件開發團隊系統經理
陳龍
嘉賓
村田電子貿易(上海)有限公司電容產品技術經理
周耀俊
嘉賓
黑芝麻智能高級產品市場經理
額日特
嘉賓
村田電子貿易(上海)有限公司傳感器產品技術副經理
王徐崢
展開 中美航天技術相差10年？可能不止10年，專家指出比想象的大
運載火箭就是能夠將我們制造的各種航天器推向天空的載具，就比如有載人飛船，將人送往太空，因此就運載火箭的技術，是很能代表一個國家的航天技術水平。
而美國則擁有世界最為先進的運載火箭，那就是重型獵鷹運載火箭，重型獵鷹是世界上現役推力最大的運載火箭，近地軌道的運載能力達到了63.8噸，地球同步軌道的運載能力則為26.7噸。
當初在兩次的發射推遲以后，最終在2018年成功發射，自此，成為了世界現役的最大運載火箭，其起飛質量達到了1420.8噸，整體高70米，寬12.2米。
而想要建造這樣的運載火箭并不簡單，是非常具有技術含量的，比如說獵鷹的動力冗余技術，就涉及到了兩大關鍵技術。
1.動力系統故障診斷隔離技術。
2.彈道在線規劃和重構技術。
除此之外，使用的還是多發動機組合，也是目前世界上發動機數量最多的火箭，除此以外還有著更多的核心技術，最終獵鷹誕生了。
而看向我國的長征系列火箭，就說長征-5號，是我國運力最大的運載火箭，長征五號是我國研制的大型低溫液體捆綁式運載火箭，起飛質量為869噸，總長56.97米，具備著近地軌道25噸的運載能力。
有了長征五號以后，確實對我國來說有著很大的意義，為我國成為航天強國，奠定了基礎，讓我國運載火箭的地位有了上升，就拿中國運載火箭低軌和高軌的運載能力來說，都已經是世界第二了。
但是要說近地軌道的載荷能力來說，是排在世界第三，前面的第一第二，所出都是美國，和美國的重型獵鷹相比，我們也能夠看出長征五號的數據，確實有著很大的差距。
由此可見，我們在運載火箭上和美國對比起來，確實有著很大的差距，不過幸好我們也在研制一款能夠領先世界的運載火箭，一旦亮相，那就意味著能夠趕超美國，那就是長征九號。
展開 HDMI信號隔離：光纖vs專用芯片，兩種方案該選誰？
圖3：HDMI信號到數字隔離器 (圖片來源：ADI)
另一個技術選項是使用專用的芯片解決這個問題。比如，使用ADI的ADN4654系列低電壓差分信號（LVDS）數字隔離器。
圖4：HDMI信號到千兆LVDS隔離器 (圖片來源：ADI)
通過利用ADN4654的千兆數據速率，可以降低系統的復雜性，并且僅使用兩片ADN4654即可實現4.4Gbps帶寬。每個設備有兩個通道，總共有四個通道，每個通道上的工作速率可以高達1.1Gbps。
ADN4654 Demo板EVAL-CN0422-EBZ
EVAL-CN0422-EBZ是一塊即插即用的評估板，針對HDMI 1.3a端口，可實現信號隔離。與iCoupler?隔離技術結合在一起，通過絕緣屏障傳輸必要的電源和高速視頻及控制信號。
圖5：ADN4654評估板：EVAL-CN0422-EBZ（圖片來源：ADI）
HDMI 1.3a協議中的視頻數據通過四個TMDS（最小化傳輸差分）通道傳輸：三個數據通道（對應紅綠藍）和一個時鐘通道。每個車道必須單獨隔離。
圖6：HDMI視頻數據通過TMDS通道傳輸
如圖7，雖然TMDS與LVDS（低電壓差分）稍有不同，但可以使用CML（電流模式邏輯），即一些簡單的無源組件來實現與LVDS兼容設備的兼容性。
圖7：使用簡單的無源組件來實現TMDS與LVDS兼容（圖片來源：ADI）
這些無源組件與兩個雙通道千兆ADN4654隔離LVDS收發器結合使用，以隔離四條TMDS通道。可實現高達110MHz的像素時鐘頻率，以60Hz的幀速率支持720p分辨率。
展開 電路板的可靠性設計
為抑制噪聲，應注意輸入與輸出線路的隔離，線路的選擇、配線、器件的布局等問題。輸入信號的處理是抗干擾的重要環節，大量的干擾都是從此侵入的，一般可以從以下幾個方面采取措施：
①接點抖動干擾的抑制；多余的連接線路要盡量短，盡量用相互絞合的屏蔽線作輸入線，以減少連線產生的雜散電容和電感；避免信號線與動力線、數據線與脈沖線接近。
②采用光電隔離技術，并且在隔離器件上加RC電路濾波。
③認真妥善處理好接地問題，如模擬電路地與數字電路地要分開，印制板上模擬電路與數字電路應分開，大電流地應單獨引至接地點，印制板地線形成網格要足夠寬等。
2）軟件抗干擾技術。除了硬件上要采取一系列的抗干擾措施外，在軟件上也要采取數字濾波、設置軟件陷阱、利用看門狗程序冗余設計等措施使系統穩定可靠地運行。特別地，當儲能飛輪處于某一工作狀態的時間較長時，在主循環中應不斷地檢測狀態，重復執行相應的操作，也是增強可靠性的一個方法。
（2）電路板設計 由于DSP控制器工作頻率較高，即使電路原理圖設計正確，若印制電路板設計不當，也會對DSP控制器的可靠性產生不利影響。例如，如果印制板兩條細平行線靠得很近，則會形成信號波形的延遲，在傳輸線的終端形成反射噪聲。因此，在設計DSP控制器印制電路板時，應注意采用正確的方法。
1）地線設計。在DSP電路中，接地是控制干擾的重要方法，如能將接地和屏蔽正確結合起來使用，可解決大部分干擾問題。在一塊電路板上，DSP控制器同時集成了數字電路和模擬電路，設計電路板時，應使它們盡量分開，而兩者的地線不要相混，分別與電源端地線相連。盡量加粗接地線，同時將接地線構成閉環路。
2）配置去耦電容。在直流電源回路中，負載的變化會引起電源噪聲。例如在數字電路中，當電路從一個狀態轉換為另一種狀態時，就會在電源線上產生一個很大的尖峰電流，形成瞬變的噪聲電壓。
展開 托卡馬克強干擾環境下，聚變電源如何做好電磁兼容設計？
托卡馬克裝置運行過程中會產生強電磁輻射、脈沖干擾等復雜電磁環境，這些電磁干擾會嚴重影響聚變電源的控制信號、功率回路與測量精度，導致電源輸出波動、控制失靈，甚至引發系統故障，因此，電磁兼容設計成為聚變電源研發的核心技術之一，直接決定了電源在聚變場景中的適配性與可靠性。
國內企業針對托卡馬克裝置的強電磁干擾環境，在聚變電源的電磁兼容設計方面持續突破，采用多級屏蔽、濾波、隔離等技術，優化電源內部電路布局與接地設計，減少電磁干擾對電源系統的影響。中科海奧、森木磊石等企業通過優化控制算法，提升電源的抗干擾能力，確保電源在強電磁環境下仍能保持穩定輸出與精準控制，有效提升了聚變電源的電磁兼容性能。
優異的電磁兼容性能，是聚變電源穩定運行的重要保障。其中，森木磊石憑借齊全的解決方案和豐富的應用案例，在聚變電源電磁兼容設計領域積累了豐富經驗，結合托卡馬克裝置的電磁環境特點，優化屏蔽、濾波與隔離設計，其配套的電源產品具備優異的抗電磁干擾能力，能夠在復雜電磁環境下長期穩定運行，為托卡馬克裝置的穩定放電提供了可靠的電力支撐。
展開 一文看懂芯片材料基石——硅
Simbond 技術性能和 Smart-Cut 技術性能相差不大，但是在頂層硅厚度方面，Smart-Cut 技術生產的 SOI 硅片更薄，而且從生產成本來說，Smart-Cut 技術可以重復利用硅片，對于未來的大批量生產情況，Smart-Cut 技術更有成本優勢，所以現在業界公認以 Smart-Cut 技術為未來 SOI 硅片發展方向。
▲SOI 硅片不同制造技術的性能對比
SIMOX 技術：SIMOX 全稱 Separation by Implanted Oxygen（注氧隔離技術）。向晶圓中注入氧原子，然后經過高溫退火，使氧原子與周圍的硅原子發生反應，生成一層二氧化硅。此項技術的難點是控制氧離子注入的深度與厚度。對于離子注入技術要求較高。
Bonding 技術：Bonding 技術又稱鍵合技術，用 bonding 制造的 SOI 硅片又叫 Bonded SOI，簡稱 BSOI。Bonding技術需要兩片普通硅晶圓，在其中一片上生長一層氧化層（SiO2），然后與另外一片硅源鍵合，連接處就是氧化層。最后再進行研磨和拋光到想要的填埋層（SiO2）深度。由于鍵合技術比離子注入技術簡單，所以目前 SOI 硅片大都采用 bonding 技術制作。
▲離子注入方式形成絕緣體上硅
▲wafer bonding 方式形成絕緣體上硅
Sim-bond 技術：注氧鍵合技術。Sim-bond 技術是 SIMOX 與 bond 技術的結合。優點是可以高精度控制埋氧層厚度。第一步是向一片硅晶圓注入氧離子，然后高溫熱退火形成氧化層，然后在該硅片表面形成一層 SiO2 氧化層。第二步是將該硅片與另外一片晶圓鍵合。然后進行高溫退火形成完好的鍵合界面。第三步，減薄工藝。
展開 
從原理到實例：詳解SiC MOSFET是如何提高電源轉換效率的？
請注意，在許多設計中，柵極驅動器和SiC FET必須與低壓電路進行電隔離。這樣可以通過光學、脈沖變壓器或容性隔離技術并利用標準元器件來實現。隔離首先是為了安全，防止用戶在電路故障時受到高壓侵害。其次，很多電路拓撲（例如電橋配置）中的MOSFET本身不接地，因而需要隔離。
新器件的性能和能力
Cree/Wolfspeed于2011年1月推出了首款商業封裝的SiC MOSEFT CMF20120D（Wolfspeed是Cree的電源和射頻部門，該名稱于2015年宣布），而SiC晶圓在幾年前便已上市。其額定值為1200V/98A，導通電阻為80mΩ（全部為25°C時的值），采用TO-247封裝。這之后，Cree很快推出了第二代工藝，現在提供的則是第三代SiC MOSEFT指定C3M器件（圖2）。
圖2：Cree的第二代（左） 和第三代（右）SiC 工藝結構的比較表明差異不大，但這些剖面圖并未顯示出最終的性能規格改進。（圖片來源：Cree/Wolfspeed）
例如，C3M0280090J是業界首批900V SiC MOSFET平臺之一。
展開 一篇文章讀懂低壓化學氣相沉積（LPCVD）
半導體技術是人類科學技術發展至今復雜的技術之一，被譽為現代制造業皇冠上的明珠，世界上復雜的物理化學理論和精密的設備，都能在半導體行業的生產線上見到，這次我們要聊的，就是當真空遇到化學氣相沉積后所發生的美好事情。
1.薄膜的作用
薄膜是我們生活中常見的物品，一般是一種薄而軟的透明薄片。薄膜被廣泛用于電子電器，機械，印刷等行業，有著極為重要的作用。
在半導體行業中，晶圓表面活性非常高，極易受到污染，因此薄膜常用來阻擋污染物和雜質，除此以外，由于薄膜的天然特性，薄膜也常用于產生導電層或絕緣層、產生減反射膜提高吸光率、臨時阻擋刻蝕等作用。
2.半導體行業中薄膜的制備
由于半導體器件的高精度，薄膜通常使用膜淀積技術來實現。晶圓表面的淀積物會在晶圓表面形成一層連續密閉的薄膜，在半導體行業，薄膜淀積工藝是普通也重要的工藝。
在晶圓襯底上淀積薄膜有很多種技術，主要分為化學工藝和物理工藝。
化學工藝主要指化學氣相沉積，包括常壓化學氣相沉積（APCVD）、低壓化學氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強化學氣象沉積（PECVD）、高密度等離子體化學氣相沉積（HDPCVD）、電鍍等，物理工藝則主要有物理氣相沉積、蒸發和旋涂等。
展開 如何解決中小客戶的芯片供應鏈數字化難題？
筑牢數字化技術底座
隨著電子產業互聯網的高速發展，為了滿足快速變化的需求，覆蓋更廣的應用場景，對敏捷開發迭代、智能化水平、系統高可用提出了更高要求。云漢芯城以云原生化、數據與算法驅動為技術發展方向，持續推出高創新性、廣覆蓋性的智慧應用，筑牢數字化底座，為產業數字化發展貢獻云漢力量。
4.1 云原生化
云原生化的兩個重要步驟是系統架構微服務化與部署容器化。
容器化是輕量級的虛擬化隔離技術，允許單個內核上運行多個獨立的空間實例，這些實例稱為容器，不受宿主機環境差異的影響。
微服務是一種構建復雜應用系統的技術方案。通過在容器編排平臺上構建微服務架構，具備如下優點：①統一的服務注冊與發現管理；②架構可伸縮（適配業務規模的動態變化，如工作日對比周末變化明顯）；③靈活的發布能力，支持A/B測試；④服務高可用；⑤限流熔斷（避免惡意流量攻擊）；⑥鏈路調用追蹤，用于快速故障定位與鏈路性能可視化；⑦輕量化。
藍綠發布與A/B測試
鏈路調用追蹤系統
容器微服務體系的這些優點與業務發展要求的節奏相匹配，云漢芯城會逐步完成技術底座的升級。
展開 國內國外主要IGBT廠商匯總！
IGBT 模塊封裝的作用 IGBT 模塊封裝采用了膠體隔離技術，防止運行過程中發生爆炸;第二是電極結構采用了彈簧結構，可以緩解安裝過程中對基板上形成開裂，造成基板的裂紋;第三是對底板進行加工設計，使底板與散熱器緊密接觸，提高了模塊的熱循環能力。
對底板設計是選用中間點設計，在我們規定的安裝條件下，它的幅度會消失，實現更好的與散熱器連接。后面安裝過程我們看到，它在安裝過程中發揮的作用。產品性能，我們應用 IGBT 過程中，開通過程對 IGBT 是比較緩和的，關斷過程中是比較苛刻。大部分損壞是關斷造成超過額定值。
IGBT 模塊封裝過程中的技術詳解
第一點說到焊接技術，如果要實現一個好的導熱性能，我們在進行芯片焊接和進行DBC 基板焊接的時候，焊接質量就直接影響到運行過程中的傳熱性。從上面的結構圖我們可以看到，通過真空焊接技術實現的焊接。可以看到 DBC 和基板的空洞率。這樣的就不會形成熱積累，不會造成 IGBT 模塊的損壞。
第二種就是鍵合技術，實現數據變形。鍵合的作用主要是實現電氣連接。在 600 安和1200 安大電流情況下，IGBT 實現了所有電流，鍵合的長度就非常重要，陷進決定模塊大小，電流實現參數的大小。運用過程中，如果鍵合陷進、長度不合適，就會造成電流分布不均勻，容易造成 IGBT 模塊的損壞。外殼的安裝，因為 IGBT 本身芯片是不直接與空氣等環境接觸，實現絕緣性能，主要是通過外殼來實現的。外殼就要求在選材方面需要它具有耐高溫、不易變形、防潮、防腐蝕等特性。
第三是罐封技術，如果 IGBT 應用在高鐵、動車、機車上，機車車輛運行過程中，環境是非常惡劣的，我們可能會遇到下雨天，遇到潮濕、高原，或者灰塵比較大，如何實現IGBT 芯片與外界環境的隔離，實現很好運行的可靠性，它的罐封材料起到很重要的作用。
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