金屬氧化物的案例
華北理工《JMST》封面：全釩液流電池金屬和金屬氧化物催化劑進展
金屬催化劑具有優異的電導率和高催化活性。大多數金屬氧化物催化劑是過渡金屬氧化物，具有豐富的價鍵，而且成本低廉。
本文亮點
綜述了近年來釩電池中金屬和金屬氧化物催化劑的研究進展。
對金屬和金屬氧化物催化劑進行了分類，并研究了它們的催化性能。
分析并比較了不同的催化劑的催化性能和催化機理。
圖文解析
釩電池碳基電極因其存在電化學活性低的問題，可采用在電極表面引入催化劑的方法來提高電極的電化學活性。本文對引入的催化劑從金屬和金屬氧化物兩個方面進行了分類，并對其催化機理和催化性能進行了研究。
總結與展望
發展低成本、高導電性、高催化活性和高穩定性的集成電極。
除了常用的水熱、酸處理等電極改性方法外，發展一些其他的電極改性方法如微波處理等。
含氧官能團可以提高金屬催化劑的穩定性，與金屬有協同作用?？梢栽谝?em>金屬催化劑的同時引入含氧官能團。
展開 富含sp2-雜化碳的嵌段共聚物導向合成介孔金屬氧化物半導體傳感器材料
借助具有不同官能團（如硫醇、羧基、氨基等）的小分子配體作為“橋梁”，不僅能夠降低金屬氧化物的水解速率，而且能夠通過氫鍵和配位鍵提高親水PEO嵌段與金屬前驅體之間的相互作用。
圖2 配體輔助組裝策略合成介孔晶化金屬氧化物
除了借助小分子配體作為“橋梁”輔助嵌段共聚物與金屬前驅體的共組裝，低聚合度的可溶性酚醛樹脂（resol）能夠同時與sp2雜化碳嵌段共聚物的親水嵌段、金屬前驅體相互作用。為此，課題組提出策略三：Resol-輔助的共組裝策略，借助resol的交聯作用和強相互作用，實現resol、sp2雜化碳嵌段共聚物和金屬前驅體的三元共組裝。特別地，除去酚醛樹脂形成碳骨架后，可以在原有的介孔孔道中產生豐富的二級介孔結構，顯著提高材料的孔隙率。
以富含sp2雜化碳嵌段共聚物為基礎，通過巧妙的調控界面組裝環境、合成策略等能夠實現多種有序介孔金屬氧化物的合成，特別是介孔過渡金屬氧化物半導體。這類材料在氣體傳感領域展現出非常優異的傳感性能，課題組針對常見的環境有毒有害氣氛和重要待測組分進行了深入研究，并對其傳感作用機制進行了探討。
圖
3
sp2
雜化
碳嵌段共聚物
導向
合成的介孔金屬氧化物半導體傳感機制
（a）n-型介孔WO3半導體材料檢測3-羥基-2-丁酮的傳感機理；
（b）n-型介孔SnO2半導體材料檢測H2S氣體的傳感機理；
（c）p-型介孔CoOx/C半導體材料檢測H2的傳感機理；
（d）p-n型Pt/WO3異質結半導體材料檢測CO的傳感機理。
【展望】
文末，作者還展望了未來有序介孔金屬氧化物半導體材料的合成、設計及應用的潛在方向。
展開 西安交大：介孔金屬氧化物基傳感材料重要進展！
介孔金屬氧化物集成了介孔材料高比表面積、豐富的孔道（孔徑2-50納米）以及金屬氧化物的磁、光、電等性質，在清潔能源、傳感、催化等領域有著巨大的應用前景。但是，目前缺乏一種普適的方法合成組分及結構可控的介孔金屬氧化物納米顆粒。
植物多酚是一種價格低廉、無毒、已實現工業化生產的天然提取物，廣泛用于皮革、墨水等領域?；谥参锒喾优湮换瘜W的基本原理，生命學院趙永席教授團隊魏晶教授等人以不同的金屬-多酚配合物為前驅物，通過控制配合物的熱分解過程，得到了一系列不同組成及內部結構的介孔金屬氧化物納米顆粒（如氧化鋁、氧化鋅、氧化鈷、氧化鐵、氧化銅）。
研究發現，金屬會影響有機物（即植物多酚）的熱分解過程，比如鋁會增強有機骨架的穩定性，鐵、銅、鈷元素會加速有機骨架的分解。有機物的分解溫度和金屬氧化物的結晶溫度共同影響介孔金屬氧化物的內部結構（如實心或空心結構）。由于介孔金屬氧化物具有規則的形貌、高比表面積及高結晶度，這種材料進一步用于構筑氣體傳感器，可實現酒精氣體的高靈敏、高選擇性檢測。
同時這種介孔金屬氧化物材料與核酸（DNA, RNA）的磷酸基團有著強的配位作用，可有效吸附DNA探針分子?？蛇M一步構筑介孔金屬氧化物基納米探針，實現核酸的高靈敏、高特異性檢測。由于植物多酚可以和不同種類的金屬離子形成配位物，這種簡單的熱分解方法有望用于低成本、大規模制備多種組分介孔金屬氧化物，并廣泛用于環境催化、清潔能源的存儲與轉化、氣體傳感及生物傳感等領域。
該研究工作在材料類國際權威雜志Advanced Functional Materials（影響因子13.325）上在線發表。西安交通大學生命學院生物醫學信息工程教育部重點實驗室為該論文的第一作者和唯一通訊作者單位，生命學院王根博士為第一作者，魏晶教授為通訊作者。
展開 【綜述】化工進展：金屬氧化物在OX-ZEO催化劑中催化COx加氫制低碳烯烴進展
采用金屬氧化物-分子篩（OX-ZEO）雙功能催化劑催化COx（CO/CO2）加氫轉化直接制低碳烯烴技術是近幾年的研究熱點。該技術將COx加氫制甲醇和甲醇制烯烴兩步反應耦聯起來，使C—O活化和C—C耦合分別控制在不同的活性位點，實現了一步法由合成氣到低碳烯烴的高選擇性轉化，其示意圖見圖1。在OX-ZEO雙功能催化劑中，COx首先在金屬氧化物上活化并形成乙烯酮、甲氧基、甲醇等活潑含氧中間體，含氧中間體迅速擴散進入酸性分子篩（SAPO-34、MOR、SAPO-18、SSZ-13、RUB-13等）生成低碳烯烴。由于COx/H2的吸附和活化均發生在金屬氧化物上，因而金屬氧化物主要決定反應的催化活性，分子篩則因其特定的孔道結構和酸性質決定目標產物的類型和分布。近年來，分子篩在雙功能催化劑中催化CO/CO2加氫取得了重要進展。本文針對OX-ZEO中的金屬氧化物，概述了金屬氧化物在OX-ZEO中催化COx加氫制低碳烯烴反應中的研究進展，重點討論了包括金屬氧化物種類和組成、金屬氧化物制備方法、金屬氧化物與分子篩“親密度”對反應性能的影響，探討了催化反應機理、氧空位的作用及抑制副反應的策略，分析了OX-ZEO催化反應面臨的問題和挑戰，并對OX-ZEO催化劑中金屬氧化物的設計進行了展望。
展開 
香港大學AFM綜述：溶液處理的金屬氧化物納米晶作為有機和鈣鈦礦太陽能電池的載體傳輸層
【總結】
在這篇文章中，作者綜述了溶液處理金屬氧化物納米晶體的合成方法，以及它們在OSCs和PVSCs中作為CTLs的性能。然而，科研人員需要做出更多的努力來促進它們在光伏器件中的應用。
1)制備具有良好設計的尺寸和形貌的金屬氧化物納米材料是在各種應用中的重要挑戰，尤其是在光伏應用中。當材料尺寸減小到納米級時，它們表現出獨特的性能，這與它們的塊體對應材料不同。這種特性使得納米材料對獨特的應用具有吸引力，同時也使其合成變得復雜。盡管各種技術已經被應用于金屬氧化物納米晶體的合成，但它仍然需要根據其應用開發新的合成方法。此外，為了控制MONCs的尺寸和形貌，需要更好地理解新合成方法的形成機理和反應條件的控制。
2)用于穩定金屬氧化物納米晶體的表面配體需要滿足溶液加工性和電荷傳輸方面的需求。具有長烴鏈的配體是絕緣的，例如乙二醇，這限制了它們作為CTLs的應用。因此，科研人員已經提出了許多配體交換策略，包括與較小分子的配體交換、可熱降解配體或金屬硫族化合物絡合物，以解決這個問題。在配體交換策略上的更多的努力有助于在CTL應用中實現氧化物納米晶體。因此，科研人員仍然迫切需要開發有效的方法來同時改善金屬氧化物納米晶體在溶液中的加工性能和相應薄膜的電荷傳輸。
3)良好的CTLs需要良好的成膜性能，以確保盡可能均勻的覆蓋。此外，位于活性層頂部的CTLs報道有限。因為它是與濕度和氧氣接觸的層，也是與活性層接觸的層，所以它對化學降解的抵抗力以及保證穩定的電子界面是必要的。復合材料/復合層可以被認為是應對這一問題的有效策略，沿著這些思路的進一步研究將有助于提高效率和穩定性。
總的來說，作者認為基于氧化物的CTLs對OSCs和PVSCs都非常有利，主要是因為它們具有極高的穩定性、良好的電性能和潛在的透明性。
展開 一種硫醇/胺方法將金屬氧化物轉換為器件級金屬硫屬化物
利用分子前驅體溶液制備金屬硫屬化物薄膜在器件領域具有廣泛的應用前景。中國科技大學材料科學與工程學院陳濤和朱長飛課題組利用巰基乙醇和乙醇胺這種新型硫醇/胺溶劑，溶解很多價格便宜的金屬氧化物和氫氧化物，如Cu2O、ZnO、SnO、In(OH)3、GeO2、Cd(OH)2、MnO、PbO、Bi2O3、Sb2O3。通過添加硫脲和硒粉作為硫源和硒源后可以制得相應的二元金屬硫化物、硒化物。研究成果近期發表于Science China Materials, 2018, doi:10.1007/s40843-018-9376-7。
圖1. 金屬氧化物（氫氧化物）溶解于巰基乙醇/乙醇胺
此方法還可用來制備純物相的帶隙可調的三元CuSbSe2?
x
S
x
和四元Cu2ZnSnSe4。用這種方法合成的Sb2S3平面異質結太陽電池光電轉化效率可高達到4.39%。
這項研究提供了一種制備二元、三元、四元器件級金屬硫屬化物薄膜的普適性方法。
來源：中國科學材料
展開 Comsol金屬氧化物避雷器（MOA）電-熱耦合計算
計算模型網格和質量分布圖
4 結果展示
模型采用穩態分離式求解器進行求解，通過計算得到金屬氧化物避雷器的電勢、電場和溫度場等結果分布如下所示。
圖6. 電勢分布
圖7. 電場分布
圖8. 溫度場分布
編輯：電子F430
文案：RICHER
審核：趙佳樂
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Mater: >10％效率﹑全溶液加工和無金屬氧化物的柔性有機太陽能電池
常見的柔性OSC是一種由柔性透明電極（FTE），低功函金屬修飾的陰極和活性層組成的三明治結構。該領域的最終目標是通過印刷和卷對卷等工藝，制造高效率柔性和低成本的光伏組件。印刷的柔性器件要求其組成材料可液體加工，且與剛性器件的效率相媲美。因此，應該努力提高柔性器件的性能，并升級柔性OSC的制造工藝，以便實際應用。低溫下的全溶液處理方案非常適合印刷，卷對卷加工和刮涂，并且還可以降低其成本。在OSC中，最常用的電極是金屬摻雜的金屬氧化物（MMO），例如銦摻雜的氧化錫（ITO）。然而，ITO在塑料基板上面臨機械脆性和導電性問題。此外，金屬氧化物膜通常在高溫下通過真空濺射進行處理，這些問題使得MMO膜成本昂貴且與印刷和卷對卷加工不兼容。
【成果簡介】
近日，中科院寧波材料所新能源技術研究所葛子義研究員和樊細副研究員（共同通訊作者）聯合香港理工大學徐賓剛教授和嚴鋒教授報道了一種高效的全溶液加工的無金屬氧化物柔性OSC，其中PEDOT:PSS/PET基材在室溫（≈20℃）下進行甲磺酸（CH4SO3）處理。這種溫和酸處理誘導出光滑和均勻的PEDOT:PSS薄膜，且具有高光學和電學特性。與H2SO4和HNO3的處理不同，室溫溫和甲磺酸處理避免了甲磺酸腐蝕破壞下層的塑料基材，因此它與塑料基材相兼容。此外，除了必須熱沉積的鋁陰極之外，柔性OSC器件的所有部件都可以在不超過100℃的溫度下進行全溶液加工，這是一種簡潔的方法，并與印刷和卷對卷加工兼容。全溶液加工柔性器件的VOC為0.93 V，JSC為15.49 mA cm-2，填充因子（FF）為70.27％，其最高能量轉換效率（PCE）為10.12％。經過1000次循環連續彎曲試驗（彎曲半徑r = 5.6mm）后，柔性器件保留了94％的初始PCE值。此外，當全溶液加工的剛性器件（襯底為玻璃基板），表現了高達10.60％的效率。
展開 金屬氧化物單軸壓縮原子模擬
單軸壓縮下，金屬氧化物出現剪切破壞
MEMS氣體傳感器類型以及優勢
其中，具有代表性的基于金屬氧化物半導體敏感材料的氣體傳感器已廣泛應用于安全、環境、樓宇控制等領域的氣體檢測。
MEMS技術的進步，為氣體傳感器的集成化提供了堅實的基礎，毋庸置疑，基于MEMS的設計方案將成為未來氣體傳感器的主要發展方向之一。
目前，市場上以單晶硅材料為襯底，非硅材料為敏感層的MEMS氣體傳感器最為常見，今天工采網小編就給大家介紹一下市場上常見的MEMS氣體傳感器類型。
1、MEMS電導型氣敏傳感器
MEMS電導型氣敏傳感器的敏感材料是金屬氧化物半導體或導電聚合物，使用最多的金屬氧化物半導體是二氧化錫，其次是二氧化鈦、氧化鋅等。為提高氣敏傳感器靈敏度和選擇性，往往會向金屬氧化物中加入催化劑，如鉑、鈀等貴金屬或合適的金屬氧化物。
當敏感材料暴露于被測氣體中，氣體會與它們發生反應，引起電導率或電阻率的變化，產生的電信號經過信號處理后，輸出為可識別氣體成分或氣體濃度的信號。
MEMS金屬氧化物半導體氣敏傳感器采用微電子技術的成膜工藝在硅襯底上淀積金屬氧化物敏感層，利用敏感層下的電阻做加熱器，利用二極管做測溫元件，必要的信號電路和讀出電路也可以集成在同一硅芯片上。
MEMS微氣體傳感器的制作工藝如圖所示，其特點在于將加熱電極、絕緣層和測試電極一層一層依次堆積疊加在一起。
2、MEMS固體電解質氣敏傳感器
固體電解質氣敏傳感器有電流型和電壓型兩種，電流型的靈敏度高，測量范圍大，溫漂小。但它的輸出電流和敏感性能與電極尺寸關系密切。傳統的燒結體型器件難于控制電極尺寸，因而輸出的電流和敏感性能也難于控制。由于MEMS技術制作的器件電機尺寸精度高，因而MEMS固體電解質電流型氣敏傳感器性能優異。
展開 電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別
讓我們來了解三種常見的模擬集成電路電容器：金屬-氧化物-金屬（MOM）、金屬-絕緣體-金屬（MIM）和金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器。
什么是金屬-氧化物-金屬（MOM）電容器？
金屬-氧化物-金屬（MOM）電容器是芯片中的小型多功能器件。它們是由金屬層構成的交叉指型（就像兩只手十指相扣那樣）結構的多指型電容器。標準金屬布線（以及可選的過孔——布線電路板上的鍍通孔）被用來構成電容器的極板，極板之間的橫向（層內）電容耦合效應可產生所需的電容。
與垂直耦合相比，這種橫向電容耦合可提供更出色的匹配特性，主要是由于橫向尺寸的工藝控制更為精準，不像金屬層和介電層厚度那樣難以控制。為了提高電容密度，可以使用過孔并聯多個金屬層，形成垂直金屬壁或網格。通常，會在MOM電容器中采用金屬線寬和間距最小的最底層金屬層（如M1–M5），以最大限度地提高電容密度。
金屬-氧化物-金屬電容器結構
金屬-氧化物-金屬電容器的優勢
成本低
電容密度高
出色的射頻（RF）特性
出色的匹配特性
無需額外的掩膜層
對稱平面結構
金屬-氧化物-金屬電容器的缺點
下極板寄生效應適中
密度低
串聯電感和電阻較高
擊穿電壓低
金屬-氧化物-金屬電容器的應用
高速集成電路（IC）
微電子
RF和模擬應用
振蕩電路
什么是金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器？
金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器是另一類具有明顯優勢的緊湊型電容器。它們類似于平行板電容器，其中金屬板（電極）由絕緣材料（介電）隔開。這類電容器具有較高的單位面積電容，因此得到了廣泛應用。
展開 
電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區別
讓我們來了解三種常見的模擬集成電路電容器：金屬-氧化物-金屬（MOM）、金屬-絕緣體-金屬（MIM）和金屬-氧化物-半導體（MOS）電容器。
什么是金屬-氧化物-金屬（MOM）電容器？
金屬-氧化物-金屬（MOM）電容器是芯片中的小型多功能器件。它們是由金屬層構成的交叉指型（就像兩只手十指相扣那樣）結構的多指型電容器。標準金屬布線（以及可選的過孔——布線電路板上的鍍通孔）被用來構成電容器的極板，極板之間的橫向（層內）電容耦合效應可產生所需的電容。
與垂直耦合相比，這種橫向電容耦合可提供更出色的匹配特性，主要是由于橫向尺寸的工藝控制更為精準，不像金屬層和介電層厚度那樣難以控制。為了提高電容密度，可以使用過孔并聯多個金屬層，形成垂直金屬壁或網格。通常，會在MOM電容器中采用金屬線寬和間距最小的最底層金屬層（如M1–M5），以最大限度地提高電容密度。
金屬-氧化物-金屬電容器的優勢
成本低
電容密度高
出色的射頻（RF）特性
出色的匹配特性
無需額外的掩膜層
對稱平面結構
金屬-氧化物-金屬電容器的缺點
下極板寄生效應適中
密度低
串聯電感和電阻較高
擊穿電壓低
金屬-氧化物-金屬電容器的應用
高速集成電路（IC）
微電子
RF和模擬應用
振蕩電路
什么是金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器？
金屬-絕緣體-金屬（MIM）電容器是另一類具有明顯優勢的緊湊型電容器。它們類似于平行板電容器，其中金屬板（電極）由絕緣材料（介電）隔開。這類電容器具有較高的單位面積電容，因此得到了廣泛應用。為了進一步提高電容值，MIM電容器通常由三塊板構成，其中兩層是標準制造工藝的金屬層（通常是最上層），中間是一個特殊金屬層。
展開 關注 | 一款革命性的Arm處理器
金屬氧化物薄膜晶體管成本低，而且可以縮小到大規模集成所需的較小幾何尺寸。
早期的原生靈活處理器工作是基于使用低溫多晶硅TFT技術開發8位CPU，這具有較高的制造成本和較差的橫向可伸縮性。最近，二維材料晶體管被用于開發處理器，如使用二硫化鉬(MoS 2)晶體管的1位CPU 13和使用互補碳納米管晶體管構建的16位RISC-V CPU。然而，這兩項工作都是在傳統的硅片而不是柔性襯底上進行的。
第一次嘗試構建基于金屬氧化物TFT的處理元件是一個8位算術邏輯單元，它是CPU的一部分，與在聚酰亞胺上制造的打印可編程ROM相結合。最近，Ozer等人在金屬氧化物TFTs中提出了天生靈活的專用機器學習硬件。盡管機器學習硬件擁有最復雜的柔性集成電路(FlexIC)，它由1400個門的金屬氧化物TFT組成，但FlexIC不是一個微處理器?？删幊烫幚砥鞣椒ū葯C器學習硬件更通用，并支持豐富的指令集，可用于對從控制代碼到數據密集型應用程序（包括機器學習算法）的各種應用程序進行編程。
原生柔性微處理器有三個主要部件:(1)32位CPU，(2)包含CPU和CPU外設的32位處理器，(3)包含處理器、存儲器和總線接口的片上系統(SoC)，所有這些部件都是用金屬氧化物TFT在柔性基板上制造的。本機靈活的32位處理器源自支持Armv6-M架構的Arm Cortex-M0+處理器(一組80多條指令)和現有的軟件開發工具鏈(例如，編譯器、調試器、連接器、集成開發環境等)。整個靈活的SoC被稱為PlasticARM，能夠從其內部內存運行程序。
展開 氣體傳感器的特性及分類
2.1半導體氣體傳感器
半導體氣體傳感器是采用金屬氧化物或金屬半導體氧化物材料做成的元件，與氣體相互作用時產生表面吸附或反應，引起以載流子運動為特征的電導率或伏安特性或表面電位變化。這些都是由材料的半導體性質決定的。
自從1962年半導體金屬氧化物陶瓷氣體傳感器問世以來.半導體氣體傳感器已經成為當前應用最普遍、最具有實用價值的一類氣體傳感器，根據其氣敏機制可以分為電阻式和非電阻式兩種。
電阻式半導體氣體傳感器主要是指半導體金屬氧化物陶瓷氣體傳感器，是一種用金屬氧化物薄膜(例如：Sn02，ZnOFe203，Ti02等)制成的阻抗器件，其電阻隨著氣體含量不同而變化。氣味分子在薄膜表面進行還原反應以引起傳感器傳導率的變化。為了消除氣味分子還必須發生一次氧化反應。傳感器內的加熱器有助于氧化反應進程。它具有成本低廉、制造簡單、靈敏度高、響應速度快、壽命長、對濕度敏感低和電路簡單等優點。不足之處是必須工作于高溫下、對氣味或氣體的選擇性差、元件參數分散、穩定性不夠理想、功率要求高.當探測氣體中混有硫化物時，容易中毒。
現在除了傳統的SnO，Sn02和Fe203三大類外，又研究開發了一批新型材料，包括單一金屬氧化物材料、復合金屬氧化物材料以及混合金屬氧化物材料。這些新型材料的研究和開發，大大提高了氣體傳感器的特性和應用范圍。另外，通過在半導體內添加Pt，Pd，Ir等貴金屬能有效地提高元件的靈敏度和響應時間。它能降低被測氣體的化學吸附的活化能，因而可以提高其靈敏度和加快反應速度。催化劑不同，導致有利于不同的吸附試樣，從而具有選擇性。例如各種貴金屬對Sn02基半導體氣敏材料摻雜，Pt，Pd，Au提高對CH4的靈敏度，Ir降低對CH4的靈敏度;Pt，Au提高對H2的靈敏度，而Pd降低對H2的靈敏度。
展開 焊接速度與焊縫質量，主要體現在加熱階段與結晶階段...
加熱階段
在高頻直縫焊管的工況下，管坯邊緣從室溫被加熱到焊接溫度，
其間，管坯邊緣沒有任何保護，完全裸露在空氣中，這就不可避免地與空氣中的氧、氮等發生激烈反應，使焊縫中的氮、氧化物顯著增加，據測定，焊縫中的氮含量因之提高20~45倍，氧含量因之提高7~35 倍；
同時，對焊縫有益的錳、碳等合金元素大量燒損和蒸發，致使焊縫力學性能降低。由此可見，在這個意義上講，焊接速度越慢，焊縫質量越差。
不僅如此，被加熱管坯邊緣暴露在空氣中的時間越長，即焊接速度慢，會引起較深層也產生非金屬氧化物，這些深層次非金屬氧化物在隨后的擠壓結晶過程中，難以被全部擠出焊縫，結晶后便以非金屬夾雜的形式殘留在焊縫中，形成一個明顯的脆弱界面，從而破壞焊縫組織的連貫性，降低焊縫強度。
而焊接速度快，氧化時間就短，所產生的非金屬氧化物較少且僅限于表層，很容易在隨后的擠壓過程中被擠出焊縫，焊縫中也不會有過多非金屬氧化物殘留，焊縫強度高。
結晶階段
根據金屬學原理，欲獲得高強度的焊縫，就必須使焊縫組織的晶粒盡可能細化；而細化的基本途徑是在短時間內形成足夠多的晶核，使它們在尚未顯著長大時相互接觸便結束結晶過程。
這就要求通過提高焊接速度，讓焊縫迅速離開加熱區，才能使焊縫在較大的過冷度下快速結晶；當過冷度增大時，生核率能夠大大增加，成長率增加較少，從而達到細化焊縫晶粒的目的。
因此，無論從焊接過程的加熱階段看，還是從焊后的冷卻看，都是在滿足基本焊接條件的前提下，焊接速度越快，焊縫質量越好。
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