防水封裝技術(shù)的案例
芯片制造的6個(gè)關(guān)鍵步驟--封裝技術(shù)：臺(tái)積電Chiplets和3D封裝技術(shù)詳解
蘋果A15仿生芯片等尖端芯片正使得更多革新技術(shù)成為可能。這些芯片是如何被制造出來的，其中又有哪些關(guān)鍵步驟呢？
智能手機(jī)、個(gè)人電腦、游戲機(jī)這類現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)品的強(qiáng)大性能已無需贅言，而這些強(qiáng)大的性能大多源自于那些非常小卻又足夠復(fù)雜的科技產(chǎn)物——芯片。世界已被芯片所包圍：2020年，全世界共生產(chǎn)了超過一萬億芯片，這相當(dāng)于地球上每人擁有并使用130顆芯片。然而即使如此，近期的芯片短缺依然表現(xiàn)出，這個(gè)數(shù)字還未達(dá)到上限。
盡管芯片已經(jīng)可以被如此大規(guī)模地生產(chǎn)出來，生產(chǎn)芯片卻并非易事。制造芯片的過程十分復(fù)雜，今天我們將會(huì)介紹六個(gè)最為關(guān)鍵的步驟：沉積、光刻膠涂覆、光刻、刻蝕、離子注入和封裝。
沉積
沉積步驟從晶圓開始，晶圓是從99.99%的純硅圓柱體（也叫“硅錠”）上切下來的，并被打磨得極為光滑，然后再根據(jù)結(jié)構(gòu)需求將導(dǎo)體、絕緣體或半導(dǎo)體材料薄膜沉積到晶圓上，以便能在上面印制第一層。這一重要步驟通常被稱為 "沉積"。
隨著芯片變得越來越小，在晶圓上印制圖案變得更加復(fù)雜。沉積、刻蝕和光刻技術(shù)的進(jìn)步是讓芯片不斷變小，從而推動(dòng)摩爾定律不斷延續(xù)的關(guān)鍵。這包括使用新的材料讓沉積過程變得更為精準(zhǔn)的創(chuàng)新技術(shù)。
光刻膠涂覆
晶圓隨后會(huì)被涂覆光敏材料“光刻膠”（也叫“光阻”）。光刻膠也分為兩種——“正性光刻膠”和“負(fù)性光刻膠”。
展開 先進(jìn)封裝技術(shù),扇出晶圓級(jí)封裝簡(jiǎn)介（FOWLP）
FOWLP 推進(jìn)時(shí)間軸
fowlp封裝技術(shù)
FOWLP技術(shù)Roadmap
FOWLP技術(shù)示意圖
Intel Agilex FPGA的封裝內(nèi)的異構(gòu)集成
TSV和中間層已成為異構(gòu)集成高性能互連的關(guān)鍵
傳統(tǒng)多片芯封裝與FOWLP封裝
日月光晶圓封測(cè)級(jí)WLP技術(shù)流程
異構(gòu)集成的組件
引線鍵合與有中間層的TSV互連
2.5D和3D封裝HBM
2024電子封裝測(cè)試展|2024上海電子封裝測(cè)試展_技術(shù)_材料
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環(huán)氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)、電子封裝測(cè)試技術(shù)設(shè)備、電子燒結(jié)相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成: 球柵陣列封裝、芯片級(jí)封裝、倒裝芯片、晶圓級(jí)封裝、三維集成及其它各種先進(jìn)的封裝和系統(tǒng)集成技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導(dǎo)電膠等互連材料;芯片下填料、粘結(jié)劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導(dǎo)熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設(shè)計(jì)與模擬: 各種新的封裝/組裝設(shè)計(jì)；電子封裝的電、熱、光和機(jī)械特性建模、模擬和驗(yàn)證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領(lǐng)域封裝: 傳感器、執(zhí)行器、微機(jī)電系統(tǒng)、納機(jī)電系統(tǒng)、微光機(jī)電系統(tǒng)的封裝技術(shù);光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術(shù)在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領(lǐng)域的應(yīng)用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開 2024電子封裝測(cè)試展|2024上海電子封裝測(cè)試展_技術(shù)_材料_展
</div><div contenteditable="false" width="100%">參展范圍</div><div contenteditable="false" width="100%">一、電子金屬封裝、電子陶瓷封裝、電子塑料封裝、電子環(huán)氧樹脂材料封裝、封裝材料與工藝、電子封裝設(shè)備及先進(jìn)制造技術(shù)、電子封裝測(cè)試技術(shù)設(shè)備、電子燒結(jié)相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">二、先進(jìn)封裝與系統(tǒng)集成: 球柵陣列封裝、芯片級(jí)封裝、倒裝芯片、晶圓級(jí)封裝、三維集成及其它各種先進(jìn)的封裝和系統(tǒng)集成技術(shù)等;</div><div contenteditable="false" width="100%">三、封裝材料與工藝: 鍵和絲、焊球、焊膏、導(dǎo)電膠等互連材料;芯片下填料、粘結(jié)劑、薄膜材料、介電材料、基板材料、框架材料、導(dǎo)熱材料、綠色電子材料以及其他能夠高封裝性能和降低成本的新型材料;</div><div contenteditable="false" width="100%">以及各種各樣的封裝與組裝工藝等；</div><div contenteditable="false" width="100%">四、封裝設(shè)計(jì)與模擬: 各種新的封裝/組裝設(shè)計(jì)；電子封裝的電、熱、光和機(jī)械特性建模、模擬和驗(yàn)證方法;多尺度和多物理量建模等;</div><div contenteditable="false" width="100%">五、新興領(lǐng)域封裝: 傳感器、執(zhí)行器、微機(jī)電系統(tǒng)、納機(jī)電系統(tǒng)、微光機(jī)電系統(tǒng)的封裝技術(shù);光電子封裝，CMOS圖像傳感器封裝;封裝及集成技術(shù)在液晶顯示，無源元件，射頻、功率和高壓器件，及納米器件等新興領(lǐng)域的應(yīng)用等；</div><div contenteditable="false" width="100%"
展開 
何為地下工程“預(yù)鋪反粘”防水技術(shù)？
國(guó)家會(huì)議中心二期項(xiàng)目對(duì)于建筑業(yè)“四新”技術(shù)的應(yīng)用值得同行學(xué)習(xí)，其中，地下室底板應(yīng)用“預(yù)鋪反粘”工藝，「一次防水」丁基卷材能夠與結(jié)構(gòu)主體有效滿粘，TPO的焊接性能讓防水片材形成統(tǒng)一整體，進(jìn)而消除竄水隱患，最大限度節(jié)省工期的同時(shí)，保障優(yōu)質(zhì)的防水效果。我們也借機(jī)再學(xué)習(xí)一下這項(xiàng)新技術(shù)。
國(guó)家會(huì)議中心二期項(xiàng)目以“防排結(jié)合，多道設(shè)防，抗放結(jié)合，單個(gè)設(shè)計(jì)，材料相容”為設(shè)計(jì)方針，采用剛性防水和柔性防水結(jié)合的形式，針對(duì)不同結(jié)構(gòu)、不同部位，采用不同的防水材料及施工工藝，有效解決防水問題。最終，此地下室防水工程達(dá)到一級(jí)防水。
展開 全面詳解屋面防水施工技術(shù)，每張節(jié)點(diǎn)圖都是精華！
正文如下：
1 屋面構(gòu)造
2 卷材防水屋面
3 屋面防水施工工藝
3.1 原材檢查
SBS原材：是否為指定品牌？是否有出廠合格證及檢測(cè)報(bào)告？厚度及表觀質(zhì)量是否能滿足要求？材料復(fù)檢報(bào)告是否為合格產(chǎn)品？材料的生產(chǎn)日期？
冷底子油：分為快揮發(fā)性冷底子油，慢揮發(fā)性冷底子油，主要檢查配合比及涂抹后效果。
3.2 找平層施工
一般采用水泥砂漿、細(xì)石砼或?yàn)r青砂漿作屋面的整體找平層。
3.2.1 厚度及技術(shù)要求
水泥砂漿找平層：當(dāng)結(jié)構(gòu)層為現(xiàn)澆砼整體板時(shí)，厚度為15～20mm；當(dāng)有整體或塊狀材料保溫層時(shí)，厚度為20～25mm；當(dāng)結(jié)構(gòu)層為裝配式砼板且保溫層為松散材料時(shí)，厚度為20～30mm。
展開 問界M8潑水實(shí)驗(yàn)背后的技術(shù)革命：PreonLab破解車內(nèi)防水性能難題
問界M8潑水實(shí)驗(yàn)背后的技術(shù)革命——
PreonLab破解車內(nèi)防水性能難題
Author: 王鑫
Technical Support Engineer, AST
被譽(yù)為全球汽車工業(yè)“風(fēng)向標(biāo)”的2025年上海國(guó)際車展于4月23日正式拉開帷幕。在今年的車展上，一個(gè)有趣的現(xiàn)象引起了業(yè)界的注意：多家車企開始高調(diào)展示車輛的防水性能。
其中，賽力斯在展臺(tái)設(shè)計(jì)了動(dòng)態(tài)潑水互動(dòng)，演示車內(nèi)防潑水性能。余承東談及問界M8的防水性能時(shí)，黃渤擰開手里的礦泉水就往中控上潑水，做起了現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試，生動(dòng)展示了問界M8艙內(nèi)防誤潑水設(shè)計(jì)。
如果不用真車潑水，工程師如何高效模擬這類流體場(chǎng)景？我們用PreonLab簡(jiǎn)單進(jìn)行了一場(chǎng)“情景重現(xiàn)”：
PreonLab支持
模擬乘員艙內(nèi)的防水性能
隨著智能座艙電子設(shè)備激增，從打翻的咖啡到漏水的天窗，液體風(fēng)險(xiǎn)已成為影響車輛可靠性的關(guān)鍵因素。
傳統(tǒng)依賴物理樣機(jī)的測(cè)試方法不僅耗時(shí)費(fèi)力，更難以全面覆蓋各種突發(fā)液體場(chǎng)景。PreonLab的粒子法仿真技術(shù)突破了這一局限，可精準(zhǔn)模擬飲料潑灑、天窗漏水等復(fù)雜工況。
如果想要分析或提高汽車內(nèi)飾的防水性能，一方面，需要分析潑水產(chǎn)生的水流路徑，通過優(yōu)化設(shè)計(jì)，將潑水水流引導(dǎo)至低風(fēng)險(xiǎn)區(qū)域或排水區(qū)域；另一方面，對(duì)于與潑水接觸的表面，提高表面疏水性，增大液滴在表面上的接觸角，保證盡量低的接觸時(shí)間。
PreonLab支持輸出當(dāng)前濕壁和濕壁量，用于識(shí)別正在與水接觸的部分內(nèi)飾以及面積占比。下圖中綠色著色區(qū)域代表正在與潑水接觸的內(nèi)飾。
PreonLab支持輸出累計(jì)濕壁信息，識(shí)別潑水過程中與水發(fā)生接觸的全部?jī)?nèi)飾。
展開 中科院攻克電子產(chǎn)品低溫等離子體防水涂層關(guān)鍵技術(shù)
企業(yè)嗅商機(jī)求合作
曾志翔說：“如何運(yùn)用納米級(jí)別涂層替代傳統(tǒng)產(chǎn)品，在保證防水、防護(hù)同時(shí)，盡量減少其影響產(chǎn)品外觀、導(dǎo)電性、散熱性和信號(hào)傳輸性，是需解決的技術(shù)難題。”
2016年，一家來自江蘇的企業(yè)敏銳地嗅到了電子產(chǎn)品防水涂層市場(chǎng)的商機(jī)，多方打聽來到寧波材料所，希望能與海洋環(huán)境材料研究團(tuán)隊(duì)進(jìn)行合作，開發(fā)低溫等離子體納米涂層裝備與關(guān)鍵技術(shù)。
在設(shè)備方面，海洋環(huán)境材料研究團(tuán)隊(duì)攻克了全自動(dòng)一體化設(shè)計(jì)與在線監(jiān)控技術(shù)，等離子體場(chǎng)、電場(chǎng)、化學(xué)場(chǎng)的優(yōu)化融合技術(shù)系列等關(guān)鍵難點(diǎn)，開發(fā)了FT-X系列低溫等離子體納米涂層制備設(shè)備，破解了涂層生產(chǎn)效率、質(zhì)量、均勻性、成品率與性價(jià)比等方面難題。
在納米涂層工藝上，團(tuán)隊(duì)攻克了單體功能團(tuán)合成與調(diào)控技術(shù)和涂層多尺度結(jié)構(gòu)控制技術(shù)，構(gòu)建了多尺度梯度納米涂層體系，解決了防水、防護(hù)與散熱、透波性、導(dǎo)通性間的矛盾。
經(jīng)過兩年努力，海洋環(huán)境材料研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一系列防水納米涂層，分別實(shí)現(xiàn)了電子產(chǎn)品IPX3級(jí)、IPX5級(jí)、IPX7級(jí)和客戶自定義級(jí)防水，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
技術(shù)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)外同行
經(jīng)過測(cè)試，電子產(chǎn)品穿上海洋環(huán)境材料研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的“防水衣”，在水深1米的情況下浸泡1小時(shí)，撈上來后仍能正常使用。
據(jù)悉，當(dāng)前電子產(chǎn)品主要采用結(jié)構(gòu)防水和涂層防水兩種方式，通常結(jié)構(gòu)防水可以達(dá)到IPX7級(jí)，但是成本較高，工藝復(fù)雜；涂層防水成本較低，但是通常防水級(jí)別相對(duì)較低，很難達(dá)到IPX7級(jí)。
曾志翔介紹道：“我們通過工藝和設(shè)備的持續(xù)創(chuàng)新，用涂層的方法，低成本實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品的IPX7級(jí)以上防水效果。相關(guān)技術(shù)綜合指標(biāo)領(lǐng)先國(guó)內(nèi)外同類企業(yè)，突破了國(guó)外技術(shù)壟斷，形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的系列技術(shù)，已為企業(yè)節(jié)約了大量生產(chǎn)和售后服務(wù)成本。”
展開 智芯文庫 | 晶圓級(jí)封裝技術(shù)
在焊球技術(shù)方面，將開發(fā)無Pb焊球技術(shù)和高Pb焊球技術(shù)。隨著IC晶元尺寸的不斷擴(kuò)大和工藝技術(shù)的進(jìn)步，IC廠商將研究與開發(fā)新一代晶元級(jí)封裝技術(shù)，這一代技術(shù)既能滿足φ300 mm晶元的需要，又能適應(yīng)近期出現(xiàn)的銅布線技術(shù)和低介電常數(shù)層間介質(zhì)技術(shù)的要求。
此外，還要求提高晶元級(jí)封裝處理電流的能力和承受溫度的能力。WLBI(晶元級(jí)測(cè)試和老化)技術(shù)也是需要研究的重要課題。WLBI技術(shù)是要在IC晶元上直接進(jìn)行電氣測(cè)試和老化，這對(duì)晶元級(jí)封裝簡(jiǎn)化工藝流程和降低生產(chǎn)成本都具有重要的意義。
結(jié)束語
晶元級(jí)封裝技術(shù)是低成本的批量生產(chǎn)芯片封裝技術(shù)。晶元級(jí)封裝與芯片的尺寸相同，是最小的微型表面貼裝器件。由于晶元級(jí)封裝的一系列優(yōu)點(diǎn)，晶元級(jí)封裝技術(shù)在現(xiàn)代電子裝置小型化、低成本化需求的推動(dòng)下，正在蓬勃向前發(fā)展。
當(dāng)前，晶元級(jí)封裝技術(shù)通常適用于I／O數(shù)低的小尺寸芯片。業(yè)界還需要開發(fā)新的技術(shù)，降低生產(chǎn)成本，發(fā)展大尺寸芯片的晶元級(jí)封裝和精細(xì)節(jié)距焊球陣列晶元級(jí)封裝。
現(xiàn)代電子裝置選擇封裝類型時(shí)，既要滿足設(shè)計(jì)要求又要成本最低。現(xiàn)有水平的晶元級(jí)封裝還只是一種可供選擇的封裝類型。
要使晶元級(jí)封裝技術(shù)成為未來量大面廣的產(chǎn)品主流制造技術(shù)，還有許多工作要做。把半導(dǎo)體芯片和WLP封裝結(jié)合起來設(shè)計(jì)，對(duì)WLP器件的布局無疑會(huì)帶來好處，并可改善器件性能。在WLP中，由于晶元上的所有器件的封裝步驟都是同時(shí)進(jìn)行的，成批加工可降低封裝成本。
附：Fan-in和Fan-out的區(qū)別
從技術(shù)特點(diǎn)上看，晶圓級(jí)封裝主要分為Fan-in和Fan-out兩種。
展開 盤點(diǎn)2020三維封裝技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展！
如何把環(huán)環(huán)相扣的芯片技術(shù)鏈系統(tǒng)整合到一起，才是未來發(fā)展的重心。有了先進(jìn)封裝技術(shù)，與芯片設(shè)計(jì)和制造緊密配合，半導(dǎo)體世界將會(huì)開創(chuàng)一片新天地。現(xiàn)在需要讓跑龍?zhí)兹甑?em>封裝技術(shù)走到舞臺(tái)中央。
日前，廈門大學(xué)特聘教授、云天半導(dǎo)體創(chuàng)始人于大全博士在直播節(jié)目中指出，隨著摩爾定律發(fā)展趨緩，通過先進(jìn)封裝技術(shù)來滿足系統(tǒng)微型化、多功能化成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新的引擎。在人工智能、自動(dòng)駕駛、5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的加持下，使得三維（3D）集成先進(jìn)封裝的需求越來越強(qiáng)烈，發(fā)展迅猛。
一、先進(jìn)封裝發(fā)展背景
封裝技術(shù)伴隨集成電路發(fā)明應(yīng)運(yùn)而生，主要功能是完成電源分配、信號(hào)分配、散熱和保護(hù)。伴隨著芯片技術(shù)的發(fā)展，封裝技術(shù)不斷革新。封裝互連密度不斷提高，封裝厚度不斷減小，三維封裝、系統(tǒng)封裝手段不斷演進(jìn)。隨著集成電路應(yīng)用多元化，智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、高性能計(jì)算、5G、人工智能等新興領(lǐng)域?qū)ο冗M(jìn)封裝提出更高要求，封裝技術(shù)發(fā)展迅速，創(chuàng)新技術(shù)不斷出現(xiàn)。
于大全博士在分享中也指出，之前由于集成電路技術(shù)按照摩爾定律飛速發(fā)展，封裝技術(shù)跟隨發(fā)展。高性能芯片需要高性能封裝技術(shù)。進(jìn)入2010年后，中道封裝技術(shù)出現(xiàn)，例如晶圓級(jí)封裝（WLP，Wafer Level Package）、硅通孔技術(shù)（TSV，Through Silicon Via）、2.5D Interposer、3DIC、Fan-Out 等技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化，極大地提升了先進(jìn)封裝技術(shù)水平。
當(dāng)前，隨著摩爾定律趨緩，封裝技術(shù)重要性凸顯，成為電子產(chǎn)品小型化、多功能化、降低功耗，提高帶寬的重要手段。先進(jìn)封裝向著系統(tǒng)集成、高速、高頻、三維方向發(fā)展。
展開 先進(jìn)封裝技術(shù)
來源：半導(dǎo)體封裝工程師之家
反封鎖的封裝技術(shù)
換句話說，SiP 是系統(tǒng)設(shè)計(jì)端與芯片設(shè)計(jì)端的無縫集成，將一個(gè)先進(jìn)的系統(tǒng)或子系統(tǒng)的架構(gòu)，全部或大部份電子功能配置在集成基板內(nèi)，而芯片以 2D、2.5D、3D 的方式，有機(jī)地接合到集成基板的封裝方式。
SiP 包括了多芯片模塊 (Multi-chip Module；MCM) 技術(shù)、多芯片封裝 (Multi-chip Package；MCP) 技術(shù)、芯片堆棧 (Stack Die)、封裝迭層 (Package on Package；PoP)、PiP (Package in Package)，以及將有源 / 無源組件內(nèi)埋于基板 (Embedded Substrate) 等技術(shù)。以結(jié)構(gòu)外觀來說，MCM 屬于二維的 2D 構(gòu)裝，而 MCP、Stack Die、PoP、PiP 等則屬于立體的 3D 構(gòu)裝；由于 3D 封裝更能符合小型化、高效能等需求，因而在近年來備受業(yè)界青睞。
Apple Watch 就是采用 SiP 技術(shù)的最佳案例。因?yàn)?iWatch 的內(nèi)部空間太小，它無法采用傳統(tǒng)的技術(shù)，而 SoC 的設(shè)計(jì)成本又太高，SiP 成了首要之選。將整個(gè)電腦架構(gòu)封裝成一顆芯片，不單縮小體積還滿足期望的效能，讓手表有更多的空間放電池。下圖四便是 Apple Watch 芯片的結(jié)構(gòu)圖，可以看到相當(dāng)多的 IC 包含在其中。
圖四 : Apple Watch 中采用 SiP 封裝的 S1 芯片內(nèi)部配置圖。
展開 一文讀懂 Intel 先進(jìn)封裝技術(shù)
Intel 多年來一直積極參與Fan-Out封裝計(jì)劃，我們將繼續(xù)評(píng)估需求數(shù)量是否會(huì)促使我們考慮FOPLP型封裝。
Intel 目前
已經(jīng)具備了這種能力，主要看
市場(chǎng)條件是否希望我們從晶圓轉(zhuǎn)向面板，
這是我們必須回答的問題，
我相信此類問題會(huì)繼續(xù)出現(xiàn)。
我們一直會(huì)在該領(lǐng)域進(jìn)行積極的研究和開發(fā)，
重要的是不論是任何類型的封裝技術(shù)，都試圖在空間中推動(dòng)特征尺寸提升。具體
以晶圓或面板的方式來做，
我認(rèn)為市場(chǎng)會(huì)為我們做出決定。
Suny Li ~9
摩爾定律逐漸式微，當(dāng)前SiP封裝技術(shù)被作為半導(dǎo)體封裝的新突破，服務(wù)器中的CPU和FPGA也需要高端SiP，請(qǐng)問英特爾怎么看待SiP封裝技術(shù)？是否會(huì)在SiP這塊進(jìn)行布局？
此外，Intel 的 EMIB、CO-EMIB和 Foveros 技術(shù)可以看作系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)嗎？
Johanna Swan ~9
我認(rèn)為SiP系統(tǒng)級(jí)封裝肯定會(huì)繼續(xù)。SiP技術(shù)包括我前面提到的2D、2.5D和3D架構(gòu)。有時(shí)人們認(rèn)為系統(tǒng)級(jí)封裝是3D異構(gòu)集成的一部分，實(shí)際上，它不僅僅如此，系統(tǒng)級(jí)封裝更強(qiáng)調(diào)系統(tǒng)的有效性。
EMIB、CO-EMIB和 Foveros 技術(shù)都有助于構(gòu)成系統(tǒng)級(jí)封裝的一部分，系統(tǒng)級(jí)封裝更強(qiáng)調(diào)系統(tǒng)在封裝內(nèi)的實(shí)現(xiàn)，我們做居里模塊 (Curie modules) 的時(shí)候就在封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)。
SiP系統(tǒng)級(jí)封裝可以包括許多不同的東西，并完成系統(tǒng)的功能。很明顯，2D、2.5D 和 3D 都是可以成為系統(tǒng)級(jí)封裝的實(shí)現(xiàn)方式。
展開 干貨丨先進(jìn)封裝技術(shù)
來源：SMT之家
微電子封裝技術(shù)(SMT)發(fā)展現(xiàn)有形式
裸芯片技術(shù)主要形式
裸芯片技術(shù)有兩種主要形式：一種是COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)(Flip chip)。
COB技術(shù)：
用COB技術(shù)封裝的裸芯片是芯片主體和I/O端子在晶體上方，在焊接時(shí)將此裸芯片用導(dǎo)電/導(dǎo)熱膠粘接在PCB上，凝固后，用Bonder機(jī)將金屬絲(Al或Au)在超聲、熱壓的作用下，分別連接在芯片的I/O端子焊區(qū)和PCB相對(duì)應(yīng)的焊盤上，測(cè)試合格后，再封上樹脂膠。
與其它封裝技術(shù)相比，COB技術(shù)有以下優(yōu)點(diǎn)：價(jià)格低廉；節(jié)約空間；工藝成熟。COB技術(shù)也存在不足，即需要另配焊接機(jī)及封裝機(jī)，有時(shí)速度跟不上；PCB貼片對(duì)環(huán)境要求更為嚴(yán)格；無法維修等。
Flipchip技術(shù)：
Flip chip，又稱為倒裝片，與COB相比，芯片結(jié)構(gòu)和I/O端(錫球)方向朝下，由于I/O引出端分布于整個(gè)芯片表面，故在封裝密度和處理速度上Flipchip已達(dá)到頂峰，特別是它可以采用類似SMT技術(shù)的手段來加工，故是芯片封裝技術(shù)及高密度安裝的最終方向。90年代，該技術(shù)已在多種行業(yè)的電子產(chǎn)品中加以推廣，特別是用于便攜式的通信設(shè)備中。
裸芯片技術(shù)是當(dāng)今最先進(jìn)的微電子封裝技術(shù)。隨著電子產(chǎn)品體積的進(jìn)一步縮小，裸芯片的應(yīng)用將會(huì)越來越廣泛。
文章來源于：tiankezhineng
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