微波射頻產(chǎn)業(yè)的案例
2024深圳國際微波射頻技術(shù)及應(yīng)用展覽會
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2024深圳國際微波射頻技術(shù)及應(yīng)用展覽會
2024 Shenzhen International Holdings International Microwave RF Technology and Application Exhibition
時間：2024年4月9 日-11日
地點：深圳會展中心（福田）
參展咨詢：金丹137 6181 8142（同微信） QQ：362502110
Email:cdekmh@163.com
網(wǎng)站：www.kmfwuexpo.com
展會介紹：
5G毫米波及基站產(chǎn)業(yè)鏈正在蓬勃發(fā)展,射頻與微波技術(shù)在軍工和民用領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛,氮化鎵技術(shù)、陣列天線、太赫茲技術(shù)取得了眾多實質(zhì)性進(jìn)展;越來越多的企業(yè)開始了6G預(yù)研,處于同樣的毫米波段的兩代技術(shù)是否意味著產(chǎn)品在設(shè)計、工藝、材料和相關(guān)測試方面都將順利發(fā)展。射頻微波作為電子元器件的重要組成部分，國家產(chǎn)業(yè)政策對電子元器件發(fā)展的支持，將對電子元器件整體產(chǎn)業(yè)發(fā)展及其中電容器領(lǐng)域的發(fā)展產(chǎn)生積極作用。
深圳是中國重要的軍工、航空/航天、雷達(dá)、空間技術(shù)產(chǎn)業(yè)基地,聚集了一大批優(yōu)秀的微波射頻器件 制造企業(yè)和科研院所。依托深圳城市的優(yōu)勢“2024深圳國際微波射頻技術(shù)應(yīng)用展覽會”將于2024年4月09-11日在深圳會展中心舉辦，作為第十二屆中國電子信息博覽會的重磅項目展會之一，受到了線上線下廣大工程師和研究人員的青睞，同期舉辦“中國微波射頻技術(shù)研討會”聚焦了微波射頻領(lǐng)域的前沿技術(shù)和熱門議題包括：無線能量傳輸、微波技術(shù)在加速5G部署方面的作用、5G/6G前沿技術(shù)研究、5G時代下的電磁兼容挑戰(zhàn)與發(fā)展、毫米波電路與天線、雷達(dá)感知、集成封裝、人工電磁超材料等。
展開 行業(yè)應(yīng)用方案 | 微波射頻電路、IC及微系統(tǒng)
微波射頻電路是雷達(dá)、通信、導(dǎo)航、測控、電子對抗及數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)中重要的組成部分。
在國防科技以及5G技術(shù)發(fā)展的推動下，雷達(dá)和無線通信系統(tǒng)的指標(biāo)如發(fā)射功率、接收靈敏度、帶寬、通道一致性等不斷提高，不斷推動射頻微波技術(shù)向毫米波和太赫茲，寬帶和超寬帶，高功率發(fā)射，高靈敏度等方向發(fā)展，此外新的器件和工藝如MMIC、LTCC、SiP、SoC等持續(xù)涌現(xiàn)，這些都為微波射頻電路設(shè)計帶來了新的挑戰(zhàn)。
另外，隨著系統(tǒng)小型化和高集成度的要求，射頻集成微系統(tǒng)已經(jīng)成為射頻電路發(fā)展的熱門方向。射頻微系統(tǒng)通過半導(dǎo)體和封裝工藝集成無源和有源器件，集成度高、設(shè)計難度大，一旦設(shè)計指標(biāo)未達(dá)到要求，重新設(shè)計成本非常高。
因此在需求推動和新技術(shù)引領(lǐng)下，微波射頻電路設(shè)計必須充分挖掘射頻器件的性能潛力，充分考慮電路版圖中互連結(jié)構(gòu)的高頻耦合效應(yīng)和寄生效應(yīng)，充分考慮射頻電路與天線互相影響，才能降低設(shè)計風(fēng)險，提高設(shè)計成功率，確保以較低的成本、較短的周期完成最終設(shè)計。
Ansys以電磁場仿真為基礎(chǔ)，結(jié)合電路與系統(tǒng)仿真和多物理場仿真，能夠?qū)?em>微波射頻電路與系統(tǒng)進(jìn)行全方位的虛擬仿真設(shè)計與優(yōu)化。基于Ansys工具，通過系統(tǒng)仿真，研究射頻電路與數(shù)字調(diào)制之間的指標(biāo)分配；通過電路和器件仿真，實現(xiàn)高性能的微波電路和器件設(shè)計；通過場路協(xié)同仿真，更準(zhǔn)確地評估射頻天線系統(tǒng)的整體性能；通過芯片-封裝-系統(tǒng)的微系統(tǒng)級仿真，評估復(fù)雜工況和極小尺寸下的產(chǎn)品性能。
展開 行業(yè)應(yīng)用方案 | 微波射頻電路、IC及微系統(tǒng)
Ansys 行業(yè)應(yīng)用方案連載（1）
微波射頻電路、IC及微系統(tǒng)
微波射頻電路是雷達(dá)、通信、導(dǎo)航、測控、電子對抗及數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)中重要的組成部分。
在國防科技以及5G技術(shù)發(fā)展的推動下，雷達(dá)和無線通信系統(tǒng)的指標(biāo)如發(fā)射功率、接收靈敏度、帶寬、通道一致性等不斷提高，不斷推動射頻微波技術(shù)向毫米波和太赫茲，寬帶和超寬帶，高功率發(fā)射，高靈敏度等方向發(fā)展，此外新的器件和工藝如MMIC、LTCC、SiP、SoC等持續(xù)涌現(xiàn)，這些都為微波射頻電路設(shè)計帶來了新的挑戰(zhàn)。
另外，隨著系統(tǒng)小型化和高集成度的要求，射頻集成微系統(tǒng)已經(jīng)成為射頻電路發(fā)展的熱門方向。射頻微系統(tǒng)通過半導(dǎo)體和封裝工藝集成無源和有源器件，集成度高、設(shè)計難度大，一旦設(shè)計指標(biāo)未達(dá)到要求，重新設(shè)計成本非常高。
因此在需求推動和新技術(shù)引領(lǐng)下，微波射頻電路設(shè)計必須充分挖掘射頻器件的性能潛力，充分考慮電路版圖中互連結(jié)構(gòu)的高頻耦合效應(yīng)和寄生效應(yīng)，充分考慮射頻電路與天線互相影響，才能降低設(shè)計風(fēng)險，提高設(shè)計成功率，確保以較低的成本、較短的周期完成最終設(shè)計。
Ansys以電磁場仿真為基礎(chǔ)，結(jié)合電路與系統(tǒng)仿真和多物理場仿真，能夠?qū)?em>微波射頻電路與系統(tǒng)進(jìn)行全方位的虛擬仿真設(shè)計與優(yōu)化。基于Ansys工具，通過系統(tǒng)仿真，研究射頻電路與數(shù)字調(diào)制之間的指標(biāo)分配；通過電路和器件仿真，實現(xiàn)高性能的微波電路和器件設(shè)計；通過場路協(xié)同仿真，更準(zhǔn)確地評估射頻天線系統(tǒng)的整體性能；通過芯片-封裝-系統(tǒng)的微系統(tǒng)級仿真，評估復(fù)雜工況和極小尺寸下的產(chǎn)品性能。
展開 射頻/微波/毫米波：雷達(dá)，收發(fā)機(jī)，天線，器件
咨詢，培訓(xùn)，委托開發(fā)
《Ansys_微波射頻電路與系統(tǒng)-連接器》現(xiàn)已開放領(lǐng)取
射頻連接器的設(shè)計難點
1.1 連接器的設(shè)計挑戰(zhàn)
1.1.1 電磁設(shè)計
1.1.2 結(jié)構(gòu)可靠性設(shè)計
1.1.3 散熱設(shè)計
1.2 連接器的電氣性能
1.3 電磁與熱及結(jié)構(gòu)的多物理場耦合分析
2. ANSYS全面的連接器多物理場仿真解決方案
2.1 ANSYS多物理場概述
2.1.1 電磁場解決方案
2.1.2 熱/應(yīng)力解決方案
2.1.3 流體動力學(xué)解決方案
3. 案例 – N型連接器的多物理場可靠性分析
3.1 仿真設(shè)計過程
3.2 建立多物理場仿真流程
3.2.1 熱仿真分析
3.2.2 熱性能分析結(jié)果
3.2.3 不同輸入功率下的溫升曲線
3.3 結(jié)構(gòu)仿真
4. 案例 – 射頻直角接頭的電熱耦合分析
4.1 直角接頭的材料選用
4.2 設(shè)計要點:支撐介質(zhì)
4.3 Teflon熱性能分析
4.4 Fluoroloy H熱性能分析
4.5 連接器熱性能
5. 案例 – AEDT平臺連接器的電熱耦合分析
5.3 AEDT平臺的電-熱材料定義
5.4 AEDT平臺的電-熱耦合仿真
6.
展開 微波射頻電路、IC及微系統(tǒng)設(shè)計領(lǐng)域有哪些前沿技術(shù)挑戰(zhàn)？
微波射頻電路是雷達(dá)、通信、導(dǎo)航、測控、電子對抗及數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)中重要的組成部分。在科技以及5G技術(shù)發(fā)展的推動下，雷達(dá)和無線通信系統(tǒng)的指標(biāo)如發(fā)射功率、接收靈敏度、帶寬、通道一致性等不斷提高，不斷推動射頻微波技術(shù)向毫米波和太赫茲，寬帶和超寬帶，高功率發(fā)射，高靈敏度等方向發(fā)展，此外新的器件和工藝如MMIC、LTCC、SiP、SoC等持續(xù)涌現(xiàn)，這些都為微波射頻電路設(shè)計帶來了新的挑戰(zhàn)。
另外，隨著系統(tǒng)小型化和高集成度的要求，射頻集成微系統(tǒng)已經(jīng)成為射頻電路發(fā)展的熱門方向。射頻微系統(tǒng)通過半導(dǎo)體和封裝工藝集成無源和有源器件，集成度高、設(shè)計難度大，一旦設(shè)計指標(biāo)未達(dá)到要求，重新設(shè)計成本非常高。
因此在需求推動和新技術(shù)引領(lǐng)下，微波射頻電路設(shè)計必須充分挖掘射頻器件的性能潛力，充分考慮電路版圖中互連結(jié)構(gòu)的高頻耦合效應(yīng)和寄生效應(yīng)，充分考慮射頻電路與天線互相影響，才能降低設(shè)計風(fēng)險，提高設(shè)計成功率，確保以較低的成本、較短的周期完成最終設(shè)計。
Ansys以電磁場仿真為基礎(chǔ)，結(jié)合電路與系統(tǒng)仿真和多物理場仿真，能夠?qū)?em>微波射頻電路與系統(tǒng)進(jìn)行全方位的虛擬仿真設(shè)計與優(yōu)化。基于Ansys工具，通過系統(tǒng)仿真，研究射頻電路與數(shù)字調(diào)制之間的指標(biāo)分配；通過電路和器件仿真，實現(xiàn)高性能的微波電路和器件設(shè)計；通過場路協(xié)同仿真，更準(zhǔn)確地評估射頻天線系統(tǒng)的整體性能；通過芯片-封裝-系統(tǒng)的微系統(tǒng)級仿真，評估復(fù)雜工況和極小尺寸下的產(chǎn)品性能。Ansys仿真技術(shù)最終實現(xiàn)微波射頻電路與系統(tǒng)的高效率、高質(zhì)量設(shè)計。
Ansys微波射頻電路、IC及微系統(tǒng)解決方案以三維全波電磁場仿真軟件HFSS為基礎(chǔ)，結(jié)合電路仿真及電-熱-結(jié)構(gòu)多物理場仿真技術(shù)，提供完整的仿真設(shè)計與優(yōu)化方案。
展開 GaN產(chǎn)業(yè)鏈—射頻通信大顯身手，功率器件或后來居上
來源：平安證券
智芯研報 | 5G 手機(jī)給射頻前端帶來巨大產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
射頻前端產(chǎn)業(yè)目前是IDM模式最成功的領(lǐng)域。就在其它半導(dǎo)體芯片市場（如處理器、SoC等）Fabless模式占據(jù)大半江山的時候，在射頻前端市場仍然是IDM獨大，這是因為射頻前端設(shè)計需要仔細(xì)結(jié)合器件制造工藝，有時候甚至?xí)榱嗽O(shè)計而調(diào)整工藝。
目前射頻前端領(lǐng)域的巨頭Skyworks，Qorvo等都有自己的生產(chǎn)線，隨著未來5G時代對射頻前端器件的要求越來越高，制造工藝越來越復(fù)雜，預(yù)計IDM模式仍然將在未來的射頻前端行業(yè)占據(jù)主導(dǎo)地位。
“基帶供應(yīng)商切入射頻前端市場+整機(jī)商把控供應(yīng)鏈國產(chǎn)替代”，F(xiàn)abless迎來發(fā)展機(jī)遇
IDM模式雖然有這么多的好處，但是IDM模式最大的局限就在于對市場的反應(yīng)不夠迅速。由于IDM企業(yè)的“質(zhì)量”較大，所以“慣性”也大，因此對市場的反應(yīng)速度會比較慢。
其次，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需的投資十分巨大，沉沒成本高。晶圓生產(chǎn)線投資較大，而且每年的運(yùn)行保養(yǎng)、設(shè)備更新與新技術(shù)開發(fā)等成本占總投資的比例較高。這意味著除了少數(shù)實力強(qiáng)大的IDM廠商有能力擴(kuò)張外，其他的廠商根本無力擴(kuò)張，因此便催生出了Fabless模式。
在Fabless模式下，集成電路設(shè)計、晶圓制造、封測分別由專業(yè)化的公司分工完成，此模式中主要參與的企業(yè)類型有芯片設(shè)計廠商、晶圓制造商、外包封測企業(yè)。采用Fabless模式的公司處于產(chǎn)業(yè)鏈上游，技術(shù)密集程度高，芯片設(shè)計廠商在該種模式下起到龍頭作用，統(tǒng)一協(xié)調(diào)芯片設(shè)計后的生產(chǎn)、封測與銷售。
▼Fabless模式下產(chǎn)業(yè)鏈分工
同時，以華為為代表的設(shè)備商對于上游供應(yīng)鏈的把控和“國產(chǎn)替代”需求也將重塑產(chǎn)業(yè)鏈格局，國內(nèi)設(shè)計廠商有望迎來替代機(jī)遇，我們看好未來射頻前端的國產(chǎn)替代邏輯。國內(nèi) 射頻器件的生產(chǎn)廠商以Fabless為主，在代工廠工藝的挹注下，產(chǎn)業(yè)鏈將迎來加速國產(chǎn)替代的機(jī)遇。
展開 你身邊的第三代半導(dǎo)體
由國聯(lián)萬眾負(fù)責(zé)運(yùn)營的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)孵化中心，聚焦第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)，主要圍繞以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體器件和模塊的技術(shù)應(yīng)用，打造從裝備－材料－器件－模塊－應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，孵化領(lǐng)域包括節(jié)能照明、第五代移動通信（5G）、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源、智能制造、雷達(dá)探測、消費類電子等產(chǎn)業(yè)。中心集成了開放式的公共研發(fā)平臺以及中試技術(shù)平臺，并吸收了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟廣大成員企業(yè)參加，有利于通過孵化中心建設(shè)集成多方面創(chuàng)新要素，形成從應(yīng)用需求出發(fā)、全鏈條部署、一體化實施的創(chuàng)新與創(chuàng)業(yè)體系。
國聯(lián)萬眾還成立國際第三代半導(dǎo)體眾聯(lián)空間（以下簡稱“眾聯(lián)空間”），眾聯(lián)空間以培育和孵化光電子、電力電子、微波射頻產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的優(yōu)秀項目團(tuán)隊和中小型科技企業(yè)為目標(biāo)，自成立之日起，圍繞產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈，圍繞創(chuàng)新鏈配置資源鏈，圍繞資源鏈搭建生產(chǎn)鏈，打造北京市順義區(qū)第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，構(gòu)建集技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和人才匯聚于一體的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)、科技成果轉(zhuǎn)化和創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)服務(wù)平臺，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。
展開 深度解析：第三代半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵技術(shù)、產(chǎn)業(yè)集群、發(fā)展趨勢與展望等！
GaN-on-sapphire主要應(yīng)用在LED市場，主流尺寸為4英寸；GaN-on-Si主要應(yīng)用于電力電子和光電子市場，實現(xiàn)批量生產(chǎn)6-8英寸Si上 GaN外延片，克服了大尺寸Si襯底上GaN外延材料的開裂和翹曲等關(guān)鍵技術(shù)問題，部分技術(shù)處于國際先進(jìn)水平；GaN-on-SiC主要應(yīng)用在微波射頻市場，中國已成功生長出高質(zhì)量的4英寸SiC襯底上GaN HEMT器件外延片；GaN-on-GaN主要應(yīng)用市場是藍(lán)/綠光激光器，中國還未實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
在電力電子器件方面：中國多家企業(yè)和科研機(jī)構(gòu)已經(jīng)掌握了SiC SBD和JFET的量產(chǎn)技術(shù)，實現(xiàn)650V-1700V的SiC SBD產(chǎn)品大規(guī)模出貨以及3300V SiC SBD產(chǎn)品樣品。研制出650V-1700V的SiC MOSFET產(chǎn)品，尚不具備產(chǎn)業(yè)化能力。GaN電力電子器件方面，已經(jīng)實現(xiàn)了650V及以下Si上GaN電力電子器件的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，但主要以分立器件為主，系統(tǒng)集成度和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵指標(biāo)與國際先進(jìn)水平有差距；已經(jīng)研發(fā)出面向新能源汽車應(yīng)用的1200V Si上GaN器件，尚未取得應(yīng)用突破。
在微波射頻器件方面：GaN微波射頻器件主要包括SiC基GaN、Si基GaN和金剛石基GaN的功率放大器。對于SiC基GaN工藝，主要應(yīng)用場景是軍事和國防領(lǐng)域的雷達(dá)、衛(wèi)星通信，對輸出功率要求比較高，中國已經(jīng)研制出覆蓋C波段和Kα波段多款軍用GaN HEMT及MMIC；在民用方面，中國推出了用于無線通信基站的GaN微波功率管，但在可靠性、工藝技術(shù)方面還存在較大差距。對于Si基GaN器件來說，主要應(yīng)用場景是規(guī)模巨大的5G通信系統(tǒng)，輸出功率要求不高，對低成本、高性價比的要求相對比較高，中國已經(jīng)推出了相關(guān)產(chǎn)品，但還未大規(guī)模應(yīng)用。
展開 智芯研報 | 半導(dǎo)體新格局
根據(jù)CASA統(tǒng)計，2019年中國GaN、SiC電力電子產(chǎn)業(yè)值為26億元，同比增長84%，2016-2019年復(fù)合增速高達(dá)230.53%；GaN微波射頻產(chǎn)值方面，中國科技部于2016年9月立項國家重點研發(fā)計劃，旨在實現(xiàn)GaN器件與電路在5G通信系統(tǒng)中的應(yīng)用，推動中國第三代半導(dǎo)體在射頻功率領(lǐng)域的長足發(fā)展。根據(jù)CASA，中國GaN微波射頻產(chǎn)業(yè)值從2016年的2.785億元提升至2019年的38億元（預(yù)估），年復(fù)合增速為138.96%。
而對于第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，中國給予了高度重視，早在2013年，科技部“863計劃”就將第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)列為國家戰(zhàn)略發(fā)展產(chǎn)業(yè)。2016年，國務(wù)院印發(fā)的《“十三五”國家科技創(chuàng)新規(guī)劃》中，將第三代半導(dǎo)體列為國家科技創(chuàng)新項目中“重點新材料研發(fā)及應(yīng)用”重要方向之一。
2019年12月，國家級戰(zhàn)略《長江三角洲區(qū)域一體化發(fā)展規(guī)劃綱要》明確要求加快培育布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，推動制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展；2020年7月，國務(wù)院發(fā)布的《新時期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》指出，國家鼓勵的集成電路設(shè)計、裝備、材料、封裝、測試企業(yè)和軟件企業(yè)，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第五年按照25%法定稅率減半征收企業(yè)所得稅；2021年，“十四五”規(guī)劃出爐，提出要瞄準(zhǔn)集成電路等前沿領(lǐng)域，推動碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。
在5G通信、新能源汽車、快充、綠色照明等新興需求崛起和國家政策大力支持的雙重驅(qū)動下，預(yù)計中國第三代化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模有望實現(xiàn)快速增長。《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價值白皮書》指出，2019年中國第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模為94.15億元，預(yù)計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度，到2022年市場規(guī)模將達(dá)到623.42億元。
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