光刻設備
關注創建者：匿名 創建時間：2025-11-10
光刻設備的實例教程
雖然由于合同中的保密條款未能披露具體細節，但證券市場消息稱，該協議將使ASML在五年內提供總共50套設備，而每臺單價約為2000億韓元（約合人民幣11.02億元），總價值可達10萬億韓元（約合人民幣551億元）。
目前尚不清楚其合同中的產品是現有EUV光刻設備還是下一代“High NA EUV”光刻設備。不過，目前EUV光刻設備最大的問題是產量有限。據官方介紹，它“比衛星部件還復雜”，每年只能生產很有限的數量。據說去年是40臺，今年ASML估計是60臺。而目前需要且能購買到EUV光刻設備的廠商有五家：三星電子、臺積電、英特爾、SK海力士和美光。其中，臺積電約占供應量的70%，剩下四家公司爭奪剩下的30%。
三星電子于去年6月推出了全球首個采用全柵極（GAA）技術的3nm代工技術，因此該公司一直在努力確保采購更多EUV光刻設備，目標是在明年上半年進入3nm世代的第二代工藝，在2025年進入2nm工藝，在2027年進入1.4nm工藝。
正因如此，李在镕董事長去年6月訪問了ASML總部，與首席執行官Peter Bennink討論了EUV采購問題，并在同年11月訪問韓國期間與Bennink進行了進一步會談。鑒于EUV的交付周期（從下單到收貨）至少需要一年，這些會議看起來確實取得了實際成果。
展開 來源：內容來自解放軍報社裝備發展部分社，作者 鄒維榮、呂珍慧
我國成功研制出世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備
可加工22納米芯片
▲超分辨光刻裝備核心部件納米定位干涉儀以及精密間隙測量系統。
軍報記者成都11月29日電（呂珍慧、記者鄒維榮）國家重大科研裝備研制項目“超分辨光刻裝備研制”29日通過驗收，這是我國成功研制出的世界首臺分辨力最高紫外超分辨光刻裝備。該光刻機由中國科學院光電技術研究所研制，光刻分辨力達到22納米，結合多重曝光技術后，可用于制造10納米級別的芯片。
▲超分辨光刻設備核心部件超分辨光刻鏡頭。
中科院理化技術研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示，該光刻機在365納米光源波長下，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。項目在原理上突破分辨力衍射極限，建立了一條高分辨、大面積的納米光刻裝備研發新路線，繞過了國外相關知識產權壁壘。
▲超分辨光刻設備加工的4英寸光刻樣品。
▲采用超分辨光刻設備加工的超導納米線單光子探測器。
光刻機是制造芯片的核心裝備，我國在這一領域長期落后。
展開 5月17日消息，據韓國媒體Business Korea報導，韓國產業通商資源部于5月13日對外宣布，全球光刻機龍頭大廠阿斯麥（ASML）計劃在韓國建設光刻設備再制造工廠及培訓中心，新廠預計在2025年建設完成。
所謂再制造，指的是以舊的機器設備為毛坯，采用專門的工藝和技術，在原有制造的基礎上進行一次新的制造，而且重新制造出來的產品無論是性能還是質量都不亞于原先的新品。
據媒體介紹，阿斯麥計劃未來四年將在韓國投資2400億韓元（約合13.7億人民幣），于京畿道華城市打造一座EUV（極端遠紫外光源）光刻設備再制造廠以及一家培訓中心，由京畿道政府對阿斯麥在當地的授權、擴張業務提供協助。其EUV光刻設備再制廠的主要用途就是為韓國當地運行的EUV光刻機的維護和升級提供助力。
據了解，此前韓國發布半導體強國建設戰略規劃，將半導體研發稅額抵扣率提升至40～50%，并且還擬斥資約4500億美元建設全球最大的芯片制造基地，韓國想躋身芯片半導體大國行列的意圖不言而喻，此次阿斯麥赴韓國建廠，對加快韓國半導體建設將會有很大的助力。
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展開 各個工藝節點和工藝及光刻機光源類型的關系圖
根據業界的實際情況，英特爾和臺積電一直到7nm工藝節點都依然使用浸入式ArF的光刻設備。但是對于下一代的工藝，則必須采用EUV光源的設備了。目前全球只有ASML一家能夠提供波長為13.5nm的EUV光刻設備。毫無疑問，未來5nm和3nm的工藝，必然是EUV一家的天下。事實上，三星在7nm節點上便已經采用了EUV光刻設備，而中芯國際此前也訂購了一臺EUV用于7nm工藝的研發。
在售的部分光刻機的列表及相關參數
目前光刻設備按照曝光方式分為Stepper和Scanner兩種。Stepper是傳統的一次性將整個區域進行曝光；而Scanner是鏡頭沿Y方向的一個細長空間曝光，硅片和掩模同時沿X方向移動經過曝光區動態完成整個區域的曝光。和Stepper相比，Scanner不僅圖像畸變小、一致性高，而且曝光速度也更快。所以目前主流光刻機都是Scanner，只有部分老式設備依舊是Stepper。上表中如果沒有特別注明，都是屬于Scanner類型。
展開 ASML總部位于荷蘭，脫胎于 飛利浦 光刻設備研究組，1995年在納斯達克上市。
來源：中證網
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3 、生產設備：單晶襯底生長設備、刻蝕與拋光設備、離子注入機、薄膜沉積設備、光刻與刻蝕設備、封裝測試設備等：
█展位收費：
參展項目，規格及要求，國內企業，合資企業，外資企業
標準展位，3m x 3m，17800元/個/展期，22800元/個/展期，5000美元/個/展期
雙開展位，3m x 3m，19800元/個/展期，25800元/個/展期，5500美元/個/展期
室內空地，
、光刻機、刻蝕機、離子注入設備、CVD/PVD設備固晶機、等離子清洗設備、切割機、裝片機、鍵合機、焊線機、回流焊,波峰焊、測試機、分選機、耦合機、載帶成型機、檢測設備、恒溫恒濕試驗箱、傳感器、封裝模具、測試治具、精密滑臺、步進電機、閥門、探針臺、潔凈室設備、水處理等;
半導體材料：
硅晶圓、硅晶片、光刻膠、晶圓膠帶、光掩膜版、電子氣體、CMP拋光材料、光阻材料、濕電子化學品、濺射靶材
比如在半導體制造中，對光刻機等精密設備的位移進行實時監測和調整，確保芯片的光刻精度。
（3）零部件尺寸和形狀檢測：可以檢測零部件的尺寸誤差和形狀誤差，如對汽車發動機缸體、活塞等零部件的尺寸和形狀進行高精度測量，保證零部件的質量和裝配精度。
（4）光學元件檢測：在光學元件的生產制造中，用于檢測透鏡的曲率半徑、表面粗糙度、薄膜膜厚、光學元件的形狀等。
Top 1 阿斯麥（ASML）-荷蘭
全球第一大光刻機設備商，同時也是全球唯一可提供7nm及以下先進制程的EUV光刻機設備商。Q3'23半導體業務營收同比增長24.4%，2022年ASML主要由于Fast shipment，需要客戶完成工廠驗證才能確認營收，延遲至2023年營收開始增長。
目前尚不清楚其合同中的產品是現有EUV光刻設備還是下一代“High NA EUV”光刻設備。不過，目前EUV光刻設備最大的問題是產量有限。據官方介紹，它“比衛星部件還復雜”，每年只能生產很有限的數量。據說去年是40臺，今年ASML估計是60臺。而目前需要且能購買到EUV光刻設備的廠商有五家：三星電子、臺積電、英特爾、SK海力士和美光。
Top 1 阿斯麥（ASML）-荷蘭
全球第一大光刻機設備商，同時也是全球唯一可提供7nm及以下先進制程的EUV光刻機設備商。1H'23半導體業務營收同比增長54.7%，2022年ASML主要由于Fast shipment，需要客戶完成工廠驗證才能確認營收，延遲至2023年營收開始增長。
演講主題：《直寫光刻技術在面板顯示行業應用展望》
演講嘉賓：芯碁微電子裝備股份有限公司 副總經理 曲魯杰
芯碁微電子裝備股份有限公司 副總經理 曲魯杰
芯碁微裝專注于微納直寫光刻設備的研發與生產。目前其已建成智能化研發制造基地，展示了直寫光刻在高世代線、OLED、Mini LED和Micro LED領域的應用前景。
然而，摩爾定律可能不再有效，因為技術進步已達到極限，并且由于使用極紫外 (EUV) 光刻系統等昂貴設備而導致成本上升。與此同時，市場對不斷完善的半導體技術的需求仍然很大。為了彌補技術進步方面的差距并滿足半導體市場的需求，出現了一種解決方案： 先進的半導體封裝技術。
盡管先進封裝非常復雜并且涉及多種技術，但互連技術仍然是其核心。
回顧芯片光刻產業歷程，21世紀的前20年里，由于全球芯片產業鏈條在浸入式DUV、EUV等投影式光刻技術的持續巨大投入，投影式光刻成為IC制造的主流技術，誕生了荷蘭ASML光刻設備巨頭，以及應用層面的臺積電、三星等國際芯片加工企業，納米壓印光刻逐漸退出IC制造技術的競爭，進入沉默期。
Top 2 阿斯麥（ASML）-荷蘭
全球第一大光刻機設備商，同時也是全球唯一可提供7nm及以下先進制程的EUV光刻機設備商。2022年半導體業務營收同比下降1.2%。
