如果這一局面延續，未來國產五維傳感芯片即使做出來，也可能面臨與海外主流系統不兼容、需要適配私有協議的被動局面，從而被鎖定在碎片化市場，難以形成規模效應。 （6）創新體系的“論文-產品”轉化斷層 國內高校和研究所（如浙大、北理工、長光所等）在計算光學、超構表面、壓縮感知等領域發表了大量高水平論文，申請了眾多專利。

分層多孔結構賦予樣品更為優越的隔熱性能：3D打印設計的毫米級孔和燒結過程中原位生成的介孔，使材料具備高孔隙率（90%）、低密度（0.26 g/cm3）及超低導熱系數（0.021 W?K/m）。 3. 此碳化硅氣凝膠復合材料的制備方法簡單且設計自由度高。3D打印可以實現成分和結構的高設計性，后續燒結過程中碳化硅納米線原位生長又避免了單獨制備氣凝膠的繁瑣步驟。

中國科學院上海硅酸鹽研究所團隊采用ZrSi2-MgO 燒結助劑制備高熱導率 Si3N4陶瓷， ZrSi2與Si3N4表面的SiO2反應生成ZrO2和β-Si3N4晶粒，其中新生成的 ZrO2 與 MgO 和Si3N4形成 Si-Zr-MgO-N 液相促進了Si3N4的致密化； 而原位生成的 β-Si3N4晶粒作為晶種則促進了晶粒的異常長大。

c) 帶有原位形成的界面層的共燒結 SE 和陰極示意圖。d) 具有三層三維互穿結構的 ASSLB 示意圖。e) 經 GPE 修飾的陰極/LLZTO 界面放大圖。f) LCO 表面原位生長的 Li3InCl6 圖。g) 提高低壓下容量性能的策略。 4.2.2.氧化物 SE/陰極界面 改善策略包括：低溫燒結、三維陰極、人造層。

Wang等采用原位聚合和乳液模板法制備了PS@BN復合材料，在填料含量為33.3% wt%時，得到的復合材料的??值為0.94 W/mK，同時有效提高了復合材料的機械強度和熱穩定性。該方法基于油水界面組裝，利用BN穩定水相中苯乙烯油滴形成穩定的Pickering乳液，采用原位聚合法制備表面覆蓋極薄BN層的PS微球。以初始微球模板為基礎，通過熱壓PS@BN微球形成三維導熱BN網絡(圖19a-d)。

例如美國萊斯大學的 Lou 和佐治亞理工學院 Zhu 等通過 CVD 方法制備了石墨烯，并對其進行了原位納米力學測試，發現斷裂應力大大低于石墨烯的固有強度。 得克薩斯大學奧斯汀分校的 Ruoff 教授等開發了一種 CVD 工藝，能夠在 300 mm 的大尺寸銅膜上生長單層石墨烯。

圖2d (i-iv)顯示了CHDN原位自愈過程的完整過程，耗時不到1 h。同樣，將厚度為~ 250 μm的CHDN膜切成兩段，在室溫下接觸2 h即可恢復(圖2e)。此外，將CHDN薄膜切割成小碎片并在80°C下壓制以獲得完整的薄膜，證明了其可回收性(圖2f)。CHDN的自愈能力和可回收性均源于在斷裂界面上二硫鍵的動態共價交換和重組 (如圖示1c)。

Zhu 等研究了金剛石含量對于復合材料熱導率的影響，利用原位反應放電等離子燒結技術(insitu reactive spark plasma sintering, SPS)制備了硅-金剛石-碳化硅復合材料(Si-diamond-SiC)，如圖 1 所示。

華北電力大學新能源電力系統國家重點實驗室 原位 | DOI：10.13334/j.0258-8013.pcsee.230136 摘要：半導體技術的進步使得芯片的尺寸得以不斷縮小，倒逼著封裝技術的發展和進步，也由此產生了各種各樣的封裝 形式。

2018年，ISFH采用區熔法（FZ）制備的P型硅片將POLO技術應用于IBC電池，在4cm2的電池面積上獲得了26.1%的POLO-IBC太陽電池光電轉換效率，但該結構制備流程相對復雜，使用了多次光刻和自對準的工藝；為了簡化工藝，ISFH公司在P型PERC電池的技術上疊加多晶硅沉積，在常規CZ法獲得的P型單晶硅片上制備POLO-IBC電池，利用原位摻雜制備摻雜多晶硅層，采用絲網印刷和共燒結形成金屬接觸