光柵被斜入射S和P偏振平面波照亮。JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度 S偏振光照明的近場強度 P偏振光照明的近場強度 后處理傅里葉變換計算散射場在上半空間的傅里葉變換。 在實驗中，遠場通常由成像的光學裝置來收集。后處理光學成像允許描述一個通用光學成像系統。

例如，用于執行通過噪聲分析、車內噪聲分析等 ? 根據位置因素，獲取最佳的等效聲源組合 PART.04 聲學指標工具新增了斜入射和擴散聲場激勵功能 多層材料的傳遞損失 (TL)、插入損失 (IL) 和吸聲系數，現在可以通過具有特定入射角的入射波或擴散聲場 (DSF) 進行解析評估。

圖1顯示了一個簡單的長波通濾波器在斜入射時的計算性能，其曲線標記為p-偏振、s-偏振和平均極化。這些名稱是什么意思？ 我們約定中的不連續性會造成很大的困難，因此我們確保斜入射約定與正常入射約定兼容。我們需要一個s和p偏振的約定，因此選擇電場的正方向，如圖3所示。

OpticStudio也允許在斜入射的情況下使用瓊斯矩陣表面，但這種情況下該分析功能只能提供近似結果。并且矩陣無法考慮電場在Z方向上的分量產生的影響，即雙折射現象或菲涅爾效應等。 如果使用瓊斯矩陣來模擬光延遲器件，則入射光必須垂直于該表面。

十字經過光學系統后的相干像(斜入射的s偏振入射平面波) 十字經過光學系統后的相干像(斜入射的p偏振入射平面波)

十字經過光學系統后的相干像(斜入射的s偏振入射平面波) 十字經過光學系統后的相干像(斜入射的p偏振入射平面波)

當打破結構對稱性后會產生一個的準BIC，進一步在斜入射下會產生巨大的手性。 圖1：金屬開口環超表面 圖2：手性透射譜 在CST仿真中我們選擇頻域求解器，介質板介電常數為2.2，損耗正切角設為0.009，金屬選擇銅。

我們約定中的不連續性會造成很大的困難，因此我們確保斜入射約定與正常入射約定兼容。我們需要一個s和p偏振的約定，因此選擇電場的正方向，如圖3所示。很明顯，這一慣例在正常情況下崩潰，如圖2所示。 圖2. 電矢量正方向的垂直入射慣例。這適用于所有可能的線偏振方向。 圖3. p和s偏振的電矢量正方向的慣例。 反射率R和透射率T是計算的重要參數，我們必須小心它們在斜入射時的定義。

光柵被斜入射S和P偏振平面波照亮。JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度 S偏振光照明的近場強度 P偏振光照明的近場強度 后處理傅里葉變換計算散射場在上半空間的傅里葉變換。 在實驗中，遠場通常由成像的光學裝置來收集。后處理光學成像允許描述一個通用光學成像系統。

在x和y方向我們選擇周期性邊界條件（注意：x方向設一個周期性邊界，y方向設一個周期性邊界），如下圖所示， z方向是我們的入射方向，在完美匹配層邊界處設置入射端口和出射端口。 這里我們選擇TM模式激發，考慮沿x軸斜入射的情況，磁場方向始終與波矢方向垂直，沿y方向。