有關(guān)仿真流程的更多信息，請參閱Traveling Wave Modulator（鏈接：https://optics.ansys.com/hc/en-us/articles/360042328774）。 背景 在行波電極結(jié)構(gòu)中，通過使用匹配負(fù)載終止微波信號，可顯著減少波導(dǎo)輸出端的反射。因此，該結(jié)構(gòu)克服了集總參數(shù)器件所受的RC常數(shù)限制。

Ansys RaptorH能夠提取所有無源器件以及任意布線布局（無論是成熟設(shè)計(jì)還是正在開發(fā)中的布局）的電磁模型。這些組件可以是平面（實(shí)心的或者帶孔的）、傳輸線、螺旋電感器和MIM/MOM電容器，它們可以與高速/高頻布線一起提取，以計(jì)算全耦合電磁模型。此外，憑借自動化的額外優(yōu)勢，使電磁提取任務(wù)的設(shè)置變得非常簡單且快速。

要獲得各向異性層對具有給定方位角φ的入射光的響應(yīng)，必須將相應(yīng)材料的光軸（即介電常數(shù)張量）旋轉(zhuǎn)-φ度。 2. Speos模型設(shè)置——傳感器色度和光譜采樣 選擇與STACK中仿真匹配的采樣非常重要。 更新模型 1. 定制材料 在該模型中，色散材料是通過預(yù)定義的擬合參數(shù)實(shí)現(xiàn)的。用戶可以定義其他色散或非色散材料。材料也可添加到材料數(shù)據(jù)庫中，該數(shù)據(jù)庫僅支持對角介電常數(shù)張量。

本文原刊登于Ansys.com：《The Difference Between MOM, MIM, and MOS Capacitors》 作者： Akanksha Soni | Ansys產(chǎn)品營銷經(jīng)理 編輯整理：Rodger Luo | Ansys 首席應(yīng)用工程師 從最基本的層面講，所有電容器都是通過由介電（絕緣）材料隔開的電導(dǎo)體（極板）來儲存能量的。

由于材料的折射率與其介電常數(shù)有關(guān)，而介電常數(shù)反過來又會影響其電磁傳播長度，因此負(fù)折射率超材料提供了可調(diào)的光學(xué)屬性，超越了傳統(tǒng)透鏡、反射鏡和光學(xué)設(shè)備的能力。 漸變折射率表面等離子體光子學(xué)超材料 此外，表面等離子體光子學(xué)超材料也可以經(jīng)過配置，以沿著其長度或表面顯示不同的折射率。例如，可以通過使用電子束光刻將PMMA等合成聚合物沉積到金納米表面來制造這些材料。

介電波導(dǎo) 介電波導(dǎo)是用于構(gòu)建光纖和片上波導(dǎo)的圓柱形波導(dǎo)。介電波導(dǎo)具有高折射率纖芯和低折射率包層。光波利用全內(nèi)反射原理傳播：當(dāng)光試圖從光密介質(zhì)進(jìn)入光疏介質(zhì)時(shí)，它會在材料界面被反射回光密介質(zhì)。因此，導(dǎo)波會被限制在光纖芯中，從而實(shí)現(xiàn)損耗盡可能低的遠(yuǎn)程傳輸。介電波導(dǎo)廣泛應(yīng)用于光通信和集成光學(xué)器件中。

c) 采用高介電常數(shù)的材料來替代二氧化硅。 但隨著電容的增大，RC回路的3 dB帶寬也將減小，因此設(shè)計(jì)者需要在調(diào)制效率于調(diào)制速度間權(quán)衡。 5) 結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點(diǎn)： 與PIN結(jié)組成的載流子注入型調(diào)制器相比，載流子積累型基于多數(shù)載流子，更適合高速調(diào)制，但相比載流子耗盡型，載流子積累型需要氧化物來充當(dāng)電容，增加了工藝難度，制造更為復(fù)雜。

電容器中使用了這些類型的材料（稱為電介質(zhì)），以提高其儲能能力。 電容器 電容器是在兩個(gè)極板之間產(chǎn)生的電場中存儲電能的電子設(shè)備。電容C用于衡量電容器的儲能能力。它與自由空間的介電常數(shù)成正比，因此，對于板面積A： 介電材料的介電常數(shù)增加，會導(dǎo)致電容增加。 電感器 同樣，電感器是在線圈導(dǎo)線內(nèi)部產(chǎn)生的磁場中存儲能量的電子設(shè)備。

金屬材料的介電特性對仿真準(zhǔn)確性至關(guān)重要。研究采用Drude-Debye模型計(jì)算銀的相對介電常數(shù)，該模型考慮了金屬介電常數(shù)的頻率依賴性，公式為： 其中 =3.8344（無限頻率相對介電常數(shù)）、ε?=-9530.5（靜態(tài)介電常數(shù)）、τ=7.4×10?1?s（弛豫時(shí)間）、σ=1.1486×10?s/m（電導(dǎo)率），空氣的介電常數(shù)設(shè)為1。 仿真結(jié)果清晰展現(xiàn)了優(yōu)化效果。

與此同時(shí)，我們采用地-信號-地（GSG）集總電極布局以實(shí)現(xiàn)寬帶電響應(yīng)。移相器的長度僅為15微米（圖1f），較傳統(tǒng)TFLN MZM縮小兩個(gè)數(shù)量級。通過光子/等離子體模式轉(zhuǎn)換器將LN波導(dǎo)的光學(xué)模式轉(zhuǎn)換為相移器的PSW模式（圖1g）。此外，PSW中緊湊的Au電極天然具有低RC常數(shù)特性，可支持太赫茲帶寬的電光調(diào)制。因此，經(jīng)PSW增強(qiáng)的TFLN MZM有望實(shí)現(xiàn)超高效率、超緊湊尺寸及超寬帶寬。