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大硅片的案例

又一百億級(jí)硅片項(xiàng)目開工!
作為國(guó)產(chǎn)大硅片的排頭兵,上海新昇取得進(jìn)展對(duì)于整個(gè)產(chǎn)業(yè)而言具有重要意義,超硅、中環(huán)股份、金瑞泓等企業(yè)項(xiàng)目也正在持續(xù)推進(jìn)中,業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)12英寸大硅片在3-5年之內(nèi)基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化是可預(yù)期的。 來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀察
中國(guó)硅片發(fā)展現(xiàn)狀
有見及此,最近兩年,國(guó)內(nèi)掀起了一股硅片建設(shè)潮。在本文里,楊院士給我們深入闡述了國(guó)產(chǎn)硅晶圓的現(xiàn)狀,謝謝關(guān)注。 摘要: 1)2017年全球需求:1160萬(wàn)片,國(guó)內(nèi)110萬(wàn)片。2020年國(guó)內(nèi)對(duì)12寸大硅片需求從42萬(wàn)片增加到105萬(wàn)片;2020年對(duì)8寸硅片需求從70萬(wàn)片增加到96.5萬(wàn)片。 2)硅片全球市場(chǎng)規(guī)模87億美元,占比31-33%,是份額最大的材料。預(yù)計(jì)到2020年,全球硅片市場(chǎng)規(guī)模110億美元。 3)國(guó)內(nèi)規(guī)劃中的12寸大硅片合計(jì):145萬(wàn)片,覆蓋國(guó)內(nèi)需求。包括:新昇30萬(wàn)片,金瑞泓10萬(wàn)片,中環(huán)領(lǐng)先15萬(wàn)片,京東方30萬(wàn)片,寧夏銀和10萬(wàn)片,鄭州合晶20萬(wàn)片,超硅30萬(wàn)片。 4)國(guó)內(nèi)規(guī)劃中的8寸大硅片合計(jì):168萬(wàn)片,總投資規(guī)模超過(guò)500億元,覆蓋國(guó)內(nèi)需求。包括:金瑞泓40萬(wàn)片(2019年),寧夏銀和25萬(wàn)片(2020年),鄭州合晶20萬(wàn)片(2019年),中環(huán)領(lǐng)先60-70萬(wàn)片(2019年),安徽易芯8萬(wàn)片(2018年)。 硅材料是集成電路的基礎(chǔ)材料, 2017年全球需求:1160萬(wàn)片,國(guó)內(nèi)110萬(wàn)片。 12寸大硅片 預(yù)計(jì)2020年將需求將從42萬(wàn)片增加到105萬(wàn)片。 8寸大硅片 預(yù)計(jì)2020年將需求將從70萬(wàn)片增加到96.5萬(wàn)片。 硅片全球市場(chǎng)規(guī)模87億美元,占比31-33%,是份額最大的材料。預(yù)計(jì)到2020年,全球硅片市場(chǎng)規(guī)模110億美元。 多晶硅純度達(dá)到9-11N,10億個(gè)硅原子中只能有一個(gè)雜志原子; 目前國(guó)際通用技術(shù)分為兩種:改良西門子工藝和硅烷工藝。 全球多晶硅2007-2017年增長(zhǎng)了10倍,增加的主要是光伏多晶硅。
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硅片、光刻膠、FMM等8高度依賴進(jìn)口的半導(dǎo)體材料解析
6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%,8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%,12寸硅片的ArF光刻膠目前尚無(wú)國(guó)內(nèi)企業(yè)可以規(guī)模生產(chǎn)。
硅片、光刻膠、FMM等8高度依賴進(jìn)口的半導(dǎo)體材料解析
按照產(chǎn)業(yè)鏈的邏輯,半導(dǎo)體材料主要分為襯底材料 (單晶硅、氮化硅等) 、工藝材料(包括光刻膠、掩膜版、工藝化學(xué)品、電子氣體、拋光材料、靶材)以及封裝材料三板塊。其中襯底材料、工藝材料和封裝材料比例約為1:2:2。新材料在線?選取了8高度依賴進(jìn)口的半導(dǎo)體材料進(jìn)行了解析。 一 大硅片 硅片也稱硅晶圓,是制造半導(dǎo)體芯片最重要的基本材料,其最主要的原料為單晶硅。硅片直徑越,其所能刻制的集成電路則越多,芯片的成本也隨之降低。尺寸硅片對(duì)技術(shù)的要求很高,良品率極低,企業(yè)進(jìn)入壁壘極高,全球大硅片市場(chǎng)形成寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。目前中國(guó)大陸自主生產(chǎn)的硅片以6英寸 (150mm) 為主,產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域仍然是光伏和低端分立器件制造,8英寸 (200mm) 和12英寸 (300mm) 的尺寸集成電路級(jí)硅片依然嚴(yán)重依賴進(jìn)口。 集成電路用硅片是制造技術(shù)門檻極高的尖端高科技產(chǎn)品,全球只有大約10家企業(yè)能夠制造,市場(chǎng)基本被日韓廠商壟斷。 二 光刻膠 光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,其成本約占整個(gè)芯片制造工藝的30%,耗費(fèi)時(shí)間約占整個(gè)芯片制造工藝的40%-60%,是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。 目前國(guó)內(nèi)光刻膠自給率僅10%,主要集中于技術(shù)含量相對(duì)較低的PCB領(lǐng)域。6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%,8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%,12寸硅片的ArF光刻膠目前尚無(wú)國(guó)內(nèi)企業(yè)可以規(guī)模生產(chǎn)。 三 高純?yōu)R射靶材 利用離子源產(chǎn)生的離子轟擊固體表面,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體稱為濺射靶材,是集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵材料,根據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域,分為半導(dǎo)體靶材、面板靶材、光伏靶材等。
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大硅片圖1
104頁(yè)P(yáng)DF限時(shí)下載 | 半導(dǎo)體硅片研究框架
導(dǎo)讀 本期分享的專題為“半導(dǎo)體大硅片研究框架”,主要內(nèi)容包括: 1."行業(yè)增長(zhǎng):需求驅(qū)動(dòng)" 2."行業(yè)趨勢(shì):技術(shù)引領(lǐng)" 3."行業(yè)壁壘:經(jīng)驗(yàn)積累" 4."行業(yè)格局:頭部集中" 5."
半導(dǎo)體周報(bào)|10nm及以下制程用品禁運(yùn);國(guó)產(chǎn)ArF光刻膠新突破;中晶硅片項(xiàng)目傳來(lái)新進(jìn)展;半導(dǎo)體設(shè)備銷售額或創(chuàng)紀(jì)錄...
中晶大硅片項(xiàng)目傳來(lái)新進(jìn)展 12月17日消息,據(jù)嘉興科技城消息顯示,年產(chǎn)1200萬(wàn)片300mm中晶大硅片項(xiàng)目,一期土建工程和外立面玻璃幕墻已完成,正開展內(nèi)部機(jī)電安裝和裝修工程,明年年初將試生產(chǎn)。 據(jù)介紹,中晶大硅片項(xiàng)目計(jì)劃總投資110億元,其中一期投資60億元,固定資產(chǎn)投資超56億元,用地面積139畝,計(jì)劃建設(shè)12英寸單晶硅片生產(chǎn)線。該項(xiàng)目總用地221畝,總建筑面積11.5萬(wàn)平方米,將新建拉晶廠房、拋光打磨廠房、綜合樓等,購(gòu)置硅片晶體檢測(cè)及分析、拉晶爐、切磨拋光、清洗等生產(chǎn)檢測(cè)設(shè)備。 中晶科技主營(yíng)業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體硅材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體硅片及半導(dǎo)體硅棒。處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游,其下游為半導(dǎo)體分立器件和集成電路制造業(yè)。 06 2.29億!
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硅片深度報(bào)告:半導(dǎo)材料第一藍(lán)海
——以下內(nèi)容已上傳【半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究】知識(shí)星球,成員可登錄星球搜索關(guān)鍵詞下載(文末查看如何成為星球成員)。 ~全篇完~ 歡迎成員登錄知識(shí)星球,搜索關(guān)鍵詞下載 【半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究】知識(shí)星球:為需要的朋友提供優(yōu)質(zhì)的報(bào)告資源! 如何成為星球成員? 掃碼即可進(jìn)入星球 成為星球成員后,電腦端搜索知識(shí)星球官網(wǎng),登錄網(wǎng)頁(yè)版,搜索關(guān)鍵詞,操作更方便! 編者建立了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交流群,僅限半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)人士加入,群內(nèi)歡迎大家交流探討行業(yè)問題。 入群請(qǐng)?zhí)砑尤褐魑⑿?備注:姓名+公司+主營(yíng)
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)你知道多少
方向來(lái)說(shuō): 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最上游是IC設(shè)計(jì)公司與硅晶圓制造公司,IC設(shè)計(jì)公司依客戶的需求設(shè)計(jì)出電路圖,硅晶圓制造公司則以多晶硅為原料制造出硅晶圓。中游的IC制造公司主要的任務(wù)就是把IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)好的電路圖移植到硅晶圓制造公司制造好的晶圓上。完成后的晶圓再送往下游的IC封測(cè)廠實(shí)施封裝與測(cè)試,就算完成了。 晶圓材料主要有硅片、光掩膜、光刻膠、光刻膠輔助設(shè)備、濕制程、濺射靶、拋光液、其他材料。封裝材料主要有層壓基板、引線框架、焊線、模壓化合物、底部填充料、液體密封劑、粘晶材料、錫球、晶圓級(jí)封裝介質(zhì)、熱接口材料。 在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,由于高端產(chǎn)品技術(shù)壁壘高,國(guó)內(nèi)企業(yè)長(zhǎng)期研發(fā)投入和積累不足,我國(guó)半導(dǎo)體材料在國(guó)際分工中多處于中低端領(lǐng)域,高端產(chǎn)品市場(chǎng)主要被歐美日韓臺(tái)等少數(shù)國(guó)際公司壟斷,比如:硅片全球市場(chǎng)前六公司的市場(chǎng)份額達(dá)90%以上,光刻膠全球市場(chǎng)前五公司的市場(chǎng)份額達(dá)80%以上,高純?cè)噭┤蚴袌?chǎng)前六公司的市場(chǎng)份額達(dá)80%以上,CMP材料全球市場(chǎng)前七公司市場(chǎng)份額達(dá)90%。 國(guó)內(nèi)部分產(chǎn)品自給率較低,基本不足30%,并且部分是技術(shù)壁壘較低的封裝材料,在晶圓制造材料方面國(guó)產(chǎn)化比例更低,主要依賴于進(jìn)口。另外,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料企業(yè)集中于6英寸以下生產(chǎn)線,目前有少數(shù)廠商開始打入國(guó)內(nèi)8英寸、12英寸生產(chǎn)線。 一、大硅片(占比33%) 硅片是最主要的半導(dǎo)體材料,歷年來(lái)硅晶圓片的市場(chǎng)銷售額占整個(gè)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)總銷售額的32%~40%。在具體的硅片方面,目前主流的硅片為300mm(12英寸)、200mm(8英寸)和150mm(6英寸)。單晶硅片直徑越,所能刻制的集成電路越多,芯片的成本也就越低。12英寸硅片自2009年開始市場(chǎng)份額超過(guò)50%,到2015年的份額已經(jīng)達(dá)到78%。
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芯片蠶食記!!!
萊蒂斯,是世界第三FPGA生廠商,雖然日子不好過(guò),但是FPGA技術(shù)確是中國(guó)正要補(bǔ)齊的半導(dǎo)體短板之一。 2017年4月10日中國(guó)IC資本5.8億美元現(xiàn)金收購(gòu)Xcerra集團(tuán),再次折戟特朗普。 從2013年到2017年中國(guó)在海外收購(gòu)中用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的超過(guò)100億美元。雖然無(wú)數(shù)次收購(gòu)嘗試只換來(lái)有限幾次成功的案例,當(dāng)時(shí)也實(shí)現(xiàn)了中國(guó)在制程,封測(cè),標(biāo)準(zhǔn)件,射頻等領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)布局。特別是封測(cè)領(lǐng)域,已經(jīng)處于世界領(lǐng)先水平,制程也開始突破。中芯國(guó)際傳來(lái)的消息顯示,14nm將于明年量產(chǎn),最關(guān)鍵的代差已經(jīng)越來(lái)越小。所以,這100多億美元的收購(gòu),現(xiàn)在算起來(lái)就非常合算,即使自己投入這筆錢,花上十年時(shí)間,也不見得能夠全部掌握這些技術(shù),而且還會(huì)遇上專利壁壘。 成果轉(zhuǎn)化 重大科技專項(xiàng)的成功是毋庸置疑的,所有成果都會(huì)在科技部網(wǎng)站上列出來(lái)。雖然進(jìn)展不是很快,有時(shí)候甚至懷疑科研機(jī)構(gòu)是不是在浪費(fèi)國(guó)家資金。但是科技專項(xiàng)解決的是技術(shù)的從0到1,這個(gè)突破確實(shí)很難,需要時(shí)間。半導(dǎo)體行業(yè),投入,時(shí)間長(zhǎng),出成績(jī)很難,當(dāng)下一步一個(gè)腳印,一點(diǎn)點(diǎn)擠牙膏似的突破,已經(jīng)足夠讓全世界側(cè)目。同時(shí),上萬(wàn)億的產(chǎn)業(yè)基金隨時(shí)待命,一個(gè)不缺錢的半導(dǎo)體時(shí)代,技術(shù)轉(zhuǎn)化的速度將前無(wú)古人。 例如,北方華創(chuàng)的蝕刻機(jī)和氧化爐,晶盛科技的硅生長(zhǎng)爐,新昇半導(dǎo)體的大硅片等,都在半導(dǎo)體國(guó)家產(chǎn)業(yè)基金的幫助下登錄資本市場(chǎng)。這樣的例子數(shù)不勝數(shù)。最近報(bào)道,北方華創(chuàng),晶盛科技都獲得了國(guó)內(nèi)下游廠商的巨額訂單,開啟了國(guó)產(chǎn)替代的關(guān)鍵步伐。而新昇半導(dǎo)體的大硅片更是突破了國(guó)外壟斷,現(xiàn)在還在認(rèn)證中,不過(guò)企業(yè)已經(jīng)扭虧為盈。同時(shí)國(guó)內(nèi)其它大硅片的項(xiàng)目已經(jīng)遍地開花。
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半導(dǎo)體材料全球格局
整體來(lái)看,我國(guó)半導(dǎo)體材料的國(guó)產(chǎn)化率仍處于較低水平,進(jìn)口替代空間。此外,隨著國(guó)內(nèi)晶圓廠的投資完成以及本土先進(jìn)制程推進(jìn),國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)有望持續(xù)增長(zhǎng),給本土材料廠商帶來(lái)較的導(dǎo)入機(jī)會(huì)。 2008-2019年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模(億美元) 從半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的具體構(gòu)成來(lái)看,根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),大硅片占比高達(dá)38%,電子特氣與掩膜版均占比13%位居次席,其余市場(chǎng)份額由光刻膠、靶材、CMP拋光材料等產(chǎn)品占據(jù)。 2018年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成 硅片:半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的半壁江山 如上圖所示,硅片是半導(dǎo)體材料中最重要的組成。而晶圓材料的發(fā)展歷程大致可分為三代:第一代為鍺、硅為代表;第二代主要是砷化鎵、磷化銦;第三代為氮化鎵、碳化硅等。目前部分晶圓仍以硅為主要原料。硅晶圓的加工可分為硅提純、拉晶、晶棒測(cè)試、外徑研磨、切片等流程。 硅晶圓制造過(guò)程 硅晶圓為IC的基底,朝尺寸方向發(fā)展。硅片主要使用在半導(dǎo)體集成電路中,用來(lái)制作硅晶圓當(dāng)成集成電路的基底。按照尺寸大小可分為6英寸、8英寸和12英寸,尺寸越,加工難度也越。由于集成電路的集成度越來(lái)越高,因此對(duì)尺寸硅片的需求量越來(lái)越硅片總體需求和集成電路芯片需求高度一致。
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旭化成退出薄膜業(yè)務(wù)!三井化學(xué)以約3.83億元收購(gòu)其光掩模薄膜業(yè)務(wù)
旭化成退出薄膜業(yè)務(wù)之后,將把重點(diǎn)放在全球市場(chǎng)上占有很份額的半導(dǎo)體制造用光敏樹脂材料上。 光掩模 光掩模,也叫半導(dǎo)體光罩,是半導(dǎo)體光刻工藝中的高精密工具,主要由基板和不透光材料組成,起到光刻機(jī)與大硅片的橋梁和紐帶作用。 從規(guī)模看,光掩膜僅約占芯片總成本的13%,其價(jià)值遠(yuǎn)低于占比38%的硅片,關(guān)注度更是與硅片相去甚遠(yuǎn)。但小小的光掩膜價(jià)值卻非比尋常,它不僅是芯片制造中必不可少的核心材料之一,其質(zhì)量的好壞更是直接決定芯片最終的性能。 全球領(lǐng)先的光掩模制造商的總部也大多設(shè)在日本。據(jù)CSET預(yù)計(jì),日本企業(yè)控制了53%的商業(yè)光掩模市場(chǎng),美國(guó)企業(yè)占比40%,臺(tái)灣企業(yè)占比7%。比如DNP、日本凸版印刷Toppan Photomasks兩家大廠都是日本廠商。 - END -
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大硅片圖2
上海:中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的一面旗幟
材料領(lǐng)域,上海新昇是國(guó)內(nèi)首個(gè)300mm大硅片項(xiàng)目的承擔(dān)主體,目前其正片已通過(guò)了華力微電子的認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)每月2000片的銷售,項(xiàng)目計(jì)劃總產(chǎn)能為60萬(wàn)片每月,預(yù)計(jì)今年年底將達(dá)月產(chǎn)能10萬(wàn)片。 相信業(yè)內(nèi)人士均有所了解,我國(guó)在300mm大硅片領(lǐng)域基本空白、完全依賴進(jìn)口,上海新昇作為300mm大硅片國(guó)產(chǎn)化的排頭兵,該項(xiàng)目的建設(shè)及量產(chǎn)出售等均對(duì)于國(guó)內(nèi)集成電路材料業(yè)具有較意義。 3. 人才建設(shè)體系 作為我國(guó)較早發(fā)展且產(chǎn)業(yè)鏈最完整的集成電路城市,上海已建立了較為完整的集成電路人才教育及培訓(xùn)體系。 上海市擁有復(fù)旦大學(xué)、上海交通大學(xué)、同濟(jì)大學(xué)、華東師范大學(xué)、上海大學(xué)等一眾高等院校,其中復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院是首批國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地之一、國(guó)家集成電路人才國(guó)際培訓(xùn)(上海)基地,具有豐富的集成電路人才培養(yǎng)經(jīng)驗(yàn)和雄厚的產(chǎn)學(xué)聯(lián)合基礎(chǔ); 上海交通大學(xué)微電子學(xué)院同樣是首批國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地之一,承擔(dān)了國(guó)家科技重大專項(xiàng)、國(guó)防重點(diǎn)、科技863重點(diǎn)項(xiàng)目等多個(gè)科研項(xiàng)目,形成了以系統(tǒng)級(jí)芯片設(shè)計(jì)、模擬與射頻芯片設(shè)計(jì)為主的兩個(gè)重點(diǎn)學(xué)科方向; 其他多個(gè)高等院校也設(shè)有集成電路相關(guān)專業(yè)及研究方向,如同濟(jì)大學(xué)有電子科學(xué)與技術(shù)系、超大規(guī)模集成電路研究所、微電子中心等院系與部門;華東師范大學(xué)有電子工程系,集中研究集成電路設(shè)計(jì)、新型半導(dǎo)體器件與材料和微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS);上海大學(xué)設(shè)有微電子研究與開發(fā)中心,專門研究與開發(fā)規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)、培養(yǎng)微電子學(xué)與固體電子學(xué)方向的碩士、博士人才等。
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視點(diǎn) | 吳漢明:本土可控的55nm芯片制造,比完全進(jìn)口的7nm更有意義
吳漢明認(rèn)為,中國(guó)的集成電路產(chǎn)業(yè)當(dāng)下主要面臨兩壁壘:政策壁壘和產(chǎn)業(yè)性壁壘。前者包括巴統(tǒng)和瓦森納協(xié)議,后者則是世界半導(dǎo)體龍頭長(zhǎng)期以來(lái)積累的專利,形成的專利護(hù)城河。 而在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),重點(diǎn)的三“卡脖子”制造環(huán)節(jié)包括了工藝、裝備/材料、設(shè)計(jì)IP核/EDA。他表示,在半導(dǎo)體材料方面,我國(guó)光刻膠、掩膜版、大硅片產(chǎn)品幾乎都要依賴進(jìn)口;在裝備領(lǐng)域,世界舞臺(tái)上看不到中國(guó)裝備的身影。 吳漢明強(qiáng)調(diào),自主可控固然重要,但也要認(rèn)識(shí)到集成電路產(chǎn)業(yè)是全球性的產(chǎn)業(yè)。以EUV光刻機(jī)為例,涉及到十多萬(wàn)零部件,需要5000多供應(yīng)商支撐,其中32%在荷蘭和英國(guó),27%供應(yīng)商在美國(guó),14%在德國(guó),27%在日本,這就體現(xiàn)了全球化技術(shù)協(xié)作的結(jié)果。在其中,“我們有哪些環(huán)節(jié)拿得住的?是我國(guó)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心點(diǎn)。” 除了設(shè)備方面,晶圓制造、芯片研發(fā)設(shè)計(jì)也是產(chǎn)業(yè)所面臨的難點(diǎn)。 “雖然芯片的難度和成本一直增加,但趨緩的摩爾定律給追趕者帶來(lái)機(jī)會(huì)。”吳漢明分析稱,在這些挑戰(zhàn)下,先進(jìn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、特色工藝和先進(jìn)封裝在芯片制造方面結(jié)合運(yùn)用,芯片制造領(lǐng)域大有可為。 他援引數(shù)據(jù)稱,10納米節(jié)點(diǎn)以下先進(jìn)產(chǎn)能占17%,83%市場(chǎng)在10納米以上節(jié)點(diǎn),創(chuàng)新空間巨大。在先進(jìn)制程研發(fā)不占優(yōu)勢(shì)的情況下,我國(guó)可以運(yùn)用成熟的工藝,把芯片的性能提升。也正是因此他提出一個(gè)觀點(diǎn):本土可控的55nm芯片制造,比完全進(jìn)口的7nm更有意義。
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中微5nm刻蝕機(jī)通過(guò)臺(tái)積電認(rèn)證
只見一片片300毫米大硅片被機(jī)械手抓起,放入真空反應(yīng)腔內(nèi),開始了它們的刻蝕之旅。“多種氣體會(huì)進(jìn)入真空反應(yīng)腔,經(jīng)過(guò)化學(xué)反應(yīng)變成等離子氣體,隨即產(chǎn)生帶電粒子和自由基,與硅片發(fā)生化學(xué)物理反應(yīng)。”中微首席專家、副總裁倪圖強(qiáng)說(shuō),這些化學(xué)物理反應(yīng)在硅片上開槽打洞,形成令人嘆為觀止的微觀結(jié)構(gòu),一塊指甲蓋大小的芯片可集成60多億個(gè)晶體管。 方寸間近乎極限的操作,對(duì)刻蝕機(jī)的控制精度提出很高要求。刻蝕尺寸的大小與芯片溫度一一對(duì)應(yīng),中微自主研發(fā)的部件使刻蝕過(guò)程的溫控精度保持在0.75攝氏度內(nèi),達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。氣體噴淋盤是刻蝕機(jī)的核心部件之一,中微和國(guó)內(nèi)企業(yè)聯(lián)合開發(fā)出一套創(chuàng)新工藝,用這套工藝制造的金屬陶瓷,其晶粒十分精細(xì)、致密。與進(jìn)口噴淋盤相比,國(guó)產(chǎn)陶瓷鍍膜的噴淋盤使用壽命延長(zhǎng)一倍,造價(jià)卻不到五分之一。 創(chuàng)新成功的秘訣是什么?秘訣之一是超前布局研發(fā)。2004年中微創(chuàng)立時(shí),全球最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)線是90納米制程,那時(shí)他們就開始研發(fā)40納米刻蝕機(jī),因?yàn)榧呻娐樊a(chǎn)業(yè)技術(shù)迭代很快,超前兩代研發(fā)才能掌握主動(dòng)權(quán)。擁有國(guó)際化團(tuán)隊(duì),也是一個(gè)成功原因。經(jīng)過(guò)本土培養(yǎng)和海外引進(jìn),中微600多名員工來(lái)自十多個(gè)國(guó)家和地區(qū)。而且公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)很完整,200多人的專業(yè)覆蓋30多門學(xué)科,為刻蝕機(jī)研發(fā)這一系統(tǒng)工程奠定了基礎(chǔ)。 憑借自主創(chuàng)新,中微已申請(qǐng)1200多件國(guó)內(nèi)外專利。“因?yàn)橛写罅繉@Wo(hù),我們經(jīng)歷4次與發(fā)達(dá)國(guó)家企業(yè)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟,未嘗敗績(jī)。”公司副總裁曹煉生說(shuō)。如今,中微與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起,組成了國(guó)際第一梯隊(duì),為7納米芯片生產(chǎn)線供應(yīng)刻蝕機(jī)。明年,臺(tái)積電將率先進(jìn)入5納米制程,已通過(guò)驗(yàn)證的國(guó)產(chǎn)5納米刻蝕機(jī)預(yù)計(jì)會(huì)獲得比7納米生產(chǎn)線更的市場(chǎng)份額。 來(lái)源:解放日?qǐng)?bào)
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報(bào)告(可下載) | 半導(dǎo)體行業(yè)新材料研究
導(dǎo)讀 本期分享的專題為“半導(dǎo)體行業(yè)新材料”,具體內(nèi)容如下: 1.半導(dǎo)體晶圓制造產(chǎn)能向中國(guó)轉(zhuǎn)移,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造材料迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇 2.硅片:材料市場(chǎng)占比最高,大硅片發(fā)展空間 3.光掩膜及光刻膠:光刻技術(shù)關(guān)鍵材料,國(guó)產(chǎn)替代待進(jìn)一步突破 4.濺射靶材:發(fā)展較快,國(guó)內(nèi)產(chǎn)品達(dá)領(lǐng)先制程要求,國(guó)產(chǎn)化率高于 30% 5.電子特氣、CMP 拋光材料、濕化學(xué)品:20%左右國(guó)產(chǎn)化率,國(guó)產(chǎn)替代將持續(xù)推進(jìn) 6.石英材料:貫穿半導(dǎo)體制造全程,下游半導(dǎo)體、光通訊、光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展將推動(dòng)行業(yè)快速上行 如需領(lǐng)取PDF原件,在公眾號(hào)后臺(tái)回復(fù)關(guān)鍵詞“資料”即可獲取領(lǐng)取方式。