水杯傳熱仿真ansys
關(guān)注創(chuàng)建者：王靖雯 創(chuàng)建時(shí)間：2023-03-07
水杯傳熱仿真ansys的視頻教程
水杯傳熱仿真ansys的實(shí)例教程
所有集成電路 （尤其是高速器件）都會(huì)產(chǎn)生熱量。在當(dāng)今密集的電子系統(tǒng)布局中，多
數(shù)情況下熱源都置于靠近熱敏性集成電路的位置。印刷電路板的設(shè)計(jì)人員經(jīng)常需要考
慮熱敏器件和發(fā)熱器件的相對(duì)位置，使敏感器件不至于過(guò)熱。
有一種發(fā)熱裝置是調(diào)壓器，可以產(chǎn)生幾瓦的熱量，溫度會(huì)超過(guò) 70?C。如果在設(shè)計(jì)電路
板時(shí)將這樣的裝置置于靠近包含敏感硅芯片的表面貼裝封裝的位置，則調(diào)壓器的熱量
可能導(dǎo)致可靠性問(wèn)題，進(jìn)而因過(guò)熱發(fā)生故障。
通過(guò)APDL命令實(shí)現(xiàn)對(duì)流換熱位置隨時(shí)間變化的傳熱計(jì)算，可用于回流焊工藝溫度場(chǎng)分析等。
程序?yàn)闇囟妊豗方向移動(dòng)，模型形狀、溫區(qū)長(zhǎng)度、移動(dòng)速度、換熱系數(shù)、溫度、區(qū)間數(shù)量均可調(diào)整。
Fluent 動(dòng)網(wǎng)格，建模，流體仿真 CFD模擬,3D打印模型修復(fù)，爛邊爛面處理，stl轉(zhuǎn)step實(shí)體文件等各類仿真模擬，有需要請(qǐng)加QQ154976138
熱傳導(dǎo)、熱對(duì)流、熱輻射的基本理論
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Ansys Fluent和Icepak在自然對(duì)流、風(fēng)冷、水冷上的應(yīng)用
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網(wǎng)格策略及仿真結(jié)果差異的探討
04、課程收獲
● 了解傳熱學(xué)傳導(dǎo)、對(duì)流、輻射的基本理論；
● 掌握 fluent、icepak 熱分析流程，包括常見的自然對(duì)流、風(fēng)冷、水冷等工況；
● 提升相關(guān)研發(fā)人員的熱仿真能力，適應(yīng)日益嚴(yán)峻的熱設(shè)計(jì)要求；
● 了解仿真與測(cè)試的誤差來(lái)源，提升仿真精度。
建模過(guò)程不在贅述，在ANSYS中因?yàn)檎麄€(gè)治療過(guò)程溫度并未達(dá)到穩(wěn)定情況，故此應(yīng)視為非穩(wěn)態(tài)傳熱，又因?yàn)闋砍兜诫姛醿蓚€(gè)物理場(chǎng)，故此，ANSYS中應(yīng)選用如圖所示模塊。對(duì)應(yīng)的材料賦予即可。對(duì)應(yīng)電壓50V，環(huán)境20攝氏度。（臟器試驗(yàn)非活物試驗(yàn)）
圖2： 仿真模塊選擇
圖3：仿真和試驗(yàn)的數(shù)據(jù)比較
圖4：肝臟電阻隨射頻治療變化
參照比較數(shù)據(jù)，可以看出ANSYS計(jì)算結(jié)果大致相似，但是在溫度較高時(shí)有較大出入，至于誤差出現(xiàn)的原因，在相關(guān)文獻(xiàn)中也提及到，人體肝臟的導(dǎo)電性并非恒定，隨著溫度的變化，人體臟器的電阻先降低再升高，在溫度大于100度時(shí)，人體臟器會(huì)發(fā)生碳化作用，會(huì)使得臟器的電阻急劇變大。而且，在溫度較高時(shí)，液體的汽化也會(huì)導(dǎo)致溫度異常的變高，使得計(jì)算結(jié)果和試驗(yàn)結(jié)果出現(xiàn)較大的出入。
綜上，本文介紹了肝腫瘤射頻治療的仿真計(jì)算和實(shí)際試驗(yàn)相比較的結(jié)果，并探討了相關(guān)的原因，因?qū)嶋H的病灶往往更具特殊性，所以ANSYS模擬時(shí)僅僅只能選取平均的肝組織的參數(shù)，這也會(huì)導(dǎo)致計(jì)算結(jié)果和實(shí)際試驗(yàn)出現(xiàn)偏差問(wèn)題，肝臟本身電阻的不穩(wěn)定，隨著溫度變化而變化，也會(huì)導(dǎo)致仿真和試驗(yàn)出現(xiàn)誤差。然而由于缺少相關(guān)肝臟實(shí)際的溫度-電阻曲線，無(wú)法給出更詳細(xì)的計(jì)算結(jié)果。在此希望以后的工作能再建立在本文的基礎(chǔ)上更進(jìn)一步。
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水杯傳熱仿真ansys的最新內(nèi)容
AnsysWB-硅芯片表面貼裝封裝的傳熱仿真5個(gè)月前
所有集成電路 （尤其是高速器件）都會(huì)產(chǎn)生熱量。在當(dāng)今密集的電子系統(tǒng)布局中，多
數(shù)情況下熱源都置于靠近熱敏性集成電路的位置。印刷電路板的設(shè)計(jì)人員經(jīng)常需要考
慮熱敏器件和發(fā)熱器件的相對(duì)位置，使敏感器件不至于過(guò)熱。
有一種發(fā)熱裝置是調(diào)壓器，可以產(chǎn)生幾瓦的熱量，溫度會(huì)超過(guò) 70?C。如果在設(shè)計(jì)電路
板時(shí)將這樣的裝置置于靠近包含敏感硅芯片的表面貼裝封裝的位置
通過(guò)APDL命令實(shí)現(xiàn)對(duì)流換熱位置隨時(shí)間變化的傳熱計(jì)算，可用于回流焊工藝溫度場(chǎng)分析等。
程序?yàn)闇囟妊豗方向移動(dòng)，模型形狀、溫區(qū)長(zhǎng)度、移動(dòng)速度、換熱系數(shù)、溫度、區(qū)間數(shù)量均可調(diào)整。
Fluent 動(dòng)網(wǎng)格，建模，流體仿真 CFD模擬,3D打印模型修復(fù)，爛邊爛面處理，stl轉(zhuǎn)step實(shí)體文件等各類仿真模擬，有需要請(qǐng)加QQ154976138
01、時(shí)間地點(diǎn)
2020年10月29日 （9:30-17:00）
廣州市天河區(qū)高唐路233號(hào)時(shí)代E-PARK6棟802
應(yīng)Peake要求，本篇文章補(bǔ)充資料庫(kù)傳熱學(xué)的缺失，原論文分ANSYS和COMSOL兩部分，因COMSOL部分不是筆者負(fù)責(zé)，故在此不予列出，本文將詳細(xì)討論電熱綜合場(chǎng)問(wèn)題。本文討論肝腫瘤射頻治療的仿真，根據(jù)相應(yīng)文獻(xiàn)，肝腫瘤治療應(yīng)將臟器局部加熱至一定溫度，并持續(xù)相應(yīng)時(shí)間，常用的治療方案是將電極引入臟器并持續(xù)加熱一定時(shí)間到一定的溫度，該溫度對(duì)癌細(xì)胞有較好的殺滅效果，雖然也會(huì)引起普通肝臟細(xì)胞的損傷，但是損傷范圍相比普通的放射治療要小得多
