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關注創建者:王靖雯 創建時間:2023-03-07
ansys模擬仿真鉆孔的視頻教程
LS-DYNA流固耦合法模擬隧道循環掘進爆破(建炸藥、完全重啟動)-循環進尺3次
采用LS-DYNA軟件講解了如何采用流固耦合法和完全重啟動技術模擬隧道循環掘進爆破開挖,總共循環進尺3次。直接建立了炸藥模型,模擬在每次循環進尺都進行了已開挖段巖石的刪除、預開挖斷面的鉆孔和裝藥。 采用ANSYS軟件劃分網格,其余前處理操作及所有關鍵字均在ls-prepost進行設置,較適合對關鍵字格式和參數不熟悉的朋友學習。 若對學習有幫助,期待5星好評。
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MOM和MIM電容器廣泛應用于集成電路,尤其是RF和模擬應用,而使用仿真軟件對這些電容器進行準確建模,對于確保電容精度和滿足布局方面的匹配要求至關重要。Ansys RaptorH能夠提取所有無源器件以及任意布線布局(無論是成熟設計還是正在開發中的布局)的電磁模型。
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綁定、無摩擦與摩擦接觸的對比分析1個月前
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4/29 | Ansys SPH產品功能更新及仿真應用
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主題簡介:SPH(光滑粒子流體動力學)是一種拉格朗日無網格方法,Ansys SPH產品由于沒有網格約束的限制,在許多模擬場景中更加靈活,尤其擅長模擬復雜自由液面情景(如飛濺和噴淋)以及涉及運動物體的應用場景。
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仿真、模擬、有限元分析、多物理場……這些術語是不是早已成為每位仿真人的“日常”?大家是否知曉其背后的技術原理和演進趨勢,正深刻地改變著世界?Ansys全新推出【Simulation Topics】系列專題,邀您一起探索仿真世界。
常見的IC封裝問題如:充填不完全、空孔、金線偏移、導線架偏移及翹曲變形等。
Moldex3D 解決方案
Moldex3D芯片封裝模塊目前支持的分析項目相當完善,以準確的材料量測為基礎,除了基本的流動充填與硬化過程模擬;并延伸到其他先進制造評估,例如 : 金線偏移、芯片偏移、填充料比例、底部填充封裝、后熟化過程、應力分布與結構變形等。
此外,由于模擬邊界位于y=-1.2mm處,因此在full Si volume中吸收的功率會降低,這意味著一些光穿透模擬區域,并被仿真區底部的PML吸收。
圖9 光學效率圖
Ansys Lumerical軟件試用,培訓,歡迎聯系摩爾芯創。
參考文獻
1. F. Hirigoyen, A. Crocherie, J. M.
然而,更窄的槽寬會增加槽孔引起的電容效應,從而限制調制器帶寬。
此外,在制造中實現小槽寬器件相當具有挑戰性,因為它需要高精度的光刻、蝕刻和定位。考慮到這些因素,我們制備了一個能夠兼顧調制效率、帶寬與制造可行性的槽寬結構。最終制備的PSW具有180nm的Wgap,模擬調制效率為0.075Vcm,模擬損耗為0.56dBμm?1。
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仿真、模擬、有限元分析、多物理場……這些術語是不是早已成為每位仿真人的“日常”?大家是否知曉其背后的技術原理和演進趨勢,正深刻地改變著世界?Ansys全新推出【Simulation Topics】系列專題,邀您一起探索仿真世界。