ansys emi仿真的案例
ANSYS HFSS軟件在EMI仿真進(jìn)階級(jí)的應(yīng)用技能培訓(xùn)
wx_fmt=png&from=appmsg"></p><p><br></p><p><strong>學(xué)員能力提升目標(biāo)</strong></p><p>· 理解掌握ANSYS HFSS在線纜電磁兼容仿真中的基本設(shè)置和求解處理</p><p>· 理解掌握ANSYS HFSS在PCB板+接插件ESD仿真中的基本設(shè)置和求解處理</p><p>· 理解掌握ANSYS HFSS在屏蔽效應(yīng)分析仿真中的基本設(shè)置和求解處理</p><p><br></p><p><strong>授課內(nèi)容提綱</strong></p><p class="ql-align-justify">一、線纜電磁脈沖仿真</p><p class="ql-align-justify">1.1、案例介紹</p><p class="ql-align-justify">二、靜電釋放仿真</p><p class="ql-align-justify">2.1、案例介紹</p><p class="ql-align-justify">三、屏蔽效應(yīng)仿真</p><p class="ql-align-justify">3.1、場(chǎng)數(shù)據(jù)案例</p><p class="ql-align-justify">3.2、屏蔽效應(yīng)案例</p><p class="ql-align-justify">3.3、腔體諧振案例</p><p><br></p><p><strong>師資力量</strong></p><p>CAE行業(yè)資深工程師團(tuán)隊(duì)，學(xué)歷碩博為主，均擁有多年客戶仿真項(xiàng)目實(shí)操經(jīng)驗(yàn)，理論素養(yǎng)與實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)雙保險(xiǎn)。</p><p><br></p><p><strong>培訓(xùn)優(yōu)勢(shì)</strong></p><p>采用線下小班精講形式，理論知識(shí)+案例講解+上機(jī)輔導(dǎo)，附贈(zèng)培訓(xùn)相關(guān)資料，可獲取講師微信課后交流。
展開(kāi) Ansys EMI 瞬態(tài)聯(lián)合仿真方法
圖5：估計(jì)/評(píng)估的H場(chǎng)和仿真的H場(chǎng)具有良好的相關(guān)性
在我們的案例中，科學(xué)近似有助于理解:
磁近場(chǎng)隨1/D2減小
差模輻射與差模電流成比，這是由標(biāo)準(zhǔn)限制的
共模輻射與共模電流成正比，共模電流本質(zhì)上由P/N驅(qū)動(dòng)器和無(wú)源互連的平衡/對(duì)稱性的質(zhì)量定義
共模或差模輻射與回路的面積(s或h)成正比，這是由PCB/連接器技術(shù)和設(shè)計(jì)策略設(shè)置的。
關(guān)聯(lián)仿真方法概述
在成功比較了數(shù)字高速接口案例上的仿真和測(cè)量結(jié)果后，本文所述的方法得到了驗(yàn)證和批準(zhǔn)(圖6)。
圖6：4個(gè)差分對(duì)(3個(gè)數(shù)據(jù)通道和1個(gè)時(shí)鐘)的數(shù)字接口近場(chǎng)磁場(chǎng)圖
EMI仿真流程采用Ansys工具套件，包括:
HFSS，三維有限元全波電磁求解器，用于結(jié)構(gòu)建模和電磁場(chǎng)計(jì)算。
Ansys Circuit，類(lèi)似SPICE的電路求解器，利用HFSS模型和真實(shí)的激勵(lì)模式進(jìn)行瞬態(tài)仿真。仿真結(jié)果在HFSS中進(jìn)行回饋，以計(jì)算最終電磁場(chǎng)。
圖7：STMicroelectronics中使用的ANSYS電磁干擾流
在上述兩種工具中進(jìn)行的時(shí)域和頻域仿真都需要再現(xiàn)真實(shí)的電磁干擾場(chǎng)。如圖7所示，Ansys EMI電磁干擾流確保了數(shù)據(jù)交換（端口級(jí)的S參數(shù)模型和頻譜）的自動(dòng)化。 該方法的發(fā)展在于找到最佳設(shè)置，以獲得預(yù)期精度內(nèi)的結(jié)果，并限制仿真時(shí)間。從這個(gè)角度來(lái)看，降低HFSS中的模型復(fù)雜性至關(guān)重要（圖8）。已開(kāi)展的調(diào)查確定了適當(dāng)?shù)那懈铋g隙規(guī)則。仿真的基本參數(shù)包括結(jié)構(gòu)周?chē)陌鼑蓄?lèi)型和尺寸、端口類(lèi)型、寬帶S參數(shù)建模的掃頻、網(wǎng)格設(shè)置和收斂準(zhǔn)則。
圖8：HFSS 3D結(jié)構(gòu)仿真
HFSS S參數(shù)模型鏈接在電路環(huán)境內(nèi)部，并在原理圖中實(shí)例化（圖9）。請(qǐng)注意，默認(rèn)情況下，S參數(shù)模型會(huì)在類(lèi)似SPICE的模型中自動(dòng)轉(zhuǎn)換。
展開(kāi) 2025大賽優(yōu)秀作品 | 基于 Ansys HFSS 與 Circuit 的 LPDDR4X 接口系統(tǒng)級(jí) EMI 仿真
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</figure><p class="ql-align-center"><strong>作品名稱：基于 Ansys HFSS 與 Circuit 的 LPDDR4X 接口系統(tǒng)級(jí) EMI 仿真</strong></p><p class="ql-align-center"><strong>作者： 程炳坤/江勇/張孝法/朱凱 | 恩智浦半導(dǎo)體蘇州分公司 系統(tǒng)工程師</strong></p><p class="ql-align-center"><strong><em>關(guān)鍵詞：</em></strong><em>LPDDR4X, Ansys HFSS, Circuit, SoC系統(tǒng)EMI仿真</em></p><p><strong>作者說(shuō)</strong></p><p>Ansys HFSS + Circuit為EMI仿真提供了一個(gè)切實(shí)有效的解決方法，是理想可靠的仿真工具，幫助我們快速定位問(wèn)題根源并通過(guò)仿真的方式找到最快最省錢(qián)的解決方案。同時(shí)，該工具也為我們?cè)诤罄m(xù)項(xiàng)目的開(kāi)發(fā)與設(shè)計(jì)階段開(kāi)展系統(tǒng)級(jí) EMI 仿真與優(yōu)化提供了可行且高效的支持。
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