在第一部分文章：《Ansys Zemax | 在 OpticStudio 中將干涉儀數據附加到光學表面 – 第一部分中》，我們演示了如何根據表面形狀和方向將干涉測量數據導入 OpticStudio，本部分文章我們將引入更多的實例演示。

Ansys RaptorH能夠提取所有無源器件以及任意布線布局（無論是成熟設計還是正在開發中的布局）的電磁模型。這些組件可以是平面（實心的或者帶孔的）、傳輸線、螺旋電感器和MIM/MOM電容器，它們可以與高速/高頻布線一起提取，以計算全耦合電磁模型。此外，憑借自動化的額外優勢，使電磁提取任務的設置變得非常簡單且快速。

更高效的仿真 1.改進仿真設置 這意味著通過調整網格大小（在確保得到合理結果的前提下盡可能增大Δx）、利用現有的對稱性或減少監視器收集的數據量來降低仿真要求。這樣做可以確保消除或至少大限度地減少不必要的操作。較為關鍵的考慮因素是能否降低仿真的空間和時間分辨率，因為算法的計算量如下： 其中，D為維度，dx為網格尺寸，V為仿真體積。這些參數通常會根據最短波長和網格精度自動設置。

本文原刊登于Ansys.com：《The Difference Between MOM, MIM, and MOS Capacitors》 作者： Akanksha Soni | Ansys產品營銷經理 編輯整理：Rodger Luo | Ansys 首席應用工程師 從最基本的層面講，所有電容器都是通過由介電（絕緣）材料隔開的電導體（極板）來儲存能量的。

上面介紹了電光調制中四種常見的物理效應，這四種物理效應對對硅材料光學性質的影響可以總結如下： ①由于硅晶格的中心反演對稱性，泡克耳斯效應是零。

因此，利用波導中的不同模式作為載波來傳輸光信號，在很小體積和單波長下就能實現多個通道的并行傳輸，大大提高了通信容量，這就是模分復用技術。其中模式（解）復用器是該技術中的關鍵器件，主要類型包括非對稱定向耦合器（ADC）型、多模干涉耦合器（MMI）型等。ADC型：ADC是基于不同模式的相位匹配原理，具有結構緊湊、擴展性強等優點，是目前模分復用器件中研究最為廣泛的基礎結構。

濾波器以銀為金屬材料，空氣為絕緣介質，整體呈現對稱結構，沿中心線分布著兩個新型短截線（stub），每個短截線內含兩個對稱分布的空氣孔洞，波導中間還設有一個小型垂直短截線，如圖1所示。 圖1 MIM濾波器的示意圖 這些結構細節并非隨意設置，而是經過精心設計。

但性能提升與體積縮減僅實現數倍增長，最高調制效率達0.21伏0.21Vcm，器件長度為360μm。長程表面等離激元技術有望在LN基板和金屬帶線的材料界面處實現電場與光場的強限制。初步研究顯示其調制效率達0.23Vcm，電光調制帶寬受限于固有阻抗失配為3GHz。迄今，在TFLN MZMs中同時實現超緊湊占用面積、高調制效率與大電光帶寬仍難以實現。

</p><p class="ql-align-justify"><strong>邊界條件、載荷與初始條件的建模</strong></p><p>支撐/邊界條件：位置約束、對稱/周期邊界、滾動/滑移、接觸對的初始條件等。</p><p>載荷定義：集中力、面載荷、體積力、熱載荷、熱邊界條件、壓力、動載、沖擊等。</p><p>初始條件與靜/動態步的初始狀態設置（初始位移、初始速度、溫度分布等）。

二、仿真框架 2.1 本文采用的兩款CMFD軟件的說明 本文的數值模擬使用了兩種不同的CMFD軟件，分別為ANSYS公司的國外商軟與積鼎科技的VirtualFlow。國外商軟采用VOF方法，而VirtualFlow采用LS方法。VOF和Level Set作為被廣泛使用的兩種自由表面追蹤方法，其各自有繼承了一些有據可查的、積極的和消極的自身的優劣之處，如圖1所示。