在 ANSYS Workbench 中創建靜力結構系統。定義形狀記憶合金的材料屬性（表 1）。 表 1. 脊柱間隔器材料屬性 2、導入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對稱性，僅創建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對幾何體進行網格劃分。 圖 1.

</span></p><p><br></p><p>導入模型，并抑制一半的對稱部分。抑制后半部分模型如圖 1 所示。

、Nastran 各自求解后對比偏差 守恒性檢驗 質量/動量/能量守恒殘差監控 驗證數值解在全局上滿足基本物理守恒律 對稱性/伽利略不變性檢驗 對稱邊界條件下的解對稱性檢查 排除網格畸變或算法引入的非物理偏差

在 ANSYS Workbench 中創建靜力結構系統。定義形狀記憶合金的材料屬性（表 1）。 表 1. 脊柱間隔器材料屬性 2、導入幾何模型。脊柱間隔器植入物的幾何形狀如圖 1 所示。由于對稱性，僅創建1/4 模型。在ANSYS Mechanical 中對幾何體進行網格劃分。 圖 1.

Ansys RaptorH能夠提取所有無源器件以及任意布線布局（無論是成熟設計還是正在開發中的布局）的電磁模型。這些組件可以是平面（實心的或者帶孔的）、傳輸線、螺旋電感器和MIM/MOM電容器，它們可以與高速/高頻布線一起提取，以計算全耦合電磁模型。此外，憑借自動化的額外優勢，使電磁提取任務的設置變得非常簡單且快速。

它會詳細說明如何通過MPI對FDTD計算體進行分區，以及每秒的求解速率（以兆節點/秒為單位），即每秒執行多少百萬次浮點運算。您還可以找到各個進程所花費時間的明細以及調試信息。 1.通過增加進程數來增加核心數 提升性能較簡單直接的方法是增加進程數，同時保持線程數固定為1。默認情況下，FDTD會使用所有可用核心。

本文原刊登于Ansys.com：《The Difference Between MOM, MIM, and MOS Capacitors》 作者： Akanksha Soni | Ansys產品營銷經理 編輯整理：Rodger Luo | Ansys 首席應用工程師 從最基本的層面講，所有電容器都是通過由介電（絕緣）材料隔開的電導體（極板）來儲存能量的。

上面介紹了電光調制中四種常見的物理效應，這四種物理效應對對硅材料光學性質的影響可以總結如下： ①由于硅晶格的中心反演對稱性，泡克耳斯效應是零。

Ansys Lumerical軟件試用申請，歡迎聯系摩爾芯創。 仿真方法 采用三維有限差分光束傳輸法對MWS和PLC模式（解）復用器進行了數值模擬。在ANSYS Lumerical FDE求解器中計算MWS-FMF和SSC-PLC的重疊耦合損耗。利用三維時域有限差分法（3D-FDTD）計算了SSC與石英單模波導之間的總耦合損耗。

例如，圖1（a）中的結構采用階梯型光柵來實現非對稱衍射，打破光柵區域的垂直對稱性，以獲得高方向性和高耦合效率。此外，還有一些方案是基于逆向設計優化出最佳參數，從而產生獨特的光柵結構，以增強面外輻射并提高耦合效率，如圖1（b）所示，這些逆向設計方法都提供了較大的靈活性。雖然上述方法能增強耦合效率性能，但也面臨制造的復雜性及容差等問題。 圖1 不同類型的垂直光柵耦合器結構。