晶格失配的案例
《Nature Mater》：大晶格失配異質結構的超低摩擦和邊釘扎效應
在此，研究者利用橫向力原子力顯微鏡(AFM)表征了不同晶格失配(MoS2/石墨、MoS2/h-BN和石墨烯/h-BN)的二維異質結界面。結果表明：大晶格失配MoS2/石墨和MoS2/h-BN異質結界面的摩擦系數(COF)小于10?6，扭轉角依賴性得到抑制。與此同時，研究者證明，這兩個異質結的摩擦力是由釘住邊緣或襯底臺階效應主導的，而不是由界面滑動阻力，例如，勢能起皺。相比之下，石墨烯/h-BN滑動摩擦過程中界面滑動阻力占主導地位，晶格失配較小。經典分子動力學(MD)模擬表明，靠近薄片邊緣的原子在滑動動力學中發揮了獨特的作用，因為它們相對于薄片的其余部分呈現出增強的面外結構畸變。鑒于到MD模擬中力場的非反應性，研究者也間接證明了疇邊緣的懸空鍵，主要對基底的攀爬過程中觀察到的摩擦力有貢獻。
圖1 二維異質結構的摩擦特性。
圖2 MoS2/石墨和MoS2/h-BN異質結構界面的超潤滑性。
圖3 三種不同異質結構界面的摩擦源。
圖4 MoS2薄片在石墨上滑動的MD模擬結果。
圖5 界面臺階對摩擦力的影響。
在此，研究者證明了大晶格失配的MoS2/石墨和MoS2/h-BN異質結界面具有極低的摩擦系數，~10?6，沒有任何扭角依賴性。實驗和MD計算均表明，MoS2/石墨和MoS2/h-BN異質結中的釘住邊和界面臺階，是摩擦過程的主導因素，而石墨烯/h-BN中的小晶格失配是界面摩擦的重要原因。該研究結果表明，接觸面的晶格失配和界面臺階的缺失，是設計近無摩擦滑動副的關鍵因素。（文：水生）
本文來自微信公眾號“材料科學與工程”。
展開 Acta Mater.：借助STEM的位相襯度識別平衡態Ni-YSZ界面原子結構
結果顯示由于Ni和YSZ重構界面之間發生了大的晶格錯配，形成了一種包含高密度失配位錯的特殊結構。然而，盡管有大的晶格錯配，界面也不是非共格的。界面由陽離子終止，這可能是由于低氧偏壓下達到平衡導致的。
【圖文導讀】
圖1：通過固態潤濕方法制備，平衡態Ni顆粒在YSZ基底上的二次電子HRSEM圖像。
顆粒的(111)面與YSZ基底表面的(111)面平行。點劃線矩形為FIB選擇的區域，用于TEM分析。
圖2：同時獲得的平衡態Ni顆粒沿Ni[-110]軸向的界面區域STEM圖像。
(a)高角度環形暗場STEM圖像；
(b)環形明場STEM圖像。
圖3：界面區域的iDPC-STEM表征。
(a)平衡態Ni顆粒沿Ni[-110]軸向的界面區域的iDPC-STEM圖像，界面處Ni原子和Zr原子之間的電荷轉移明顯可見;
(b)將(a)圖使用高通濾波器進行過濾后的圖像，原子柱位置可在界面兩側都看到；
(c)白色方框劃定的沿界面交替排布的重復單元定義為A和B，一個剩余連續平面（B單元）在一列結構單元之間分離。
圖4：界面區域的EDS分布圖。
(A)界面的環形暗場STEM圖像；
(B-F)同一區域的EDS能譜分布圖。
【小結】
本工作借助IDPC STEM和EDS能譜分布圖確定平衡Ni[-110]||YSZ[1-10](111)界面的局域原子結構。實驗圖像顯示界面采用一種含有高密度失配位錯的特殊結構，這是由于兩相具有特殊的取向關系，產生大的晶格失配導致的。然而，盡管具有較大的晶格失配，界面仍不是非共格的。觀察到的位錯序列定義了界面的重構結構，通過吸收錯配應變能使得界面能最小化。
展開 Acta Mater.：借助STEM的位相襯度識別平衡態Ni-YSZ界面原子結構
結果顯示由于Ni和YSZ重構界面之間發生了大的晶格錯配，形成了一種包含高密度失配位錯的特殊結構。然而，盡管有大的晶格錯配，界面也不是非共格的。界面由陽離子終止，這可能是由于低氧偏壓下達到平衡導致的。
【圖文導讀】
圖1：通過固態潤濕方法制備，平衡態Ni顆粒在YSZ基底上的二次電子HRSEM圖像。
顆粒的(111)面與YSZ基底表面的(111)面平行。點劃線矩形為FIB選擇的區域，用于TEM分析。
圖2：同時獲得的平衡態Ni顆粒沿Ni[-110]軸向的界面區域STEM圖像。
(a)高角度環形暗場STEM圖像；
(b)環形明場STEM圖像。
圖3：界面區域的iDPC-STEM表征。
(a)平衡態Ni顆粒沿Ni[-110]軸向的界面區域的iDPC-STEM圖像，界面處Ni原子和Zr原子之間的電荷轉移明顯可見;
(b)將(a)圖使用高通濾波器進行過濾后的圖像，原子柱位置可在界面兩側都看到；
(c)白色方框劃定的沿界面交替排布的重復單元定義為A和B，一個剩余連續平面（B單元）在一列結構單元之間分離。
圖4：界面區域的EDS分布圖。
(A)界面的環形暗場STEM圖像；
(B-F)同一區域的EDS能譜分布圖。
【小結】
本工作借助IDPC STEM和EDS能譜分布圖確定平衡Ni[-110]||YSZ[1-10](111)界面的局域原子結構。實驗圖像顯示界面采用一種含有高密度失配位錯的特殊結構，這是由于兩相具有特殊的取向關系，產生大的晶格失配導致的。然而，盡管具有較大的晶格失配，界面仍不是非共格的。觀察到的位錯序列定義了界面的重構結構，通過吸收錯配應變能使得界面能最小化。
展開 .: 二維平面量子阱超晶格的位錯驅動生長
最近科研人員已經獲得高質量的二維多重異質結及超晶格等功能化結構，然而受限于目前的微納加工和生長技術，所制備的圖案化人工超結構尺度仍然較大，構筑寬度小于5納米的具有顯著量子特性的功能化二維超晶格結構仍然是一個挑戰。
【成果簡介】
近日，中國科學院大學物理科學學院及中國科學院拓撲量子計算卓越創新中心的周武研究員、張余洋副教授等與多個課題組合作，利用了2D平面側向異質結中兩種半導體材料之間的界面失配位錯驅動二維量子阱的生長，構筑了半導體單層內高質量的寬度小于2納米的量子阱以及量子阱超晶格。同時結合原子分辨的電鏡結構表征和理論計算，揭示了此類新型二維量子阱超晶格的生長機制。該研究為制備高質量二維超晶格結構提供了新的思路。該研究發表于Science Advances，題為“Dislocation-driven growth of two-dimensional lateral quantum-well superlattices”。
【圖文導讀】
圖1. 嵌入單層WSe2晶格內的WS2量子阱結構和應變分析
（A）寬度為1.2nm的WS2量子阱的原子分辨率STEM-ADF圖像。黃色虛線突出顯示了WS2量子阱和WSe2晶格之間的共格界面。 六邊形強調格子的方向。
（B和C）與（A）中同區域的能譜成像分析分別顯示了WS2和WSe2的空間分布。
（D和E）為WS2量子阱的高分辨率STEM-ADF圖像以及相應的原子結構模型。
（F到H）整個65 nm長的WS2量子阱的STEM-ADF以及量子阱周圍相應的應變分布。
（I和J）為STEM-ADF圖像，顯示了（F）中WS2量子阱頂端的位錯核的原子排列和相應的原子模型。
圖2.
展開 
GaN快充達到甜蜜點，中低壓市場迎來更多殺手級應用
實現快速開關、高功率密度和高擊穿電壓的GaN器件，需要高質量的外延，Si襯底上GaN外延最大的挑戰來自于熱失配以及晶格失配引入的殘余應力，應力會導致外延片發生龜裂、翹曲等一系列問題，因此需要引入AlN或AlGaN層來解決應力調控等問題；另一方面，Si 和GaN 之間的晶格失配也會在外延層中引入大量的缺陷，降低了材料的晶體質量以及器件的性能，因此需要增加Si 襯底GaN外延層的厚度來降低缺陷。
集微咨詢（JW insights）認為，在制造方面，GaN仍面臨以下關鍵挑戰：
首先是原始創新能力較低
。國內開展GaN等第三代半導體器件和材料的研究比較晚，與國外差距較大，且GaN是涉及重要國防軍工產品的關鍵技術，國外對我國實施相關技術封鎖，因此當前我國在該領域核心材料、器件等方面的原始創新能力仍然薄弱。
其次是國內GaN器件的外延技術仍待提升
。
展開 本土“8英寸硅基氮化鎵外延晶圓”又有新突破
自成立以來，聚能晶源先后攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應力控制、高耐壓GaN外延生長等技術難關，成功研制了達到全球業界領先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。
據了解，該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產業界中高壓功率電子器件的應用需求。
耐威科技表示，在采用國際業界嚴苛判據標準的情況下，聚能晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優勢，能夠保障相關材料與技術在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。
公告稱，本次“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，短期內不會對公司的生產經營產生重大影響，但有利于公司加快在第三代半導體材料與器件領域的技術儲備，有利于增強公司核心競爭力并把握市場機遇。
第三代半導體材料有何優勢？
據悉，第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，與第二代半導體硅（Si）、砷化鎵（GaAs）等材料相比，第三代半導體材料氮化鎵（GaN）具有更大的禁帶寬度（>3 eV），一般也被稱為寬禁帶半導體材料。
得益于禁帶寬度的優勢，GaN材料在擊穿電場、本征載流子濃度、抗輻照能力方面都明顯優于Si、GaAs等傳統半導體材料。
此外，GaN材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面也較Si更為優異，因此特別適用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件，在5G通訊、云計算、快充電源、無線充電等領域具有廣泛的應用前景。
與此同時，將GaN外延生長在硅襯底之上，可以有效地結合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圓的大尺寸、低成本優勢。
展開 氮化鎵外延用硅襯底問題研究
時間t/s
圖2 外延生長曲率變化圖
2 分析與討論
硅與氮化鎵的晶格失配為17%，使得外延薄膜生長過程中由于生長應力產生大量的位錯，硅與氮化鎵熱膨脹系數差異導致較大的熱失配，當外延過程由高溫降到低溫時，產生了彈性應變，引起了較大的張應力，其中在氮化鎵外延層中存在張應力，硅襯底中存在壓應力，使得硅襯底彎曲度發生變化，當硅襯底的抗彎曲強度較差時，在應力作用下不僅使得外延層質量變差，甚至導致硅襯底破裂。
從硅基氮化鎵外延生長問題來看，主要集中在邊緣滑移線和裂片問題上，滑移線通常與硅片的倒角邊緣質量有直接關系，裂片取決于硅片的機械強度，這與硅片的設計和加工條件密不可分。
2.1 滑移線控制
硅片倒角是指采用磨削的方式將切割后硅片加工成一定的目標直徑和形狀，消除邊緣的切割應力和機械損傷，防止在后續加工過程中出現崩邊、破裂及晶格缺陷等。同時，可以有效降低硅片外延滑移線的產生。通過對滑移線產生的區域和密集程度進行分析，我們發現，越靠近硅片邊緣，滑移線越密集，外延表面越粗糙，且存在局部損傷，而距邊緣2 cm以外完全沒有滑移線。因此，我們認為，產生滑移線的主要原因在于硅片邊緣的機械損傷未完全去除，邊緣倒角質量有待進一步提高。
本實驗中，我們采用的倒角機為W-GM-4200型，采用R型砂輪22°對稱倒角，倒角去除量0.8 mm，其中粒度18.0 μm砂輪粗倒一圈去除0.5 mm、粒度11.0 μm砂輪精倒一圈去除0.2 mm。倒角邊緣質量如圖3所示。
展開 12英寸SiC誕生！每片僅比硅多220元，如何做到的？
盡管如此，由于Si和SiC之間存在約20%的大晶格失配，以及約8%的熱膨脹失配，因此會導致外延生長的SiC層產生缺陷，通過緩沖層也無法解決Si下發界面空隙的產生，從而嚴重限制了SiC-on-Si器件的開發。
Griffith大學里通過2項關鍵技術，成功地抑制了Si空隙的形成，并在非常大尺寸的Si晶片上，實現了具有非常高的厚度均勻性和低表面粗糙度的SiC生長。
據介紹，Griffith大學制備的3C-SiC平均厚度為51nm，整個晶片上的標準偏差為0.3nm。對于高達幾微米的3C-SiC，其厚度不均勻性約為1%或以下。
實現這種SiC薄膜的異質外延生長，第一個關鍵在于熱壁垂直低壓化學氣相沉積 (LPCVD) 反應器，這是Griffith大學和SPTS Technologies 聯合開發的。據介紹，這種獨特的反應器能夠每次運行可容納50片300mm硅晶片。
第二個關鍵是低溫沉積結合交替供氣方法。與同時提供硅源氣體和碳源氣體的標準并行供應外延 (CSE) 方法相反，Griffith大學使用了交替供應外延 (ASE)，這意味著Si和C原子以交替脈沖形式供應。
結果發現，ASE比CSE生長提供更好的厚度均勻性、更低的缺陷密度和更好的形態。LPCVD反應器的典型3C-SiC生長速率達到0.8納米/周期。
獲取相關文獻，請加VX：hangjiashuo666。
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展開 這個GaN技術牛！8英寸、2DEG提升20%
但由于存在高熱失配(33%) 和晶格失配(17%) ，因此很難在硅襯底上生長高質量、無裂紋的GaN外延層，導致晶體管在工作過程中一旦發熱，絕緣性能會變差，能量損失會增加。
還有，硅基GaN器件還存在硅襯底電阻率低的問題，這會帶來高寄生電容，從而阻礙器件的高頻性能。
層疊GaN結構
提高質量、減少泄漏
為此，
2004
年
空氣水集團開始創建一種
層疊GaN結構技術。
該結構是這樣的：首先，采用廉價的硅襯底；其次，使用獨特的成膜技術，在硅襯底上生長高質量的3C-SiC薄膜；然后，在SiC薄膜上依次生長2 μm的含鋁III-N緩沖層、6μm的GaN層，和23 nm 的AlGaN勢壘層。
該公司認為，在GaN和硅襯底之間引入穩定的3C-SiC中間層，這樣可以抑制裂紋產生，并提高硅襯底的GaN薄膜的晶體質量。
而厚厚的氮化物層能夠抑制由硅襯底低電阻率產生的寄生效應，而緩沖層可以最大限度地減少RF泄漏。
據介紹，2012年，該公司就開發了大直徑（最大直徑8英寸）的硅基SiC。2013年4月它在日長野縣建立了中試工廠。2020年4月開始試產硅基SiC襯底，以及基于該襯底的GaN高頻器件。
層疊GaN結構
提高質量、減少泄漏
相比硅襯底，基于3C-SiC的GaN器件電子遷移率提高約20%，而且SiC薄膜具有高導熱性，因此也提高了晶體管的散熱性能。該GaN器件的2DEG達到2110 cm2/V-s，薄層電阻為280 Ω /□。
對于柵極長度(Lg )為2 μm、柵極寬度為2×50μm的器件，其小信號特性實現了4.8 GHz 的截止頻率。
展開 河北科大金屬頂刊《Acta Materialia》：揭示抗Si毒化與晶粒細化機制
測試、計算表明，該結構有效降低了Si原子的吸附傾向，提高了與Al原子的結合強度，同時 (Nb,Ti)B2襯底與Al的晶格失配降低，這些因素共同決定了 (Nb,Ti)B2在Si含量較高時仍具有良好的晶粒細化能力。該研究為調控制備多結構Ni-Ti硼化物顆粒，以設計新型的抗Si毒化晶粒細化劑提供了新的思路，對促進相應中間合金制品的研發有重要意義。相關論文以題為“Revealing the mechanism of grain refinement and anti Si-poisoning induced by (Nb, Ti)B2 with a sandwich-like structure”發表在Acta Materialia上。河北科大蘇孺，北科王沿東，清華荊濤為該文章共同通訊作者，青年教師吳大勇，博士麻思達為共同第一作者。
論文鏈接：
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1359645421006455
目前，在保證Al-Nb-B基中間合金抗硅毒性能的同時，進一步提高其晶粒細化效果是推動其在Al-Si鑄造合金中工業化應用的當務之急。
展開 半導體所等在高質量半導體-超導納米線研究方面取得系列進展
然而，由于窄禁帶半導體納米線與常規超導體之間晶格失配很大，高質量樣品的制備一直是制約半導體-超導納米線拓撲量子計算研究的關鍵難題。
中科院半導體所趙建華、潘東團隊長期致力于用于拓撲量子計算的高質量半導體-超導納米線分子束外延可控制備研究。他們首先在Si襯底上外延出了高質量純相超細單晶InAs納米線（D. Pan et al. Nano Lett. 14, 2014, 1214），之后，通過對分子束外延設備進行多次升級改造，發展了低溫原位外延技術，在純相超細InAs納米線側壁成功外延出超導金屬Al。
InAs和Al均具有高晶體質量，InAs-Al界面達到原子級平整（圖1高分辨透射電鏡圖像）。該團隊與清華大學物理系張浩課題組合作，在該InAs–Al納米線中觀察到硬超導能隙和雙電子庫侖阻塞等現象，這些都是實現拓撲量子計算的必要前提條件。該工作以“In situ epitaxy of pure phase ultra-thin InAs-Al nanowires for quantum devices”為題發表在Chin. Phys. Lett. (Express Letters)39 (2022) 058101上，半導體所潘東研究員、清華大學物理系宋化鼎和張珊博士后為共同第一作者，半導體所趙建華研究員和清華大學張浩副教授為共同通訊作者。該實驗工作首次在材料生長上（輔以輸運表征）探索了馬約拉納納米線研究中的一個新的實驗維度：更細的納米線直徑，為接下來實現單一子能帶占據（從準一維到一維）的納米線系統做了鋪墊。
展開 
為什么發光二極管的很難發出藍光？
由于GaN與InN晶格常數不同，在高銦組分下，晶格失配導致大量缺陷的產生，嚴重影響器件的發光效率。之前提到GaAsP在短波段發光效率下降，是物理原理所致；而這里卻是生產技術的原因。
LED面臨的問題
藍光LED的芯片屬于是氮化鎵材料系，其面臨的問題主要有：1.黃綠光波段缺陷（Green-YellowGap） 從下圖可以看出，InGaN與AlGaInP兩種材料系的LED在可見光區的兩端有很高的外量子效率（即電光轉化效率），但在黃綠光區的效率卻都明顯下降。而其原因已經在前文說明。
2.效率驟降（Efficiency Droop） 在小電流注入下，LED有很高的發光效率。但將注入電流增加至可供使用的程度時，高功率LED的發光效率會產生多于70% 的大幅衰減。這不是由簡單的芯片發熱引起的，原因未有定論，主要有兩種解釋：俄歇復合（Auger recombination）與載流子溢出（carrier leakage）。
因此，在看到某大型照明企業在官方主頁聲稱自己的研發團隊“利用半導體降溫技術完全解決了發光效率衰減的問題”時，可能還只是噱頭。
現在物理諾獎頒發給了藍光LED的發明者，看到此消息時心里萬分感慨。
展開 紅色Micro-LED研發競賽加速：有望通過材料創新解決發光效率衰減問題
通過晶片探測測試的150毫米GaN LED晶圓（圖片來源：Kubos 半導體）
“硅襯底可以與CMOS工藝兼容，由于薄SiC層和立方GaN之間的低晶格失配，我們可以迫使GaN的生長進入立方狀態，”O'Brien說道：“隨著SiC功率器件的商業化，這種SiC薄層的成本將顯著降低，這也讓我們的全套方案，開始能夠與目前使用量子點或在藍寶石襯底上生長GaN的Micro-LED制造方法競爭?！?Kubos打算在更大的200毫米硅基碳化硅晶圓上生長立方GaN，根據O'Brien的說法，這是“真正的最佳成本點”
Kubos的首席執行官Caroline O'Brien認為，圍繞其立方GaN工藝積累的無數專利已經讓該公司具有了非常大的商業優勢。另外她還指出，目前業界只有少數幾個玩家在研究立方氮化鎵，如美國伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校和倫斯勒理工學院以及德國的帕德博恩大學，而且，這些研究機構目前都還沒有開發商業器件。
O'Brien說道：“立方GaN開辟了一個全新的世界，與生長六邊形GaN的IP雷區相比，立方GaN是一個相對未開發的空間?！?Kubos最近制造了一款50微米直徑的立方GaN非封裝Micro-LED芯片，它可以發射紅光。他們希望據此證明，使用立方GaN方案制造更長波長Micro-LED是可能的。目前，該公司正在增加其晶圓供應，以便支持客戶定制其專有紅色Micro-LED芯片。據O'Brien的估計，這些初始LED器件的外部量子效率約為3%。
圖2. Kubos半導體制作的直徑為50微米的綠色、琥珀色和紅色Micro-LED器件。
展開 無鉛電子封裝材料及其焊點可靠性研究進展
錫須的成長因素很多，比較一至的看法是由于材料的晶格失配所引起的應力造成。目前僅日本制定了“錫須”試驗標準。有研究報道鍍層添加Bi，Sn和Au元素可抑制“錫須”產生，而Cu會加速“錫須”生長；有機顆粒沉積物會加速“錫須”生成。預防措施主要有去應力、覆錫霧、加Ni或Au等。Agere的研究表明在錫與銅之間加入2μ厚的鎳層能有效抑制“錫須”的成長。
Kirkendall空洞問題
如果兩種材料的擴散率不同，其中一種材料將出現原子耗損空位，從而導致Kirken-dall空洞也是隨時間變化的。引起Kirken-dall空洞的原因可能如下：固化期間焊錫的收縮；焊接期間電鍍通孔的排氣；焊接點濕潤不夠。一般，小的空洞不影響焊點的可靠性，但大的空洞可能降低抗拉強度，降低線路的導電與導熱性能而造成熱失效。
4． 展望
當前，電子封裝無鉛化已是業界的發展趨勢，但目前所開發的無鉛焊料還沒有一種的綜合性能能與傳統的Sn37Pb焊料相比；各國研究的重點、測試標準和測試數據也不統一；就國際上所看好的Sn-Ag-Cu合金而言，還沒有產品的長期可靠性測試數據。
隨著無鉛焊接技術不斷走向深入，所帶來的問題已成為有待解決的研究熱點。這些問題主要有：⑴優化現有成份利用新工藝制備新型無鉛焊料，如無鉛非晶焊料、納米晶焊料。⑵無鉛焊料的工業應用與相關焊接工藝的研究。⑶無鉛焊點的長期可靠性問題和失效機理的深入研究。
資料來源：www.iccae.com
展開 智芯研報｜第四代半導體GaO將在未來3-5年釋放驚人潛力
此外，GaN一般是在異質襯底上生長，所以會有嚴重的晶格失配問題，長期可靠性也是目前業界普遍的顧慮。
GaO材料的缺陷密度比SiC和GaN材料低至少3個數量級，這在芯片加工中可以規避很多問題，而且由于是同質外延，器件不會像GaN一樣出現晶格失配問題。
2. 阻力
雖然GaO材料具有諸多優點，大規模應用還是有一定的阻力，相信在日后都可一一克服。
（1）襯底及外延大規模推廣時間業界存疑
目前襯底市場為日本的NCT公司所壟斷，雖然該公司已能提供2~4寸產品，但是定價極為昂貴，僅10mm*15mm的小尺寸襯底售價高達6000~8000元，做上外延更是高達2萬~10萬元，說是比賣軍火還暴利也不為過。這讓下游客戶的技術和產品開發受到極大限制，而國內研究十數年尚無形成供貨能力，業界對國內廠家何時能夠提供物美價廉的襯底和外延產品普遍持悲觀態度。這就需要有一家或若干家企業先形成供應能力，從源頭上給下游企業供應鏈保障，并大幅度降低成本，激發下游企業的研發動力。
（2）P型材料制備與應用
作為一款半導體材料，若想大規模應用一般是需要P型和N型共同存在，形成PN結從而參照Si的器件結構和工藝直接制造MOS、IGBT等多種器件，可以有廣泛的市場應用。然而GaO目前僅有N型材料，這就讓其未來的應用潛力充滿不確定性，業界唯恐器件開發受到材料限制成為一條斷頭路，所以盡管當前GaO SBD已可實現量產，業界仍對GaO的未來產生質疑。
展開 