1A2C快充方案
關注創(chuàng)建者：工采電子 創(chuàng)建時間：2023-03-01
1A2C快充方案的視頻教程
Ansys Fluent從零基礎到熟練掌握系列課（二）多孔介質
三、本節(jié)課程大綱 1.仿真與未來 a. 自我介紹 b. 仿真的前世今生 c. 理論、實驗和仿真 d. ANSYS Fluent功能簡介和行業(yè)應用 e. 學習方法 2.案例2——多孔介質 a. 流程步驟 b. 多孔介質應用場景 c. 網(wǎng)格局部加密 d.
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Ansys Fluent從零基礎到熟練掌握系列課（十六）伴隨求解器
知識點匯總 b. 2點建議：選擇比努力更重要；獨立思考 c. 課程考試 點擊鏈接可直接跳轉到總的系列課程鏈接。 https://www.yqgqt.org.cn/video/c210631 系列課程介紹如下 四、課程有多少個章節(jié)？多少學時？覆蓋多少知識點？ 1.本課程共計42個章節(jié)，總共32個學時。
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Ansys Fluent從零基礎到熟練掌握系列課（七）多相流VOF
三、本節(jié)課程大綱 1.仿真與未來 a. 自我介紹 b. 仿真的前世今生 c. 理論、實驗和仿真 d. ANSYS Fluent功能簡介和行業(yè)應用 e. 學習方法 2.案例7多相流VOF a. 流程步驟 b. 2d模型創(chuàng)建 c. Ansys mesh網(wǎng)格劃分 d.
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1A2C快充方案的實例教程
三、PCB布局圖：
四、優(yōu)勢：
■返馳式谷底偵測減少開關損失
■輕載Burst Mode增加效率
■最佳效能可達91%
■空載損耗低于50mW
■控制IC可支持頻率高達160 kHz
■系統(tǒng)頻率有Jitter降低EMI干擾
■控制IC可直接驅動GaN
■進階保護功能如下：
(1) VDD過電壓及欠電壓保護
(2) 導通時最大峰值電流保護
(3) 輸出過電壓保護
(4) 輸出短路保護
■可輸出65W功率
五、電路原理圖
六、主要零件溫度量測：
七、傳導EMI量測 (CISPR22 Class B/EN55022)
八、輻射EMI量測：
GaN/氮化鎵65W（1A2C）PD快充電源方案整體工作頻率更高、環(huán)路穩(wěn)定性更佳，效果高達91.62%，待機功耗小于50mW，更多GaNPD快充方案、線路圖紙、變壓器設計、測試數(shù)據(jù)及應用要點等資料，可聯(lián)系：19168597394（微信同號）歡迎咨詢
展開 65W快充是目前快充市場出貨的主流規(guī)格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時間過壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關損耗和驅動損耗，提升開關頻率，附帶地降低廢熱的產生，進而減小元器件的體積同時能提高效率。
近期美闊電子推出了一款全新的氮化鎵65W（1A2C）PD快充充電器方案，該方案采用同系列控制單晶片：QR一次側控制IC驅動MTCD-mode GaN FET(MGZ31N65-650V)、二次側同步整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達到適優(yōu)匹配。
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內置MGZ31N65-650V氮化鎵開關管；采用PD3.0協(xié)議IC。
該方案能夠有效降低寄生參數(shù)對高頻開關的影響，獲得更高的轉換效率和更優(yōu)秀的可靠性；實現(xiàn)“更高效率，更大功率，更小體積，更低發(fā)熱。”采用了智能溫控技術做到了“大功率下更小體積、更好溫控”支持多種充電模式，對不同的設備功率略有不同，USB-C接口實際較大輸出功率為65W。
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抗沖擊能力：設備通過了MIL-STD-810G軍用標準的墜落測試，能夠承受從1.2米（4英尺）高度跌落至混凝土地面的沖擊，這種堅固性極大地降低了設備在高空作業(yè)或崎嶇地形中意外損壞的風險。
環(huán)境適應性：工作溫度范圍覆蓋-10°C至50°C，部分型號通過Peltier恒溫冷卻系統(tǒng)，確保探測器在高溫環(huán)境下仍能保持低噪聲工作狀態(tài)。
三/四線 SPI 接口通信/I2C 接口通信
SPI 接口速率最高支持 4Mbps
支持最大數(shù)據(jù)長度為 128 字節(jié)（4 級 FIFO）
SOP8 封裝
深圳市芯嶺技術有限公司是一家專注于短距離無線通訊，芯片應用解決方案商，從事芯片研發(fā)、封測，代理、技術服務、銷售，為眾多企業(yè)提供物聯(lián)網(wǎng)應用芯片，技術支持，解決方案服務。
初始模型構建
首先利用VMD的extensions-modeling-nanotube Builder模塊構建（5，5）手性，管長7埃的碳納米管作為初始模型，如圖1和2所示：
圖1 VMD構建碳納米管的界面
圖2 初始碳納米管模型
模擬在3000K下進行，注意溫度既不能太高，也不能太低。
<p><img src="https://img.jishulink.com/202605/imgs/5e1e1e2be4c642fab32c219dc0e0bfde"></p><p><strong>時間：</strong>2026年5月19日（周二），13:30-18:00</p><p><strong>地點：</strong>武漢</p><p><strong>費用：</strong>免費（報名需審核
Ansys NVH 仿真精度和效率提升方案；2. NVH 仿真案例介紹。
我們將分享前沿技術趨勢、成功實踐案例與定制化解決方案，旨在幫助您：</p><p> （1）大幅提升 eVTOL 研發(fā)效率和質量</p><p>（2）顯著增強產品安全可靠性</p><p>（3）加速實現(xiàn)適航取證，搶占市場先機</p><p>（4）推動 eVTOL 行業(yè)的創(chuàng)新與應用落地</p><p>期待與您一同，駕馭數(shù)字未來，共同開啟 eVTOL 的嶄新篇章！
：10 μA - 關機模式：0.5 μA 外設
? GPIO：QFN32封裝19個
? 1個SPI接口 ? 2個UART：1個支持Flash下載 ? 1個I2C ? 1個通用DMA控制器（GDMA）帶6通道 ? 6個32位 PWM 通道 ? 10位AUX ADC（支持6通道）
? 6個通用32位定時器 ? 1個看門狗定時器（WDT）? 1個實時計數(shù)器（RTC）? 1個溫度傳感器 ?
只有掌握了精和確的變形數(shù)據(jù)，才能判斷損傷屬于哪個級別，并制定出比較有效、比較經濟的修復方案。
第二步：根據(jù)損傷程度分級處理
1. 輕度磨損（平面度誤差 ≤ 0.08 mm/m）
典型特征：表面有輕微的拉毛、劃傷，螺栓與T型槽的配合間隙略有增和大，但地軌整體精度基本滿足使用要求。
：?0.36 mA?
-平均電流（AVG=8，1 次/秒）：?2 μA?
?溫度轉換時間?：可配置為?15.3ms / 8.5ms / 5.2ms / 2.2ms?
?接口?：?單總線（One-Wire）協(xié)議?，僅需一個GPIO即可通信
?封裝?：?DFN4L（1.6mm × 1.2mm × 0.55mm）?
?內置存儲?：?112 bit E2PROM?，用于存儲用戶信息（如節(jié)點編號
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