SiC器件的案例
SiC和GaN功率器件為何能夠在電子界唱主角？原因在此
得益于全新的鈍化層概念，此產(chǎn)品成為市場上最耐用的汽車器件之一，具有耐濕性和耐腐蝕性。該器件基于110μm薄晶圓技術(shù)，因此在同類產(chǎn)品中FoM表現(xiàn)突出，這體現(xiàn)為更低的功耗，從而實現(xiàn)更出色的電氣性能。
與傳統(tǒng)的Si FRD相比，Infineon的CoolSiC汽車肖特基二極管在所有負載條件下均可將 OBC 能效提高一個百分點。
使用SiC和GaN器件
除了上述的精心布局外，SiC元器件的另一個潛在問題在于驅(qū)動要求與IGBT器件截然不同。雖然大多數(shù)晶體管的驅(qū)動通常使用對稱電源軌（如±5V），但SiC器件需要較小的負電壓以確保完全關(guān)斷，因此需要不對稱的電源軌（如-1V至-20V）。
此外，雖然SiC具有出色的散熱特性，與硅相比導熱特性亦出類拔萃，但是SiC元器件常使用為Si器件設計的封裝，例如芯片鍵合和引線鍵合。雖然這種封裝方法與SiC配合良好，但僅適用于低頻電路（數(shù)十千赫）。一旦應用于高頻電路，寄生電容和電感就會相應增大，從而阻礙基于SiC器件充分發(fā)揮全部潛力。
同樣，要充分利用GaN器件的優(yōu)勢，封裝就必須具有極低的寄生電感和出色的熱性能。嵌入式芯片封裝（類似于多層印刷電路板）等全新封裝方法，以低成本實現(xiàn)了所需的性能，同時還消除了引線鍵合以避免器件自身的可靠性問題。
柵極驅(qū)動器這一關(guān)鍵元件主要用作控制器與功率器件之間的接口。對于采用新器件的電子設計人員而言，柵極驅(qū)動設計始終是個難題，因此了解SiC和GaN功率器件的驅(qū)動方式就顯得尤為重要。
展開 AEC-Q101 | SiC功率器件高溫反偏
SiC功率器件的概況
SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領域的追捧。
在車用領域，SiC功率器件在能量轉(zhuǎn)換效率上的顯著優(yōu)勢，能有效增加電動汽車的續(xù)航里程和充電效率。另外，SiC器件的導通電阻更低、芯片尺寸更小、工作頻率更高，能夠使電動汽車適應更加復雜的行駛工況。隨著SiC良率的提升、成本的降低，SiC功率器件在新能源汽車上的裝機量會大幅上升，SiC功率器件的車用需求也會迎來跨越式發(fā)展。
當前，SiC全球產(chǎn)業(yè)布局上，形成美、歐、日三強態(tài)勢，但與第一代、第二代半導體材料相比，全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)均還在發(fā)展初期，國內(nèi)與主流SiC產(chǎn)業(yè)差距不大，為國產(chǎn)三代半產(chǎn)業(yè)提供了彎道超車、打入半導體元器件高端產(chǎn)業(yè)鏈的機會。
國產(chǎn)SiC功率器件面臨的主要問題
目前，SiC產(chǎn)業(yè)普遍遇到的問題是良率低、成本高的瓶頸，而對于國產(chǎn)器件，一致性和可靠性也是其市場應用的攔路虎，要獲取市場信任與認可，可靠性驗證是必經(jīng)之路。驗證SiC功率器件高溫與高壓下的模擬壽命，可采用高溫反偏（HTRB）作為基礎的驗證試驗。
SiC功率器件的高溫反偏試驗
1、高溫反偏試驗的作用
高溫反偏試驗是模擬器件在靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)工作模式下，以最高反偏電壓或指定反偏電壓進行工作，以研究偏置條件和溫度隨時間對器件的壽命模擬。甚至一些廠商還會將其作為一篩或二篩的核心試驗。
2、高溫反偏的試驗條件
分立器件的高溫反偏主要采用的試驗標準有MIL-STD-750 方法1038、JESD22-A108、GJB 128A-1997 方法1038、AEC-Q101表2 B1項等。
展開 一文搞懂SiC功率器件的市場、應用和制造工藝
報告主題：一文搞懂SiC功率器件的市場、應用和制造
報告作者：Dr. Victor Veliadis
Deputy Executive Director and CTO, PowerAmerica
Professor ECE North Carolina State University, Raleigh, NC USA
報告內(nèi)容包含：（具體內(nèi)容詳見下方全部報告內(nèi)容）
SiC/GaN 性能科普
Si、SiC 或 GaN 的選擇應用差異
汽車電氣化是寬禁帶(WBG功率器件和電子裝置的一大機遇
SiC功率器件的制造
SiC襯底的生長比Si更復雜
SiC外延技術(shù)成熟度相對較高
SiC 晶圓占 SiC 器件成本的 50-70%
高壓 (+900 V) SiC 功率器件通常采用縱向配置
SiC 器件的理想阻斷電壓由其漂移層的厚度和摻雜決定
電壓和開關(guān)頻率需求推動單極與雙極 SiC 器件的選擇
SiC制造需要投資特定的設備和開發(fā)特定的工藝
...
展開 SiC器件發(fā)力？士蘭微、燕東微各增1條線
最近，國內(nèi)
2條
碳化硅器件生產(chǎn)線有了
新進展
：
▲ 士蘭微：SiC功率器件中試線已經(jīng)
通線
，將加快研發(fā)
SiC MOSFET
和
車規(guī)
模塊；
▲ 燕東微電子：傳聞與基本半導體合建
6英寸
SiC器件線，采用國產(chǎn)核心設備。
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士蘭微：
碳化硅中試線通線
加快車規(guī)SiC模塊
8月16日，士蘭微發(fā)布2021年
半年度
報告，上半年實現(xiàn)營業(yè)收入
33.08
億元，同比增長
94.05%
；實現(xiàn)凈利潤
4.31
億元，同比增長
1306.
52%
。
公告還提到，2021年上半年，士蘭微
硅基GaN
化合物功率半導體器件的研發(fā)在持續(xù)推進中，SiC功率器件的
中試線
已在二季度實現(xiàn)通線。同時，將加快SiC
MOSFET
功率器件的研發(fā)，推出自產(chǎn)芯片的車用SiC功率模塊。
官網(wǎng)資料顯示，士蘭微成立于1997年9月，2003年3月在上海證券交易所掛牌交易，是
第一家
在中國境內(nèi)上市的集成電路芯片設計企業(yè)。
士蘭微還布局了化合物半導體，早在2017年12月，士蘭微就與廈門半導體投資集團有限公司共同投資220億元，在廈門規(guī)劃建設兩條12英寸的特色工藝硅芯片生產(chǎn)線和一條4/6英寸化合物半導體器件生產(chǎn)線。2020年，士蘭化合物半導體生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。
燕東微碳化硅技改線通過驗收
基本半導體、北方華創(chuàng)參與其中？
展開 
智芯研報 | 碳化硅SiC功率器件在電動汽車中的研究與應用
▲三菱電機 Si 和SiC 功率模塊封裝對比
由于開關(guān)損耗的降低，SiC 器件能工作于20kHz 以上開關(guān)頻率，將夠顯著減小無源器件的體積和成本。
▲三菱電機 11kW Si 和SiC 逆變器體積對比，其中SiC逆變器的功率密度達到10W/cm3
▲典型的電動汽車電源架構(gòu)
隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。
這便是SiC的用武之地。基于氮化鎵（GaN）的功率半導體也正在出現(xiàn)。GaN和SiC都是寬帶隙技術(shù)。硅的帶隙為1.1 eV。相比之下，SiC的帶隙為3.3 eV，GaN的帶隙為3.4 eV。
SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。在生產(chǎn)流程中，專門的SiC襯底被開發(fā)出來，然后在晶圓廠中進行加工，得到基于SiC的功率半導體。
許多基于SiC的功率半導體和競爭技術(shù)都是專用晶體管，它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領域，可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制。
▲碳化硅智能功率模塊
與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。
另外，SiC還用于制造LED。碳化硅材料各項指標均優(yōu)于硅，其禁帶寬度幾乎是硅的3倍，理論工作溫度可達600℃，遠高于硅器件工作溫度。技術(shù)成熟度最高，應用潛力最大。
碳化硅器件具有更低的導通電阻。
在低擊穿電壓 (約 50V 下）,碳化硅器件的比導通 電阻僅有 1.12uΩ,是硅同類器件的約 1/100。
展開 SiC器件大戰(zhàn)一觸即發(fā)
英飛凌將把這項技術(shù)用于碳化硅（SiC）晶圓的切割上，從而讓單片晶圓可出產(chǎn)的芯片數(shù)量翻番。進一步加碼碳化硅市場。
在早些時候，意法半導體CEO在接受半導體行業(yè)觀察等媒體采訪也談到，該公司的碳化硅產(chǎn)品已實現(xiàn)批量出貨，年出貨金額在今年能突破一億美元，市場占有率高達90%；X—Fab也聲稱將擴大晶圓的生產(chǎn)；日本羅姆今年四月也宣布，將在其福岡筑后工廠投建新廠房，擴充碳化硅產(chǎn)能。
多方面的消息證明，碳化硅大戰(zhàn)一觸即發(fā)。
SiC功率器件需求大增
據(jù)Semiconductor Engineering報道，SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。在生產(chǎn)流程中，專門的SiC襯底被開發(fā)出來，然后在晶圓廠中進行加工，得到基于SiC的功率半導體。許多基于SiC的功率半導體和競爭技術(shù)都是專用晶體管，它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領域，可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制。
得益于其垂直架構(gòu)，因此相較于氮化鎵和硅，碳化硅可以承受更高的電壓，能適用于1000V以上的應用市場。以硅而言，目前硅基MOSFET多應用在1000V以下，約600~900V之間，若是超過1000V，其芯片體積(Chip Size)會變得很大，以及切換損耗、寄生電容都會跟著提升，另外價格也會大漲，因此較不適用于1000V以上的應用。而SiC因其寬帶隙技術(shù)脫穎而出。而與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強更是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，具有極其強大的優(yōu)勢。
SiC和GaN設計方式不同，耐壓程度也因而有所差異。
羅姆在接受半導體行業(yè)觀察采訪時也表示，在功率元器件領域中，SiC作為新一代材料備受矚目，與傳統(tǒng)使用的Si相比，SiC元器件實現(xiàn)低導通電阻、高速開關(guān)、高溫工作。
展開 SiC器件上車第一個優(yōu)質(zhì)落腳點—車載電源
以OBC舉例，從 Si 設計轉(zhuǎn)到 SiC 設計，功率器件和柵極驅(qū)動的數(shù)量減少 30% 以上，開關(guān)頻率提高一倍以上。降低了功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組件尺寸、重量和成本，同時提高運行效率。
22kW 雙向 OBC: Si vs SiC
目前，市場上的車載電源產(chǎn)品主要向集成化、高功率化、雙向化發(fā)展。
(一) 集成化：通過將DC/DC、OBC、電機、電控器件等集成可以減少車載電源的占用空間，減少電路板尺寸，降低組裝成本以及BOM和PCB成本。
(二) 高功率化：隨著電動車續(xù)航、帶電量的提高，10kW、 20kW以上的大功率將成為主流，主要通過三相交流電技術(shù)，目前比亞迪、欣銳科技已有所布局。
(三) 雙向化：雙向DC/DC具有效率高、體積小、成本低的優(yōu)點，同時還可將電池電能對外輸出，有效提高電能利用率。雙向車載充電機可以將電池的電能對外輸出，實現(xiàn)車對車、車對負載、車對電網(wǎng)充電。
在車載電源系統(tǒng)中使用SiC MOSFET能以更高的頻率進行開關(guān)，功率密度更高，能效更高，EMI性能得到改善以及系統(tǒng)尺寸減小。
同時，再以22KWOBC系統(tǒng)舉例，再進一步細化成本結(jié)構(gòu)：盡管相比單個 Si 基二極管和功率晶體管，分立式 SiC 基功率器件的成本更高。但從系統(tǒng)角度來說，SiC 器件的性能可減少所需元件的數(shù)量，從而降低電路元件成本以滿足支持各種功率器件功能的要求。綜合算下來， SiC 系統(tǒng)比Si 系統(tǒng)可節(jié)約近 20% 的成本。
展開 智芯文庫 | 新能源汽車引爆SiC器件大戰(zhàn)
達摩院認為，未來五年，第三代半導體材料將在材料生長、器件制備等技術(shù)上實現(xiàn)突破，基于第三代半導體材料的電子器件，特別是功率器件和射頻器件將廣泛應用于
5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等場景
，大幅降低整體能耗。
碳化硅（SiC）下游應用需求旺盛
作為功率器件整體市場中最主要的細分市場之一，
汽車領域
也是SiC功率半導體最大的下游應用領域。2019年SiC功率半導體整體市場約
5.41億美元
，其中新能源汽車領域市場規(guī)模為2.25億美元，占整體的41.6%，且未來保持高速增長，2019-2025年CAGR高達38%，高于SiC功率器件整體市場增速。
除了新能源汽車的直接拉動外，
大功率充電樁
對于SiC的需求更加旺盛，2019-2025CAGR高達90%。此外，軌道交通、儲能等領域均保持較高速度的增長。根據(jù)Yole Développement的預測，2025年，SiC功率半導體整體市場空間將達到
25.62億美元
，2019-2025年整體CAGR超過30%。
對于我國市場而言，功率器件的下游應用新增長點多在新能源汽車，家電和工控行業(yè)，其中
車載功率器件的應用空間最廣。
目前SiC器件在電動汽車上的應用主要是功率控制單元（PCU）、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等方面。據(jù)預測， 2025 年中國碳化硅晶片占全球比將從 2020 年的 8.6%
提升至 16%。
展開 SiC器件開關(guān)動態(tài)測試挑戰(zhàn)及應對方法
來源：碳化硅芯觀察
第三代半導體器件毫不夸張的講為電力電子行業(yè)帶來了革新，基于其高速，小體積，低功耗越來越廣泛應用在汽車、工業(yè)級消費電子行業(yè)。
我們先來看看不同技術(shù)的功率器件的區(qū)別，下圖可以看到傳統(tǒng)的Si基的IGBT或者MOSFET管要么分布在高壓低速的區(qū)間，要么分布在低壓高速的區(qū)間，市面上傳統(tǒng)的探測技術(shù)可以覆蓋器件特性的測試需求。但是第三代半導體器件SiC 或GaN的技術(shù)趨于成熟，因為其高速，高耐壓，抗高溫，體積小，低功耗被越來越多的應用在電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品上，從性能區(qū)別于傳統(tǒng)Si基的功率器件卻大大擴展了分布的區(qū)間，覆蓋以往沒有出現(xiàn)過的高壓高速區(qū)域，這就對器件的測試提出非常嚴苛的挑戰(zhàn)。
展開 一文讀懂：第三代半導體行業(yè)現(xiàn)狀和投資機遇
3）雖然國際上 SiC 器件技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化水平發(fā)展迅速，
開始了小范圍替代硅基二極管和 IGBT 的市場化進程，但是 SiC功率器件的市場優(yōu)勢尚未完全形成，尚不能撼動目前硅功率半導體器件市場上的主體地位。國際 SiC 器件領域存在的問題主要有：SiC單晶及外延技術(shù)還不夠完美，高質(zhì)量的厚外延技術(shù)不成熟，這使得制造高壓 SiC 器件非常困難，而外延層的缺陷密度又制約了 SiC功率器件向大容量方向發(fā)展；SiC器件工藝技術(shù)水平還比較低，這是制約 SiC 功率器件發(fā)展和推廣實現(xiàn)的技術(shù)瓶頸，特別是高溫大劑量高能離子注入工藝、超高溫退火工藝、深槽刻蝕工藝和高質(zhì)量氧化層生長工藝尚不理想，使得 SiC功率器件中存在不同程度的高溫和長期工作條件下可靠性低的缺陷；在 SiC功率器件的可靠性驗證方面，其試驗標準和評價方法基本沿用 Si器件，尚未有專門針對 SiC功率器件特點的可靠性試驗標準和評價方法，導致試驗情況與實際使用的可靠性有差距；在 SiC 功率器件測試方面，SiC器件測試設備、測試方法和測試標準基本沿用 Si 器件的測試方法，導致 SiC 器件動態(tài)特性、安全工作區(qū)等測試結(jié)果不夠準確，缺乏統(tǒng)一的測試評價標準。
除了以上共性問題外，中國 SiC功率器件領域發(fā)展還存在研發(fā)時間短，技術(shù)儲備不足，進行 SiC功率器件研發(fā)的科研單位較少，研發(fā)團隊的技術(shù)水平跟國外還有一定的差距等問題，特別是在以下 3個方面差距巨大：（1）在 SiC MOSFET 器件方面的研發(fā)進展緩慢，只有少數(shù)單位具備獨立的研發(fā)能力，存在一定程度上依賴國際代工企業(yè)制造芯片的弊病，容易受制于人，產(chǎn)業(yè)化水平不容樂觀。（2）SiC 芯片主要的工藝設備基本上被國外公司所壟斷，特別是高溫離子注入設備、超高溫退火設備和高質(zhì)量氧化層生長設備等，國內(nèi)大規(guī)模建立 SiC工藝線所采用的關(guān)鍵設備基本需要進口。
展開 高溫SiC器件的特性及發(fā)展
王俊教授近十年主要從事功率半導體器件及其在電力電子系統(tǒng)中應用的研究，研制了世界首個碳化硅ETO晶閘管，在國際高水平刊物和會議上已發(fā)表論文七十余篇，獲2項美國發(fā)明專利和1項日本發(fā)明專利，5項中國專利。主要研究方向包括：1）硅基功率MOSFET和IGBT的研究，碳化硅（SiC）功率器件的研究，3）氮化鎵（GaN）器件的研究，4)電力電子器件的智能驅(qū)動，5）高功率密度變換器的研究。近年來，主持參與了國家自然科學基金面上項目、國家“863”項目和企業(yè)橫向合作項目等。
來源：寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
PPT | SiC功率器件的性能表征、封裝測試與系統(tǒng)集成
PPT | SiC功率器件的性能表征、封裝測試與系統(tǒng)集成
智芯研報 | 汽車電動化驅(qū)動SiC市場規(guī)模增長
這個發(fā)展目標對電力電子器件和拓撲性能、控制策略、系統(tǒng)集成以及封裝都提出了新的要求和挑戰(zhàn)。
SiC 功率半導體器件具有Si基器件無可比擬的電氣性能：
1 ） 耐壓高。
臨界擊穿電場高達2MV/cm(4H-SiC)，因此具有更高的耐壓能力(10 倍于Si)。
2）散熱容易。
由于SiC 材料的熱導率較高(3倍于Si)，散熱更容易，器件可工作在更高的環(huán)境溫度下。有報導，SiC 肖特基二極管在361℃的工作結(jié)溫下正常工作超過1 小時。
SiC 可顯著減小散熱器的體積和成本。理論上，SiC 功率器件可在175℃結(jié)溫下工作，因此散熱器的體積可以顯著減小。
▲采用 Si 和SiC SBDs 的散熱對比
上圖為采用SiC SBDs的小功率EV 車載逆變器散熱片體積和采用傳統(tǒng)Si基半導體器件散熱片體積的對比，可看出，采用SiCSBDs 器件散熱片的體積大大減小。
對于主流的大功率HEV，一般包含兩套水冷系統(tǒng)，一套是引擎冷卻系統(tǒng)，冷卻溫度約105℃，另一套是電力電子設備的冷卻系統(tǒng)，冷卻溫度約為70℃。
如果采用SiC 功率器件，由于其具有3 倍于Si 的導熱能力，可以使器件工作于較高的環(huán)境溫度中。
長期以來，HEV 設計者一直希望將兩套水冷系統(tǒng)合二為一，其直接效益是大大降低了HEV 驅(qū)動系統(tǒng)的成本。
此外，SiC 功率器件的高導熱性也使風冷在未來的中、大功率電動汽車中成為可能。
3）導通損耗和開關(guān)損耗低。
展開 SiC芯片市場將迎來大爆發(fā)
電動汽車推動了SiC功率半導體市場，但成本仍然是個問題。
隨著電動汽車以及其他系統(tǒng)的增長，碳化硅（SiC）功率半導體市場正在經(jīng)歷需求的突然激增。
但需求也導致市場上基于SiC的器件供應緊張，促使一些供應商在棘手的晶圓尺寸過渡期間增加晶圓廠產(chǎn)能。一些SiC器件制造商正從4英寸晶圓過渡到6英寸晶圓。
SiC是一種基于硅和碳的復合半導體材料。在生產(chǎn)流程中，專門的SiC襯底被開發(fā)出來，然后在晶圓廠中進行加工，得到基于SiC的功率半導體。許多基于SiC的功率半導體和競爭技術(shù)都是專用晶體管，它們可以在高電壓下開關(guān)器件的電流。它們用于電力電子領域，可以實現(xiàn)系統(tǒng)中電力的轉(zhuǎn)換和控制。
SiC因其寬帶隙技術(shù)脫穎而出。與傳統(tǒng)硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統(tǒng)硅基器件的10倍，導熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。另外，SiC還用于制造LED。
最大的增長機會在汽車領域，尤其是電動汽車?；?em>SiC的功率半導體用于電動汽車的車載充電裝置，而這項技術(shù)正在進入系統(tǒng)的關(guān)鍵部分——牽引逆變器。 牽引逆變器為電動機提供牽引力，以推動車輛前進。
對于這一應用，特斯拉在一些車型中使用了SiC功率器件，而其他電動汽車制造商則在評估這項技術(shù)。Yole Développement的分析師Hong Lin表示：“當人們討論SiC功率器件時，汽車市場無疑是焦點。豐田和特斯拉等先驅(qū)企業(yè)的SiC活動給市場帶來了許多刺激和喧囂。SiC MOSFET在汽車市場具有潛力。但仍存在一些挑戰(zhàn)，比如成本、長期可靠性和模塊設計?！?據(jù)Yole稱，在汽車和其他市場的推動下，2017年SiC功率器件業(yè)務達到3.02億美元，較2016年的2.48億美元增長22%。
展開 電動車長續(xù)航呼喚更強器件
在近日舉辦的2021年第十六屆“中國芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進大會上，三安光電副總經(jīng)理陳東坡預計，
在2023-2024年，長續(xù)航里程的車型基本上80-90%、甚至100%都會導入碳化硅（SiC）器件
。400-500公里續(xù)航里程的車型，他預計將在2024年之后開始導入（SiC），這一類車整體滲透率將達到40%左右。對于400公里以下的這一類車型，他預計2025年以后才會逐步跟進，而且這一類車型，整體滲透率也不會很高，預估在10%左右。
當前，硅基IGBT是車用功率模塊的主流，決定了新能源車電驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵性能和整車的能源效率，是除電池之外成本第二高的元件。
而新能源汽車的高電壓、輕量化、高效率需求呼喚性能更高的半導體器件
。據(jù)了解，目前車企打造800V高壓平臺的出路，都是在IGBT上做文章，用SiC器件替代目前的硅基IGBT，另外，SiC還可以使模塊和周邊元器件小型化，推動汽車輕量應用，在提升續(xù)航里程、縮短充電時間、降低整體成本方面，SiC也起著重要作用。
隨著SiC器件生產(chǎn)工藝和技術(shù)日趨成熟，“性價比”是阻礙SiC取代IGBT的最大難題，目前SiC功率器件的成本約為Si基IGBT的3-5倍。
規(guī)模應用是推動SiC成本迅速下降的關(guān)鍵，未來伴隨SiC產(chǎn)能的逐漸釋放，成本有望下降至硅基IGBT的2倍左右
。
特斯拉的Model 3和Model Y已經(jīng)全面升級到SiC的主驅(qū)逆變器，明年有望實現(xiàn)所有車型全面應用。
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