DB HiTek的案例
DB HiTek明年4月8吋Foundry增設(shè)完成，產(chǎn)能擴(kuò)大到每月15.1萬張
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，DB HiTek將于明年4月完成主力業(yè)務(wù)8吋Foundry生產(chǎn)線的增設(shè)。增設(shè)完成后，DB HiTek的產(chǎn)能（以晶圓投入量為基準(zhǔn)）預(yù)計(jì)將從每月13.8萬張?jiān)黾拥矫吭?5.1萬張，增長10%左右。DB HiTek還就半導(dǎo)體行業(yè)惡化問題，制定了明年減少M(fèi)obile比重，將BCDMOS（復(fù)合電壓元件、Bipolar CMOS DMOS）工藝比重提高到70%，以多品種小批量生產(chǎn)體制應(yīng)對危機(jī)的目標(biāo)。
DB HiTek公司Foundry營業(yè)本部長（副社長）趙基錫21日在接受thelec采訪時(shí)，就明年的事業(yè)計(jì)劃做出了上述表示。
趙副社長自1994年加入東部制鋼公司，從1995年起的27年間，只涉足半導(dǎo)體領(lǐng)域，是有名的行業(yè)專家。在趙副社長入職后不久的1995年，當(dāng)時(shí)的東部集團(tuán)為了半導(dǎo)體事業(yè)成立了“S-項(xiàng)目”。集團(tuán)內(nèi)，三個(gè)人聚集在一起，為半導(dǎo)體新事業(yè)制定了事業(yè)計(jì)劃書。初期的3名創(chuàng)始成員中，趙副社長就是其中之一。
之后，他曾經(jīng)歷過DB HiTek技術(shù)企劃、產(chǎn)品技術(shù)、營銷等多個(gè)部門，之后擔(dān)任臺(tái)灣分公司社長、中國分公司長。2013年回到韓國后，擔(dān)任了Foundry營業(yè)本部長的重任。
當(dāng)時(shí)，DB HiTek正面臨著持續(xù)虧損大挑戰(zhàn)。2012年DB HiTek的銷售額為5908億韓元，但營業(yè)虧損達(dá)到156億韓元。
展開 DB Hitek進(jìn)入三星顯示智能手機(jī)用OLED DDI供應(yīng)鏈
因此，業(yè)界評價(jià)稱，DB Hitek在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候進(jìn)入了三星顯示智能手機(jī)用OLED DDI供應(yīng)商。業(yè)界相關(guān)人士預(yù)測說：“三星智能手機(jī)用OLED DDI供應(yīng)鏈將由三星LSI、LX Semicon、DB Hitek展開三強(qiáng)格局，未來將Wonik D2I或其他Fabless廠商將加入?！?另外，有分析認(rèn)為，此次進(jìn)入三星供應(yīng)鏈也會(huì)對DB Hitek的Fabless業(yè)務(wù)分離產(chǎn)生影響。DB Hitek最近決定重新推進(jìn)將品牌事業(yè)部物理分割為DB Fabless(暫稱)的方案，并將相關(guān)議案提上股東大會(huì)議程。物理分割的原因是，如果像現(xiàn)在這樣繼續(xù)推進(jìn)Foundry和Fabless經(jīng)營，就會(huì)發(fā)生與客戶的利益沖突的情況。尤其是，DB Hitek為了說服擔(dān)心因物理分割導(dǎo)致企業(yè)價(jià)值下降的股東，稱“品牌事業(yè)部為非主力事業(yè)”。
在這種情況下，如果DB Hitek像此次三星顯示用智能手機(jī)用OLED DDI新供應(yīng)商一樣繼續(xù)擴(kuò)大業(yè)務(wù)，那么當(dāng)初的“非主力事業(yè)”的說法就很可能缺乏說服力。如果Fabless的銷售比重?cái)U(kuò)大，可能會(huì)有人指責(zé)稱：“為什么要進(jìn)行物理分割？”實(shí)際上，DB Hitek去年的總銷售額為1.6752萬億韓元（約88.3億人民幣），品牌事業(yè)部的銷售額為3000億韓元(約15.8億人民幣)左右，占比為18%，并不少。
對此，DB Hitek相關(guān)人士表示：“（在宣布物理分割的當(dāng)時(shí)）將品牌事業(yè)部稱為非主力事業(yè)，是以當(dāng)時(shí)的情況為基準(zhǔn)的”，并稱“積極培育Fabless事業(yè)是公司長期的目標(biāo)”。
展開 DB Hitek 二季度營業(yè)利潤683億韓元！同比下降24.1%
CINNO Research產(chǎn)業(yè)資訊，DB Hitek于8月1日公布，今年二季度實(shí)現(xiàn)銷售額2989億韓元（約15.9億人民幣），營業(yè)利潤683億韓元（約3.6億人民幣）。
與去年同期相比，銷售額下降3.22%，營業(yè)利潤下降了36.79%。與上一季度相比，銷售額增長15%，營業(yè)利潤增長66%，營業(yè)利潤率為23%。
DB Hitek稱，雖然處于市場淡季，由于以中國客戶為中心的部分庫存需求改善，汽車、工業(yè)及醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了銷售額的環(huán)比增長。然而，面對持續(xù)的價(jià)格下行壓力，公司利潤相比去年有所縮減。
DB Hitek相關(guān)人士表示：“針對高功率半導(dǎo)體和特化圖像傳感器等高增長領(lǐng)域，我們正積極提升產(chǎn)品比重，為未來市場布局。同時(shí)，我們也將采取積極的成本削減措施，以實(shí)現(xiàn)利潤的最大化?！?此外，DB Hitek在汽車及工業(yè)領(lǐng)域的新產(chǎn)品開發(fā)上持續(xù)發(fā)力，不斷擴(kuò)大新工藝開發(fā)產(chǎn)品線。公司計(jì)劃在今年內(nèi)完成新一代電力半導(dǎo)體（GaN）的研發(fā)工作，并預(yù)計(jì)于明年下半年量產(chǎn)。
展望市場趨勢，上半年整體半導(dǎo)體市場需求處于低谷，但預(yù)計(jì)今年下半年將逐漸呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢。目前，公司的稼動(dòng)率維持在80%的水平，預(yù)計(jì)隨著明年市場需求的全面恢復(fù)，稼動(dòng)率將提升至95%以上。
展開 DB Hitek將于2028年中旬開始8吋SiC量產(chǎn)投資計(jì)劃
根據(jù)韓媒Thelec報(bào)道，11月22日下午，DB Hitek公司沈千萬（音譯）常務(wù)在韓國首爾舉行的“第五屆Power半導(dǎo)體-Power Korea論壇”上就化合物電力半導(dǎo)體業(yè)務(wù)戰(zhàn)略進(jìn)行了上述表態(tài)。
第五屆Power半導(dǎo)體-Power Korea論壇上進(jìn)行發(fā)表的DB Hitek常務(wù)沈千萬
化合物半導(dǎo)體是由兩種以上元素組成的半導(dǎo)體，以SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)等為代表，這些材料與傳統(tǒng)Si(硅)相比具有更高的功率效率和對耐高溫的優(yōu)勢。因此，包括電動(dòng)汽車在內(nèi)汽車、通信、房產(chǎn)、航空航天等行業(yè)，需求呈上升趨勢。
目前，DB Hitek公司正計(jì)劃利用上虞園區(qū)內(nèi)的閑置工廠，建設(shè)基于8吋晶圓的SiC、GaN開發(fā)和生產(chǎn)系統(tǒng)。GaN領(lǐng)域從今年開始開發(fā)基于8英寸晶圓的工藝。據(jù)悉，目前已與RFHIC、Sigetronics、Aprosemicon等合作伙伴合作。
以SiC為例，8吋晶圓尚未達(dá)到商業(yè)化階段。因此，DB Hitek公司首先正在開發(fā)基于6吋晶圓的電力半導(dǎo)體，并將在此基礎(chǔ)上未來轉(zhuǎn)向8吋的工藝，完成開發(fā)的目標(biāo)時(shí)間定在2026年底。
實(shí)現(xiàn)8吋SiC量產(chǎn)的投資預(yù)計(jì)最早從2028年中旬開始進(jìn)行。沈千萬常務(wù)表示：“雖然根據(jù)市場情況變化可能會(huì)發(fā)生調(diào)整，但我們預(yù)計(jì)第一次量產(chǎn)投資是在2028年7月，第二次量產(chǎn)投資是2031年1月。比起汽車用逆變器，我們會(huì)先進(jìn)入OBC、充電站、太陽能等市場?！?8吋SiC晶圓供應(yīng)計(jì)劃采用SK Siltron和SOITEC。兩家企業(yè)都在進(jìn)行投資，以期在2025年至2026年左右量產(chǎn)8吋SiC晶圓。
沈千萬常務(wù)表示，“SiC晶圓供應(yīng)是相關(guān)業(yè)務(wù)的最大挑戰(zhàn)之一”，并稱“Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ等公司已經(jīng)與IDM企業(yè)簽訂長期供應(yīng)合同，正在與SK Slittron和SOITEC就晶圓供應(yīng)展開討論”。
展開 
東部高科進(jìn)軍功率半導(dǎo)體：押注SiC和GaN
據(jù)韓媒報(bào)道，DB HiTek 將在明年第一季度開發(fā)基于下一代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體。這是其首次進(jìn)軍功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。據(jù)稱，DB HiTek 正在開發(fā)基于 SiC 的 6-8 英寸功率半導(dǎo)體，目標(biāo)是明年第一季度推出。在推出SiC功率半導(dǎo)體的同時(shí)，東部高科還愛同時(shí)推進(jìn)GaN基功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
與硅 (Si) 半導(dǎo)體相比，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 基功率半導(dǎo)體具有更快的功率轉(zhuǎn)換效率和卓越的耐用性。
DB HiTek是一家代工公司，為全球無晶圓廠客戶設(shè)計(jì)的微控制器單元（MCU）、顯示驅(qū)動(dòng)芯片（DDI）和圖像傳感器（CIS）等半導(dǎo)體。特別是主要生產(chǎn)Si DDI、MCU、CIS。
他們想進(jìn)入功率半導(dǎo)體市場，與全球的電動(dòng)汽車、5G移動(dòng)通信和人工智能（AI）對相關(guān)設(shè)備的需求顯著增加有重要的關(guān)系。眾所周知，現(xiàn)在Wolfspeed、安森美半導(dǎo)體、Twosix 和 SK Siltron 正在制造 6 英寸 SiC 功率半導(dǎo)體或擴(kuò)展到 8 英寸，以滿足電動(dòng)汽車和 5G 的需求。
DB HiTek 通過最大化現(xiàn)有忠北工廠的場地來應(yīng)對其生產(chǎn)能力。預(yù)計(jì)將利用Si半導(dǎo)體設(shè)備或增加一些新的SiC半導(dǎo)體設(shè)備。DB HiTek 計(jì)劃借此機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)向綜合性系統(tǒng)半導(dǎo)體公司的目標(biāo)發(fā)展。
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芯片制造廠商紛紛擴(kuò)充產(chǎn)能
韓國芯片代工廠商DB HiTek的一名管理人員說：“來自客戶的訂單超過了我們的產(chǎn)能，這些訂單將用于智能手機(jī)、電視和其他家用電器。顯示驅(qū)動(dòng)芯片、電源管理芯片和圖像傳感器的供應(yīng)尤其短缺。”此外，DB HiTek還生產(chǎn)蘋果iPad的芯片。
其他韓國代工廠商稱，即使?jié)M負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)也難以滿足客戶需求。
臺(tái)積電CEO魏哲家預(yù)計(jì)，芯片短缺將持續(xù)到2022年。他在電話會(huì)議里提到，臺(tái)積電將在三年內(nèi)投資1000億美元擴(kuò)大產(chǎn)能。
存儲(chǔ)芯片制造商南亞科技（Nanya Technology）本周二宣布，該公司計(jì)劃在中國臺(tái)灣投資100億美元建設(shè)新工廠，以緩解芯片短缺，并滿足5G相關(guān)組件日益增長的需求。
然而，分析人士認(rèn)為，如果電子產(chǎn)品支出隨著新冠肺炎疫情的消退而衰減，那么芯片短缺可能會(huì)很快結(jié)束。
美國投資公司伯恩斯坦（Bernstein）的半導(dǎo)體分析師斯泰西?羅根（Stacy Rasgon）在一份報(bào)告中寫道，屆時(shí)投資者將“發(fā)現(xiàn)有多少需求是真實(shí)的，有多少是虛幻的”。
05.
結(jié)語：芯片需求仍不確定
產(chǎn)能擴(kuò)充需謹(jǐn)慎
受遠(yuǎn)程辦公、5G、自動(dòng)駕駛等新興技術(shù)推動(dòng)，芯片需求一直在持續(xù)上漲。部分業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為芯片短缺將會(huì)持續(xù)到明年，臺(tái)積電、三星等芯片制造玩家都在加大投資、擴(kuò)充產(chǎn)能。
可是也有相關(guān)人士透露，當(dāng)前的芯片需求并沒有想象中那么多，其中很多都是各家廠商增加的庫存。如果盲目增加芯片產(chǎn)能，可能會(huì)在疫情結(jié)束后出現(xiàn)產(chǎn)能過剩的現(xiàn)象，影響半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展。
來源：智東西
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據(jù)三星電子、DB HiTek、SK海力士System IC、Key Foundry等韓國代工企業(yè)統(tǒng)計(jì)，8英寸半導(dǎo)體晶圓采購價(jià)格較上年上漲約20%。一些企業(yè)也面臨供需困難。這是在全球第一大晶圓制造商信越宣布 4 月份價(jià)格上漲 20% 之后。韓國唯一的晶圓供應(yīng)商SK Siltron并沒有通過長期合同的方式立即提價(jià)，但續(xù)約時(shí)提價(jià)是不可避免的。
晶圓價(jià)格的上漲是半導(dǎo)體需求激增和原材料多晶硅價(jià)格上漲的結(jié)合。隨著全球最大的多晶硅生產(chǎn)國中國調(diào)整生產(chǎn)，導(dǎo)致韓國多晶硅價(jià)格上漲高達(dá)40%。晶圓價(jià)格上漲，因此整個(gè)芯片量產(chǎn)周期的生產(chǎn)成本上升成為現(xiàn)實(shí)。設(shè)備方面，由于半導(dǎo)體工廠（fabs）投資增加，價(jià)格上漲，供貨周期越來越長。二手半導(dǎo)體設(shè)備價(jià)格也上漲。作為工藝關(guān)鍵部分的光掩模價(jià)格也上漲了 15-20%，因此僅在今年，代工廠就將服務(wù)價(jià)格提高了 2-3 倍。
雕刻半導(dǎo)體電路圖案后，晶圓價(jià)格上漲20-30%。后處理晶圓是 fabless 將生產(chǎn)委托給代工廠然后購買的晶圓。它被認(rèn)為是最終半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲的最大因素。隨著后處理晶圓價(jià)格的上漲，fabless 最近將產(chǎn)品價(jià)格提高到 20% 左右。一家生產(chǎn)顯示相關(guān)芯片的fabless公司負(fù)責(zé)人14日表示，“由于代工價(jià)格上漲，我們通過提高芯片價(jià)格的方式協(xié)商向面板制造商供應(yīng)芯片。面板廠商也了解情況，決定接受漲價(jià)。” 另一位無晶圓廠代表強(qiáng)調(diào)，“這是近10年來芯片價(jià)格第一次上漲。”
隨著需求的激增，半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲預(yù)計(jì)將持續(xù)一段時(shí)間。部分代工企業(yè)已于明年上半年完成預(yù)訂。預(yù)計(jì)明年將出現(xiàn)因無法獲得半導(dǎo)體芯片而無法制成成品的情況。預(yù)計(jì)電視、手機(jī)、汽車等成品的漲價(jià)只是時(shí)間問題。
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與此相關(guān)，今年7月基準(zhǔn)，除DB Hitek外，韓國8吋代工廠的產(chǎn)能利用率下降至40%-50%的水位。而12吋的傳統(tǒng)工藝與去年對比，也僅有70%左右的產(chǎn)能利用率。三星電子和SK海力士的存儲(chǔ)半導(dǎo)體減產(chǎn)也帶來了直接影響。今年4月，三星電子首次宣布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)的計(jì)劃。
OSAT（Outsourced Semiconductor Assembly and Testing）是指從代工或IDM那里獲得晶圓后，提供從晶圓測試到封裝、封裝測試等的業(yè)務(wù)。韓國代表性的OSAT廠商包括Hana Micron、SFA Semiconductor、Nepes和LB Semicon等，目前均出現(xiàn)產(chǎn)能利用率同比大幅下跌的情況。
韓國OSAT公司業(yè)績低迷長期化的原因主要有兩個(gè)。首先是全球IT設(shè)備需求疲軟。隨著全球經(jīng)濟(jì)衰退，智能手機(jī)、筆記本電腦、電視等銷售量減少，應(yīng)用處理器(AP)、顯示驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、電力管理半導(dǎo)體(PMIC)、DDR4等生產(chǎn)量也急劇下降。由于庫存水平也很高，預(yù)計(jì)生產(chǎn)量反彈還需要時(shí)間。第二個(gè)原因是IDM的外包物量大幅縮小。據(jù)業(yè)界消息，三星電子和SK海力士在本公司的后工程線產(chǎn)能利用率降低后，縮減了外包物量，采取直接進(jìn)行處理常規(guī)封裝的處理方案。
OSAT業(yè)界相關(guān)人士表示：“隨著客戶虧損幅度擴(kuò)大，常規(guī)封裝方式呈現(xiàn)出自我消化的趨勢”，并稱“OSAT業(yè)界也在努力擴(kuò)大業(yè)務(wù)組合等，努力尋找自救的方法，但是由于市場狀況本身就很差，處于非常艱難的境地?！?ChatGPT等生成型人工智能(AI)的出現(xiàn)也未能引發(fā)OSAT行業(yè)復(fù)蘇。這是因?yàn)?，對于AI半導(dǎo)體和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)后工藝，由于需要較高的技術(shù)實(shí)力，IDM及代工廠直接進(jìn)行了后工藝處理。
業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，市況低迷將呈現(xiàn)長期化趨勢。
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同時(shí)，力積電12英寸產(chǎn)線采用鋁制程，相較于銅制程具有一定成本優(yōu)勢；
No.8：世界先進(jìn)(VIS)營收增至約4.3億美元，排名第八，營收環(huán)比提升約18%，增幅第二，第三季度世界先進(jìn)營收主要來自晶圓代工價(jià)格上漲，產(chǎn)品組合優(yōu)化，同時(shí)，世界先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張，小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC出貨持續(xù)增加；
No.9：高塔(Tower Jazz)半導(dǎo)體營收增至約3.9億美元，排名第九，第三季度0.18-0.11um營收占比約為60%，環(huán)比降下1個(gè)百分點(diǎn)，65nm營收占比約為21%，環(huán)比提升約3個(gè)百分點(diǎn)，同時(shí)，智能機(jī)占比約為26%，環(huán)比提升1個(gè)百分點(diǎn)，車用占比約為12%，環(huán)比持平；
No.10：東部高科(DB HiTek)營收增至約2.7億美元，排名第十，受益于全球晶圓供需關(guān)系緊張，其富川與陰城工廠產(chǎn)能滿載，帶動(dòng)營收進(jìn)一步升高，同時(shí)，東部高科將進(jìn)一步開發(fā)基于下一代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體。
按照廠商所屬地域別統(tǒng)計(jì)，2021年第三季度在全球前十大晶圓代工廠中，中國臺(tái)灣廠商營收占比約為65%，環(huán)比下降約1個(gè)百分點(diǎn)，中國大陸廠商營收占比約為8%，環(huán)比持平，韓國廠商營收占比約為19%，環(huán)比提升約1個(gè)百分點(diǎn)，整體看來，全球晶圓代工市場區(qū)域分布結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。在國內(nèi)半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)力度激增的影響下，2022年國內(nèi)晶圓廠將進(jìn)入密集投片期，但由于臺(tái)積電領(lǐng)跑先進(jìn)制程并具有定價(jià)權(quán)，明年依然為中國臺(tái)灣地區(qū)晶圓廠獨(dú)大的競爭格局。
CINNO Research預(yù)測，2021年全球晶圓代工市場營收規(guī)模預(yù)計(jì)為1,057億美元，較2019年增長28%。
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同時(shí)，力積電12英寸產(chǎn)線采用鋁制程，相較于銅制程具有一定成本優(yōu)勢；
No.8：世界先進(jìn)(VIS)營收增至約4.3億美元，排名第八，營收環(huán)比提升約18%，增幅第二，第三季度世界先進(jìn)營收主要來自晶圓代工價(jià)格上漲，產(chǎn)品組合優(yōu)化，同時(shí)，世界先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張，小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC出貨持續(xù)增加；
No.9：高塔(Tower Jazz)半導(dǎo)體營收增至約3.9億美元，排名第九，第三季度0.18-0.11um營收占比約為60%，環(huán)比降下1個(gè)百分點(diǎn)，65nm營收占比約為21%，環(huán)比提升約3個(gè)百分點(diǎn)，同時(shí)，智能機(jī)占比約為26%，環(huán)比提升1個(gè)百分點(diǎn)，車用占比約為12%，環(huán)比持平；
No.10：東部高科(DB HiTek)營收增至約2.7億美元，排名第十，受益于全球晶圓供需關(guān)系緊張，其富川與陰城工廠產(chǎn)能滿載，帶動(dòng)營收進(jìn)一步升高，同時(shí)，東部高科將進(jìn)一步開發(fā)基于下一代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體。
按照廠商所屬地域別統(tǒng)計(jì)，2021年第三季度在全球前十大晶圓代工廠中，中國臺(tái)灣廠商營收占比約為65%，環(huán)比下降約1個(gè)百分點(diǎn)，中國大陸廠商營收占比約為8%，環(huán)比持平，韓國廠商營收占比約為19%，環(huán)比提升約1個(gè)百分點(diǎn)，整體看來，全球晶圓代工市場區(qū)域分布結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。在國內(nèi)半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)力度激增的影響下，2022年國內(nèi)晶圓廠將進(jìn)入密集投片期，但由于臺(tái)積電領(lǐng)跑先進(jìn)制程并具有定價(jià)權(quán)，明年依然為中國臺(tái)灣地區(qū)晶圓廠獨(dú)大的競爭格局。
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圖源：世界先進(jìn)
東部高科（DB HiTek）
1997年東部高科正式進(jìn)軍半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，2001年，東部高科成為韓國最早進(jìn)軍系統(tǒng)半導(dǎo)體代工事業(yè)的公司，2008年全球首度研發(fā)出0.18um BCDMOS(復(fù)合高壓元件)工藝技術(shù)等，積極攻占專業(yè)代工(Foundry)領(lǐng)域。2010年模擬、電源、混合信號等在代工領(lǐng)域居世界首位.
東部高科目前有2家8英寸晶圓廠，在京畿道富川的Fab 1和忠北陰城的Fab 2可生產(chǎn)從90納米至0.35微米級工藝產(chǎn)品。Fab1以0.15到0.35微米級技術(shù)為基礎(chǔ)，主要生產(chǎn)模擬及功率半導(dǎo)體等尖端系統(tǒng)半導(dǎo)體。Fab2以90納米至0.18微米級技術(shù)為基礎(chǔ)，主要生產(chǎn)CMOS圖像傳感器，Mixed-Signal等尖端系統(tǒng)半導(dǎo)體。公司每月產(chǎn)能為138,000片。
圖源：東部高科
穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN）
穩(wěn)懋半導(dǎo)體成立于1999年，位于林口華亞科技園區(qū)，是全球首座以6英寸晶圓生產(chǎn)砷化鎵微波集成電路（GaAs MMIC）的專業(yè)晶圓代工服務(wù)公司。在臺(tái)灣桃園市擁有三座最先進(jìn)的生產(chǎn)線與廣泛的技術(shù)能力，能夠提供客戶最佳品質(zhì)的HBT、pHEMT 、BiHEMT 離散元件/微波集成電路與后端制程的晶圓代工服務(wù)。在無線寬頻通訊的微波高科技領(lǐng)域中，穩(wěn)懋目前提供兩大類砷化鎵電晶體制程技術(shù)：異質(zhì)接面雙極性電晶體(HBT)和應(yīng)變式異質(zhì)接面高遷移率電晶體(pHEMT)，二者均為最尖端的制程技術(shù)。在光通訊及3D感測領(lǐng)域中，穩(wěn)懋更以MMIC生產(chǎn)技術(shù)為基礎(chǔ)，提供光電產(chǎn)品的開發(fā)與生產(chǎn)制造。
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