MOS管
關(guān)注創(chuàng)建者：匿名 創(chuàng)建時(shí)間：2021-07-26
MOS管的視頻教程
MOS管的實(shí)例教程
關(guān)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉。
一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會(huì)越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動(dòng)MOS的方法，其實(shí)在瞬間驅(qū)動(dòng)電流這塊是有很大缺陷的。
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一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會(huì)越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動(dòng)MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動(dòng)MOS的方法，其實(shí)在瞬間驅(qū)動(dòng)電流這塊是有很大缺陷的。
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一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會(huì)越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
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一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。
因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會(huì)越快。
與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
展開 一般認(rèn)為MOSFET（MOS管）是電壓驅(qū)動(dòng)的，不需要驅(qū)動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結(jié)電容存在，這個(gè)電容會(huì)讓驅(qū)動(dòng)MOS變的不那么簡單。
下圖的3個(gè)電容為MOS管的結(jié)電容，電感為電路走線的寄生電感：
如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因?yàn)殚_關(guān)時(shí)間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個(gè)MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時(shí)間越短，那么MOS管開啟的速度就會(huì)越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時(shí)間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時(shí)間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動(dòng)電流。
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MOS管的最新內(nèi)容
普通功率MOS管（通常指?功率MOSFET?，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種?電壓控制型?半導(dǎo)體器件，廣泛用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理等大電流、高效率場景。其核心工作原理基于?柵極電壓對導(dǎo)電溝道的調(diào)控?。
工采網(wǎng)代理的普通功率MOS管 - ?MOT10N65F?是一款 ?N溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET?，專為高壓、高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。
“超節(jié)功率MOS管”應(yīng)為?超結(jié)功率MOS管?（Super Junction MOSFET），是一種專為高壓大功率應(yīng)用優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器件。其核心創(chuàng)新在于通過?電荷平衡結(jié)構(gòu)?突破傳統(tǒng)硅器件的“硅極限”（即耐壓與導(dǎo)通電阻之間的權(quán)衡關(guān)系）。
MOS電容器本身并不是一種廣泛使用的器件，不過，它是MOS晶體管（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱MOSFET）的組成部分。
MOS電容器的電容值取決于施加在柵極上的直流電壓。變化的電壓會(huì)改變柵極的耗盡區(qū)，從而改變介電屬性，進(jìn)而改變電容。MOS電容器在本地電源去耦應(yīng)用中尤其有用，在這種應(yīng)用中，直流電壓保持恒定。
電容器 | 一文詳解MOM、MIM和MOS及其區(qū)別1個(gè)月前
MOS電容器本身并不是一種廣泛使用的器件，不過，它是MOS晶體管（金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱MOSFET）的組成部分。
MOS電容器的電容值取決于施加在柵極上的直流電壓。變化的電壓會(huì)改變柵極的耗盡區(qū)，從而改變介電屬性，進(jìn)而改變電容。MOS電容器在本地電源去耦應(yīng)用中尤其有用，在這種應(yīng)用中，直流電壓保持恒定。
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的MCU下達(dá)驅(qū)動(dòng)指令后，MCU發(fā)出可控的PWM波，驅(qū)動(dòng)開關(guān)作用的MOS管工作。當(dāng)開關(guān)管打開后，供電系統(tǒng)經(jīng)過鈦絲和開關(guān)MOS管，再經(jīng)過電阻到地，完成鈦絲的通電加熱執(zhí)行驅(qū)動(dòng)。
在這個(gè)過程中，開關(guān)MOS管對地的電阻起到兩個(gè)作用：
（1）限流保護(hù)供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性
（2）將供電系統(tǒng)通過鈦絲的電流轉(zhuǎn)換成電壓形式，經(jīng)過電容濾波后反饋給MCU的ADC去計(jì)算其電流是否超標(biāo)。
管、電阻、電容等）、功率半導(dǎo)體、電容器、濾波器、示波器、保護(hù)器、PDU插座、電抗器、電源線、溫控器、繼電器、散熱器及風(fēng)扇、鋰電池、蓄電池、電源模塊盒體/機(jī)殼/機(jī)箱/機(jī)柜、連接線端子等；
電源制造設(shè)備及輔助材料類：電源/電池制造設(shè)備、電源/電池測試系統(tǒng)、電源測試治具、安規(guī)測試儀表、電磁兼容設(shè)備、灌膠設(shè)備電源、點(diǎn)膠設(shè)備、老化測試設(shè)備、電子負(fù)載等；密封硅膠、灌封膠、導(dǎo)熱硅膠，絕緣套管、散熱硅膠、磁性材料等
晶體管包含三極管和場效應(yīng)管，場效應(yīng)管又分MOSFET和JFET等，其中芯片行業(yè)主要使用的為MOS管。三極管主要充當(dāng)簡單的電子開關(guān)，但它在大電流工況下導(dǎo)通功耗很高。MOS同樣在大電流下工作功耗會(huì)高，但導(dǎo)通功耗低，所以它就成為消費(fèi)電子中主要使用的晶體管。畢竟在低電流工況下，它只需要解決簡單的散熱問題即可。
驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的MCU下達(dá)驅(qū)動(dòng)指令后，MCU發(fā)出可控的PWM波，驅(qū)動(dòng)開關(guān)作用的MOS管工作。當(dāng)開關(guān)管打開后，供電系統(tǒng)經(jīng)過鈦絲和開關(guān)MOS管，再經(jīng)過電阻到地，完成鈦絲的通電加熱執(zhí)行驅(qū)動(dòng)。
在這個(gè)過程中，開關(guān)MOS管對地的電阻起到兩個(gè)作用：
（1）限流保護(hù)供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性
（2）將供電系統(tǒng)通過鈦絲的電流轉(zhuǎn)換成電壓形式，經(jīng)過電容濾波后反饋給MCU的ADC去計(jì)算其電流是否超標(biāo)。
全橋線路的工作原理
三、全橋電路對于MOS管的需求
（1）主要損耗構(gòu)成：①MOS管的導(dǎo)通損耗直接由導(dǎo)通Rdson決定，要求MOS管的Rdson更低。②MOS管的開關(guān)損耗，由MOS管的米勒平臺(tái)等參數(shù)決定，要求MOS管開關(guān)特性好，開關(guān)速度快，交越損耗小；
（2）后端是感性負(fù)載，需要二極管反向續(xù)流，要求功率MOS二極管反向恢復(fù)特性較好，具有較短反向恢復(fù)時(shí)間trr。
T3Ster可以測量常見三極管、常見二極管、MOS管和LED等半導(dǎo)體器件的熱阻。該儀器利用結(jié)構(gòu)函數(shù)處理可以分析出熱流路徑上各組成熱阻。接下來我們就重點(diǎn)介紹一下T3Ster熱阻測試儀。
