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在電路設(shè)計(jì)中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？

在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 1、什么是MOS管？

圖表8 P溝道增強(qiáng)型MOS管預(yù)夾斷及夾斷區(qū)形成示意圖3、N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管原理N溝道耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)類似，只有一點(diǎn)不同，就是N溝道耗盡型MOS管在柵極電壓VGS=0時(shí)，溝道已經(jīng)存在。

在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！

在電子電路中，MOS管和IGBT管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開(kāi)關(guān)元件來(lái)使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來(lái)了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 1、什么是MOS管？

mos管，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。 無(wú)論N型或者P型MOS管，其工作原理本質(zhì)是一樣的。MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。

然后這個(gè)電壓值大于這個(gè)特定值的時(shí)候，電阻就接近于零，至于說(shuō)等于這個(gè)值的時(shí)候會(huì)怎么樣，我們先不用管這個(gè)臨界的電壓值，我們稱之為Vgs(th)，也就是打開(kāi)MOS管需要的G、S電壓，這是每一個(gè)MOS管的固有屬性，我們可以在MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)里面找到它。圖7：MOS管數(shù)據(jù)手冊(cè)顯然，Vgs(th)一定要小于這個(gè)高電平的電壓值，否則就沒(méi)有辦法被正常的打開(kāi)。

推薦由工采網(wǎng)代理的一款來(lái)自臺(tái)灣美祿的MOS管，中高壓MOS管 - MPD04N65，不同的封裝尺寸MOS管具有不同的熱阻和耗散功率，需要考慮系統(tǒng)的散熱條件和環(huán)境溫度（如是否有風(fēng)冷、散熱器的形狀和大小限制、環(huán)境是否封閉等因素），基本原則就是：在保證功率MOS管的溫升和系統(tǒng)效率的前提下，選取參數(shù)和封裝更通用的功率MOS管。

MOS電路輸入端的保護(hù)二極管，其導(dǎo)通時(shí)電流容限一般為1mA，在可能出現(xiàn)過(guò)大瞬態(tài)輸入電流(超過(guò)10mA)時(shí)，應(yīng)串接輸入保護(hù)電阻。因此應(yīng)用時(shí)可選擇一個(gè)內(nèi)部有保護(hù)電阻的MOS管應(yīng)。還有，由于保護(hù)電路吸收的瞬間能量有限，太大的瞬間信號(hào)和過(guò)高的靜電電壓將使保護(hù)電路失去作用。

普通功率MOS管（通常指?功率MOSFET?，即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種?電壓控制型?半導(dǎo)體器件，廣泛用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源管理等大電流、高效率場(chǎng)景。其核心工作原理基于?柵極電壓對(duì)導(dǎo)電溝道的調(diào)控?。工采網(wǎng)代理的普通功率MOS管 - ?MOT10N65F?是一款 ?N溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET?，專為高壓、高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。

第三種：內(nèi)置二極管破壞在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運(yùn)行時(shí)，由于在Flyback時(shí)功率MOSFET的寄生雙極晶體管運(yùn)行，導(dǎo)致此二極管破壞的模式。第四種：由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞此破壞方式在并聯(lián)時(shí)尤其容易發(fā)生在并聯(lián)功率MOS FET時(shí)未插入柵極電阻而直接連接時(shí)發(fā)生的柵極寄生振蕩。

在DC-DC單元中，推薦使用瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列：1、12V推薦RS30N150D、RS30N150T、RS40N130G、RS40N180T型號(hào)2、24V推薦RS60N130G、RS60N200T型號(hào)3、48V推薦RS85N140T、RS85N140S、RS85N150T、RS85N150S型號(hào)低壓MOS-SGT推薦：

其中48V蓄電池使用耐壓65V或70V以上MOS管，60V蓄電池使用耐壓80V以上MOS管，72V使用耐壓100V以上MOS管。（二）在設(shè)計(jì)電動(dòng)車控制器時(shí)，為增大其控制電流，部分控制器會(huì)設(shè)計(jì)成雙管并聯(lián)，這樣就對(duì)并聯(lián)的MOS管有較高的一致性要求，特別是其中的開(kāi)啟特性。通常該類型MOS管在生產(chǎn)時(shí)，會(huì)專門針對(duì)其開(kāi)啟特性進(jìn)行細(xì)分，從而達(dá)到與同一批MOS管的開(kāi)啟特性盡量接近。

33, 66);">DC-AC部分</strong>是<span style="color: rgb(217, 33, 66);">逆變線路</span>是將電池直流電轉(zhuǎn)換成交流電以供計(jì)算機(jī)使用，可推薦使用<span style="color: rgb(0, 0, 0);">瑞森半導(dǎo)體</span><strong style="color: rgb(217, 33, 66);">500V系列的高壓MOS

二、MOS管推薦及產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) MOS管在電動(dòng)車控制器中的作用非常重要，MOS管輸出電流就是用來(lái)驅(qū)動(dòng)電機(jī)，電流輸出越大，電機(jī)扭矩就強(qiáng)，加速就有力。

MOS管推薦使用瑞森半導(dǎo)體低壓MOS系列，選型如下：DC-AC逆變電路（全橋PWM控制）DC-AC逆變電路的主回路采用的是全橋式結(jié)構(gòu)，和開(kāi)關(guān)管并聯(lián)的二極管起到保護(hù)作用。MOS管推薦使用瑞森半導(dǎo)體高壓MOS系列。瑞森半導(dǎo)體高壓MOS系列，超小內(nèi)阻，結(jié)電容適中，散熱性能好，高溫漏電小，高溫電壓跌落小，廣受市場(chǎng)好評(píng)。

電池續(xù)航、性能進(jìn)一步提升，從而對(duì)MOS管的要求也越來(lái)越高。

低壓SGT MOS產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：1、在VDS耐壓方面， 能保證耐壓性能；2、Vth一致性高，適合多管并聯(lián)；3、在脈沖漏極電流Id(pluse)方面， 能抵抗高浪涌電流沖擊；4、在MOS管導(dǎo)通損耗方面， 具有更低導(dǎo)通損耗，可節(jié)省電能；在MOS管體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間Trr方面， 具有更低反向恢復(fù)損耗；產(chǎn)品性能有效提高了續(xù)航里程，節(jié)能減排和車輛使用壽命。

3 結(jié)語(yǔ) 本文主要介紹了場(chǎng)效應(yīng)管的歷史、分類、電路符號(hào)以及如何判斷場(chǎng)效應(yīng)管工作狀態(tài)的基礎(chǔ)知識(shí)。 場(chǎng)效應(yīng)管的核心原理是，GS兩端的電壓，控制漏極電流iD。因此其也被稱為“壓控型”器件。而雙極型晶體管BJT屬于流控型器件，即iB控制iC。 當(dāng)MOS管作為開(kāi)關(guān)使用時(shí)，MOS管工作在線性區(qū)； 當(dāng)MOS管作為放大器使用時(shí)，MOS管工作在飽和區(qū)。