光電子器件的案例
智芯研報｜深度解析光電子器件行業(yè)
前言
根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易協(xié)會的說法，半導(dǎo)體行業(yè)細分為：集成電路、光電子、分立器件以及傳感器。其中光電子器件占整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的比例在7%-10%之間。光電子元器件是通信行業(yè)的核心，具有光信號發(fā)射、接受、信號處理功能。
從目前的產(chǎn)業(yè)發(fā)展周期來看，光電元器件行業(yè)依然處于行業(yè)早期，未來市場潛力巨大。光電子元器件可分為光電芯片、光器件和光模塊。
光電子技術(shù)的發(fā)展及態(tài)勢分析
無源器件主要要光學(xué)集成化，組成全光纖光子集成器件和波導(dǎo)光子集成器件。對光纖通信用玻璃光纖，在降低損耗方面當(dāng)前消除紅外1.4mm左右的羥基諧波吸收是最大的進展，從而拓寬了波分復(fù)用的應(yīng)用波段。此外，色散補償，偏振補償和非線性補償都是提高石英玻璃通信光纖性能的主要方面。
參考文獻
1， 干福熹 光盤存儲技術(shù)、應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)的發(fā)展 激光與光電子學(xué)進展 1955 年第 4 期 光電子 2， 董孝義 呂學(xué)身 光電子器件的發(fā)展 光電子.激光 1990 年 4 月 3， 張瑞華 光電子技術(shù)及光電子器件的趨勢 MSN 4， 量子點光電子器件及其研究進展 彭英才 ZHAO Xiaowei 馬蕾 固體電子 學(xué)研究與進展 2008 年 第 26 卷 第 2 期 光電子器件大聚焦 5， 陳良惠 光電子器件大聚焦 光電子器件 1999 年 12 月 6，《光電子技術(shù)》，第二版，安毓英編，電子工業(yè)出版社。 7，《光電子技術(shù)及其應(yīng)用》，郭瑜茹編，化學(xué)工業(yè)出版社。 8，《光電子技術(shù)-信息裝備的新秀》，梅遂生編，國防工業(yè)出版社。
展開 《AFM》：納米壓印光刻，光電子器件大規(guī)模實施重要里程碑！
納米粒子與光的相互作用使其具有驚人的電、光、磁等性質(zhì)，具有廣泛的應(yīng)用前景。
等離子體納米粒子可以將光以局域表面等離子激元的形式捕獲到亞波長的體積中，這種增強的模式體積對于光化學(xué)、光物理、生物傳感、光催化、光子器件、等離子體增強手性、非線性物理等等都是非常重要的。然而，降低由于電子的高散射率而造成的歐姆損耗，以及用成本低廉的方法大規(guī)模組裝等離子體積木，仍然是具有挑戰(zhàn)性的。
在這項研究中，來自萊布尼茨聚合物研究所等單位的研究人員報道了干涉光刻和納米壓印光刻在不同靶襯底上的融合，從透射電子顯微鏡柵格上的碳膜到無機和可摻雜的聚合物半導(dǎo)體。
這種簡單的膠體印刷技術(shù)在硅、玻璃、金薄膜和萘二酰亞胺聚合物上進行了演示，因此標志著光電子器件大規(guī)模實施的一個重要里程碑。
論文鏈接：
https://doi.org/10.1002/adfm.202105054
使用膠體墨水和IL生產(chǎn)的聚二甲基硅氧烷印章，一維等離子體光子晶體在厘米尺度上以75%的成品率打印
出來。另一方面，采用原子光滑、單晶、單分散的金(Au)納米膠體積木，在二氧化鈦(TiO
2
)平板波導(dǎo)上印刷一維
等離子體光柵，產(chǎn)生光譜線寬為10 nm的波導(dǎo)-等離子體偏振子模式。等離子體激元誘導(dǎo)的超熱電子通過雙端電流測量在引導(dǎo)條件下具有更高的光響應(yīng)性。制備的具有Au/TiO
2
異質(zhì)結(jié)的雜化結(jié)構(gòu)增強了光催化過程，如利用產(chǎn)生的熱電子降解甲基橙(MO)染料分子。
總的來說，本文提出了一種廉價、快速、簡便和可重復(fù)的技術(shù)，該技術(shù)有可能使用膠體墨水作為壓印抗蝕劑，在大面積上以高分辨率打印所需的結(jié)構(gòu)。該技術(shù)是IL和NIL的結(jié)合，可用于在不同的靶襯底上制備不同形貌、不同電導(dǎo)率和不同疏水性的一維金屬光子晶體。
展開 基于第三代半導(dǎo)體材料的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)
【引言】
以氮化鎵，碳化硅和氧化鋅等為代表的第三代半導(dǎo)體材料已經(jīng)在消費電子，5G通訊，電動汽車，光電通信等諸多新興領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。這些寬禁帶材料同時也具有非中心對稱的晶體結(jié)構(gòu)，因而表現(xiàn)出顯著的壓電特性。然而這些材料中壓電極化電荷和半導(dǎo)體特性的耦合過程長期以來被忽略。
針對壓電半導(dǎo)體中極化電荷和半導(dǎo)體特性耦合過程的研究和應(yīng)用，佐治亞理工學(xué)院及中國科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所的王中林院士分別于2007年和2010年首次提出壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本概念和原理，并建立了壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)這兩大新興學(xué)科。在壓電電子學(xué)效應(yīng)中，壓電半導(dǎo)體材料受機械作用產(chǎn)生的極化電荷對金屬-半導(dǎo)體肖特基結(jié)或p-n結(jié)界面處的載流子傳輸過程進行有效調(diào)制，實現(xiàn)了將外部機械信號轉(zhuǎn)變?yōu)閴弘?em>電子學(xué)器件（例如晶體管，邏輯電路等）中的門控信號。在壓電光電子電子學(xué)效應(yīng)中，壓電半導(dǎo)體材料受機械作用產(chǎn)生的極化電荷對光生載流子的產(chǎn)生，復(fù)合，分離以及輸運的過程進行有效調(diào)制，實現(xiàn)了將外部機械信號轉(zhuǎn)變?yōu)閴弘?em>光電子學(xué)器件（例如光電探測器，發(fā)光二極管等）中的門控信號。
壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)不僅提供了豐富的基礎(chǔ)研究機會，并在人機交互、微納機電器件、傳感和自驅(qū)動系統(tǒng)，人工智能等領(lǐng)域也具有廣闊的應(yīng)用前景，由此激發(fā)了科研人員在這個領(lǐng)域的研究興趣。近年來對于壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基礎(chǔ)及應(yīng)用研究取得了快速地發(fā)展。多種功能材料中的壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)的基本效應(yīng)得到了系統(tǒng)深入地研究，相關(guān)的理論體系得以建立，諸多壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)器件也被設(shè)計研發(fā)。為增進研究者們對壓電電子學(xué)與壓電光電子學(xué)的理解以推進其實際應(yīng)用，王中林院士組織領(lǐng)域內(nèi)研究者在2018年12月的美國材料學(xué)會會刊（MRS Bulletin）上撰寫了主題為“壓電電子學(xué)和壓電光電子學(xué)”的專刊。
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國聯(lián)萬眾碳化硅（SiC）電力電子器件產(chǎn)品手冊
公司定位為第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地的建設(shè)、運營管理、服務(wù)；集成電路、半導(dǎo)體分立器件、光電子器件、通信系統(tǒng)設(shè)備、通信終端設(shè)備、電力電子元器件制造、銷售；研發(fā)創(chuàng)新、科技服務(wù)平臺搭建；科技成果轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)孵化、產(chǎn)業(yè)基金、產(chǎn)業(yè)投資。公司致力于推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈和創(chuàng)新鏈構(gòu)建，促進產(chǎn)學(xué)研用合作以及跨界應(yīng)用的開放協(xié)同創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設(shè)。
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Science Advances：MoS2/PbS范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)中的非易失性存儲設(shè)備的紅外記憶
【引言】
存儲器件構(gòu)成了現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，它們的操作原理主要集中在電氣或磁性操作上，而用于信息存儲和處理的光電子器件卻受到的關(guān)注較少。能夠捕獲和沉積物質(zhì)的電磁輻射并用作光激活光電子存儲器件對于光通信、記錄和計算的發(fā)展至關(guān)重要。用于信息存儲和處理的光電子器件由于其在光學(xué)記錄和計算中的重要應(yīng)用而處于光通信技術(shù)的核心，然而，能夠?qū)⒓t外數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換并存儲為電信號從而實現(xiàn)光學(xué)數(shù)據(jù)通信的光電子器件尚未實現(xiàn)。
【成果簡介】
近日，來自國家納米科學(xué)中心江潮（百人計劃、通訊作者）、何軍（百人計劃、共同通訊作者）的團隊在 Science Advances發(fā)表了題為Nonvolatile infrared memory in MoS2/PbS van der Waals heterostructures的文章，該團隊報告了一個使用MoS2/PbS范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)構(gòu)的紅外記憶裝置，其中紅外脈沖激發(fā)了一個持久的電阻狀態(tài)，在實驗時間尺度內(nèi)（超過104秒）幾乎沒有放松。該設(shè)備即使在斷電3小時后也能完全恢復(fù)內(nèi)存狀態(tài)，這表明它具有非易失性存儲設(shè)備的潛力。在定量分析的理論模型的支持下，他們提出光存儲器和電擦除現(xiàn)象分別起源于PbS中紅外誘導(dǎo)的空穴的局部化以及來自MoS2到PbS的電子脈沖增強隧道效應(yīng)。基于MoS2異質(zhì)結(jié)構(gòu)的存儲器件為光電子紅外存儲器和可編程邏輯器件開辟了一個新的領(lǐng)域。
【圖文導(dǎo)讀】
圖1:紅外記憶裝置的原理圖和光電傳輸性能
A: 紅外記憶裝置的示意圖；
B: 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的帶狀排列；
C: 可變光功率密度的紅外照明傳輸特性曲線；
D: 光電流曲線；
E: 在MoS2通道中載流子密度的數(shù)值模擬；
F: 功率密度的響應(yīng)度和特定檢測率的依賴性顯。
展開 【電子元器件知識】- 常見的電子元器件有哪些
摘要：
電子元器件包括：電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路等等
電子元器件是電子元件和電小型的機器、儀器的組成部分，其本身常由若干零件構(gòu)成，可以在同類產(chǎn)品中通用；米思米 www.misumi.com.cn機械設(shè)備供應(yīng)商，為各行各業(yè)提供高品質(zhì)電子元器件標準零件，包括電器、無線電、儀表等工業(yè)的零件，如電容、晶體管、游絲、發(fā)條等子器件的總稱。
電子元器件包括：電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝專用材料、電子膠（帶）制品、電子化學(xué)材料及部品等。
電子元器件的分類
一、元件：工廠在加工時沒改變原材料分子成分的產(chǎn)品可稱為元件，元件屬于不需
要能源的器件。它包括：電阻、電容、電感。
元件分為：
1、電路類元件：二極管，電阻器等等
2、連接類元件：連接器，插座，連接電纜，印刷電路板(PCB)
二、器件：工廠在生產(chǎn)加工時改變了原材料分子結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品稱為器件
器件分為：
1、主動器件，它的主要特點是：(1)自身消耗電能(2)需要外界電源。
2、分立器件，分為(1)雙極性晶體三極管(2)場效應(yīng)晶體管(3)可控硅(4)半導(dǎo)體電阻電容
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