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TEM的案例

透射電鏡(TEM)VS掃描電鏡(SEM):高分子材料微觀結(jié)構(gòu)表征該選誰?
</p><p><br></p><p><strong>功能化改性:</strong>在功能化高分子材料中,TEM可用于觀察功能基團的引入對材料微觀結(jié)構(gòu)的影響,以及功能化后的性能變化。</p><p><br></p><p><strong style="color: rgb(8, 121, 226);">4.2 高分子材料應用性能評估</strong></p><p><strong>力學性能:</strong>TEM可用于觀察高分子材料的微觀缺陷、裂紋擴展等,評估其力學性能。</p><p><br></p><p><strong>熱性能:</strong>通過原位加熱TEM技術(shù),可以觀察高分子材料在高溫下的微觀結(jié)構(gòu)變化,評估其熱穩(wěn)定性。</p><p><br></p><p><strong>電性能:</strong>對于導電高分子材料,TEM可用于觀察其導電通道的分布和形態(tài),評估其電性能。</p>
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北工大張躍飛Nano Energy: Se@Carbon正極界面鋰化誘發(fā)“跳躍相轉(zhuǎn)變”的原位TEM
In-situ TEM experiments and first-principles studies on the electrochemical and mechanical behaviors of α-MoO3 in Li-ion batteries. Nano Energy, 2016, 27, 95-102. 4. Yonghe Li, Zhun Liu, Xiaopeng Cheng, Xianqiang Liu, Bin Zhang, Dongsheng Sun, Ruzhi Wang*, Yuefei Zhang*. Assembled graphene nanotubes decorated by hierarchical MoS2 structures: enhanced lithium storage and in situ TEM lithiation study. Energy Storage Materials, 2017, 9, 188-194.
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廈大《Scripta Mater》:原位TEM和MD模擬研究鎢<100>環(huán)演變
本文通過原位TEM和MD模擬提出了一種新的環(huán)反應,其中<100>環(huán)之間反應產(chǎn)生1/2<111>環(huán),適當?shù)某跏?lt;100>環(huán)的相對位置和高溫是影響這種轉(zhuǎn)變的關(guān)鍵因素,同時本文還根據(jù)原位實驗數(shù)據(jù)建立了<100>環(huán)的平均尺寸和面數(shù)密度與輻照通量之間的關(guān)系,為以后的設(shè)計研究提供了理論基礎(chǔ)。(文:破風) 本文來自微信公眾號“材料科學與工程”。歡迎轉(zhuǎn)載請聯(lián)系,未經(jīng)許可謝絕轉(zhuǎn)載至其他網(wǎng)站。
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Geosoft.Oasis.Montaj.v7.0.1.rar Imagineer Systenms Mokey 4.1.5.rar IMAGINEER_SYSTEMS_MOKEY_V4.1.3.rar PROII應用實例集(催化裂化常減壓)_中油奧特_2001.pdf PROII中文入門用戶手冊_李建明_2001.pdf PROII中文入門指南手冊_許丙濤_2001.pdf 安裝說明.txt 各個行業(yè)軟件 軟件均為完整版本至真至誠 品質(zhì)保證 MP:13637583712 扣扣:792075635 BR&E ProMax 2.0.7047.0\ Crystal.Ball.v7.3.1水晶球_風險分析工具Crystal Ball\ Crystal.Reports.XI.Standard.Edition-ISO 1CD(水晶報表XI企業(yè)標準版,包括簡體中文)\ EPS PanSystem v3.4.0 Full 1CD(解析試井解釋軟件)\ HyproTech.hysys2004中文操作手冊\ IMAGINEER_SYSTEMS_MOKEY_V4.1.5說明\ NOVAS.DEBUSSY.V5.2.R15 電子設(shè)計自動化用的調(diào)試排障工具\ NOVAS.DEBUSSY.V5.2.R15.LINUX 電子設(shè)計自動化用的調(diào)試排障工具\ pcstitch7.0.10十字繡軟件_usb\ PVElite 2008_sub全模塊好用版\ Schlumberger.Drilling.Office.V4.0\ 十字繡軟件_pcstitch7.0.10 中文版\ soft\50\ Autodesk Mechanical Desktop 2009\ soft\51\ BIO-RAD
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TEM圖1
貴金屬的十面體納米晶體:合成、表征和應用
圖9 使用不同方法合成的Au十面體納米晶體的TEM圖像 (a, c, e, f) 使用不同方法合成的Au十面體納米晶體的TEM圖像; (b, d) 使用不同方法合成的Au十面體納米晶體的高分辨TEM圖。 (a, b) 多元醇還原;(c, d) 在DMF中超聲輔助還原;(e, f) 使用基于油胺的還原合成的截斷十面體納米晶體。 圖10 使用不同方法合成的Pd十面體納米晶體的TEM圖像 (a, c, d) 使用不同方法合成的Pd十面體納米晶體的TEM圖像; (b) 使用不同方法合成的Pd十面體納米晶體的高分辨TEM圖像。 (a, b) 多元醇還原;(c, d) 水基合成。 圖11 Cu、Rh和Pt納米晶體的TEM圖像 (a, c, e) 由除Ag、Au和Pd之外的貴金屬制成的十面體納米晶體的TEM圖像; (b, d, f) 由除Ag、Au和Pd之外的貴金屬制成的十面體納米晶體的高分辨TEM圖像。 (a, b) Cu納米晶體;(c, d) Rh納米晶體;(e, f) Pt納米晶體。 圖12 Pd-P和Cu-Au的TEM圖像 (a) Pd-Pt合金十面體的TEM圖像; (b) Pd-Pt合金十面體的高分辨率TEM圖像; (c) Cu-Au合金十面體的TEM圖像; (d) Cu-Au合金十面體的高分辨率TEM圖像。
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FRED激光應用說明
雖然由這個混合模式產(chǎn)生的空間分布與TEM00模很接近,但它的傳播明顯不同。下表列出了光束的模式內(nèi)容,圖6顯示了在FRED中計算的單模剖面,通過給每個模式分配不同的波長,圖7顯示了這五種模式的非相干性組合。 圖6:在FRED新的光源對話框中模擬的Laguerre 模式:TEM01, TEM10, TEM11, TEM20, TEM21 圖7: Non-Gaussian Gaussian: 首例5種 Laguerre模式的非相干結(jié)合 圖8中的圖片集顯示了單個模式連同它們的非相干組合的縱向能量密度計算。請注意在最大能量密度位置與幾何體最佳焦點之間有116μm間隔。 圖8:TEM01、TEM10、TEM11、TEM20、TEM21以及非相干組合的縱向能量密度。白色的箭頭指向的是最大能量密度的位置,金色的箭頭指向的是最佳幾何焦點的位置。 圖9及圖10的輻照度顯示了一些有趣的特征。這兩幅圖的峰值輻照度的差異接近2倍,圖9中的最大能量密度的FWHM只比先前部分的TEM00模寬20%,最佳焦點顯示在圖10中,另一方面,F(xiàn)WHM是TEM00模的2.75倍寬,并顯示出一個明顯的中心低谷。 圖9:在最大能量密度平面上的多模光束的輻照度 圖10:在幾何體最佳焦點平面的多模光束的輻照度
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納米粒子自組裝制備2D準納米片的普適性方法
圖6 2D二元QNS形貌表征(2) a) 2D Fe3O4-Pt QNS的TEM圖像,其中內(nèi)插標尺為50 nm(下同); b) 2D Fe3O4-CdSe QNS的TEM圖像; c) 2D Pd-Pt QNS的TEM圖像; d) 2D CdSe-Pd QNS的TEM圖像; e) 2D CdSe-Pt QNS的TEM圖像。 圖7 2D三元QNS形貌表征 a) 三種NP組裝二維三元QNS示意圖; b) Fe3O4-Pd-Pt QNS的TEM圖像,其中內(nèi)插標尺為50 nm(下同); c) Fe3O4-CdSe-Pd QNS的TEM圖像; d) Fe3O4-CdSe-Pt QNS的TEM圖像; e) CdSe-Pd-Pt QNS的TEM圖像。 圖8 2D二元QNS的光學性質(zhì)及其應用 a) 玻璃基底上的Pd-Pt QNS在波長為365nm的入射光的近場電場分布; b) 玻璃基底上的Pd-Pt QNS在波長為485nm的入射光的近場電場分布; c) 玻璃基底上的Pd-Pt QNS在波長為532nm的入射光的近場電場分布; d) 玻璃基底上的Pd-Pt QNS在波長為633nm的入射光的近場電場分布; e) 玻璃基底上的Pd-Pt QNS在波長為785nm的入射光的近場電場分布; f,g) Pd-Pt QNS與2 × 10-6 M羅丹明B(RB)的拉曼光譜和拉曼峰信號強度。 【小結(jié)】 綜上所述,作者開發(fā)出一種利用NP自組裝制備新型2D QNS的普適方法。 上述2D QNS橫向尺寸高達數(shù)微米,厚度高達幾納米。此外,上述2D QNS獨立存在并且在不同的溶劑中保持完整而無解構(gòu)現(xiàn)象。
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FRED應用:激光二極管的模擬
M2最小的可能值是1,這會指定一個高斯TEM00光束。M2的更大值表明在光束中高階模的混合。為了確定在FRED中創(chuàng)建的M2光束的模式組成,在樹上右鍵點擊源“detail report”,然后選擇Detailed Analysis。 圖5.左:簡易的M平方激光光束規(guī)格。右:指定的M2激光光源中的模式分布。 混合模,高階模 當一個激光不具備足夠的空間濾波時(限制孔徑大于最低階模式半徑),多模光束就會產(chǎn)生。因此,多重模式在激光諧振腔中產(chǎn)生。為了模擬一個具有特定模式分布的激光,多個光源可以分配給每個TEM模式。這需要Detailed Optical Source類型來創(chuàng)建這一模式,首先通過選擇光源位置的一個六邊形或網(wǎng)格平面來建立,然后設(shè)置高斯切趾。切趾允許的規(guī)格有:x和y的半寬、橫向偏移、模式數(shù)目(m, n)和模式類型(Hermite, Laguerre, Laguerre Cosine, Laguerre Sine)。幾個TEM模式的輻照度分布如圖6所示。混合模的例子如圖7所示。 圖6.在FRED中模擬的不同高斯TEM模的輻照度分布 圖7.由TEM0,0, TEM2,1和 TEM2,3模組成的混合模的輻照度分布,功率分配為[1:0.5:0.25]。TEM2,1和TEM2,3模也有輕微的軸向偏移。
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FRED案例展示:激光二極管的模擬
為了模擬一個具有特定模式分布的激光,多個光源可以分配給每個TEM模式。這需要Detailed Optical Source類型來創(chuàng)建這一模式,首先通過選擇光源位置的一個六邊形或網(wǎng)格平面來建立,然后設(shè)置高斯切趾。切趾允許的規(guī)格有:x和y的半寬、橫向偏移、模式數(shù)目(m, n)和模式類型(Hermite, Laguerre, Laguerre Cosine, Laguerre Sine)。幾個TEM模式的輻照度分布如圖6所示。混合模的例子如圖7所示。 圖 6.在FRED中模擬的不同高斯TEM模的輻照度分布 圖 7.由TEM0,0, TEM2,1和 TEM2,3模組成的混合模的輻照度分布,功率分配為[1:0.5:0.25]。TEM2,1和TEM2,3模也有輕微的軸向偏移。
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FRED應用:激光二極管的模擬
M2最小的可能值是1,這會指定一個高斯TEM00光束。M2的更大值表明在光束中高階模的混合。為了確定在FRED中創(chuàng)建的M2光束的模式組成,在樹上右鍵點擊源“detail report”,然后選擇Detailed Analysis。 圖5.左:簡易的M平方激光光束規(guī)格。右:指定的M2激光光源中的模式分布。 混合模,高階模 當一個激光不具備足夠的空間濾波時(限制孔徑大于最低階模式半徑),多模光束就會產(chǎn)生。因此,多重模式在激光諧振腔中產(chǎn)生。為了模擬一個具有特定模式分布的激光,多個光源可以分配給每個TEM模式。這需要Detailed Optical Source類型來創(chuàng)建這一模式,首先通過選擇光源位置的一個六邊形或網(wǎng)格平面來建立,然后設(shè)置高斯切趾。切趾允許的規(guī)格有:x和y的半寬、橫向偏移、模式數(shù)目(m, n)和模式類型(Hermite, Laguerre, Laguerre Cosine, Laguerre Sine)。幾個TEM模式的輻照度分布如圖6所示。混合模的例子如圖7所示。 圖6.在FRED中模擬的不同高斯TEM模的輻照度分布 圖7.由TEM0,0, TEM2,1和 TEM2,3模組成的混合模的輻照度分布,功率分配為[1:0.5:0.25]。TEM2,1和TEM2,3模也有輕微的軸向偏移。
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FRED應用:激光二極管的模擬
M2最小的可能值是1,這會指定一個高斯TEM00光束。M2的更大值表明在光束中高階模的混合。為了確定在FRED中創(chuàng)建的M2光束的模式組成,在樹上右鍵點擊源“detail report”,然后選擇Detailed Analysis。 圖5.左:簡易的M平方激光光束規(guī)格。右:指定的M2激光光源中的模式分布。 混合模,高階模 當一個激光不具備足夠的空間濾波時(限制孔徑大于最低階模式半徑),多模光束就會產(chǎn)生。因此,多重模式在激光諧振腔中產(chǎn)生。為了模擬一個具有特定模式分布的激光,多個光源可以分配給每個TEM模式。這需要Detailed Optical Source類型來創(chuàng)建這一模式,首先通過選擇光源位置的一個六邊形或網(wǎng)格平面來建立,然后設(shè)置高斯切趾。切趾允許的規(guī)格有:x和y的半寬、橫向偏移、模式數(shù)目(m, n)和模式類型(Hermite, Laguerre, Laguerre Cosine, Laguerre Sine)。幾個TEM模式的輻照度分布如圖6所示。混合模的例子如圖7所示。 圖6.在FRED中模擬的不同高斯TEM模的輻照度分布 圖7.由TEM0,0, TEM2,1和 TEM2,3模組成的混合模的輻照度分布,功率分配為[1:0.5:0.25]。TEM2,1和TEM2,3模也有輕微的軸向偏移。
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TEM圖2
FRED應用:激光二極管的模擬
為了模擬一個具有特定模式分布的激光,多個光源可以分配給每個TEM模式。這需要Detailed Optical Source類型來創(chuàng)建這一模式,首先通過選擇光源位置的一個六邊形或網(wǎng)格平面來建立,然后設(shè)置高斯切趾。切趾允許的規(guī)格有:x和y的半寬、橫向偏移、模式數(shù)目(m, n)和模式類型(Hermite, Laguerre, Laguerre Cosine, Laguerre Sine)。幾個TEM模式的輻照度分布如圖6所示。混合模的例子如圖7所示。 圖 6.在FRED中模擬的不同高斯TEM模的輻照度分布 圖 7.由TEM0,0, TEM2,1和 TEM2,3模組成的混合模的輻照度分布,功率分配為[1:0.5:0.25]。TEM2,1和TEM2,3模也有輕微的軸向偏移。
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《Macromolecules》廣東工業(yè)大學譚劍波:利用不良RAFT控制在非均相RAFT聚合
(d)使用(c)的樣品作為種子,將NIPAM的光-PISA接種后獲得的樣品的TEM圖像([HPMA]/[NIPAM] = 200/400)。(e)在25和50°C的水中PNIPAM官能化球的視覺外觀。(f)PNIPAM官能化球在水中的熱響應特性的示意圖。 圖 8. (a)使用囊泡作為種子的tBA的接種光PISA的示意圖。(b)由BTPA-DEG-PGMA40-CEPA([HPMA]/[BTPA-DEG-PGMA40-CEPA] = 300)介導的HPMA水性光PISA制備的囊泡的TEM圖像。(c-e)用不同比例[tBA]/[BTPA-DEG-PGMA40-CEPA]的tBA的種子光PISA制備的樣品的TEM圖像((b)的囊泡用作種子):(c)200, (d)300和(e)400。(f)使用囊泡作為種子的tBA的光敏PISA的示意圖。(g)由PGMA40-CEPA([HPMA]/[PGMA40-CEPA]=300)介導的HPMA的水性PISA制備的囊泡的TEM圖像。(h–j)用具有不同[tBA]/[PGMA40-CEPA]比率的tBA的光PISA種子制備的樣品的TEM圖像((g)的囊泡用作種子):(h)100,(i)150 ,以及(j)200。 參考文獻 : doi.org/10.1021/acs.macromol.1c00381 版權(quán)聲明:「 高分子材料科學 」公眾號旨在分享學習交流高分子聚合物材料學等領(lǐng)域的研究進展。上述僅代表作者個人觀點。如有侵權(quán)或引文不當請聯(lián)系作者修正。商業(yè)轉(zhuǎn)載或投稿請后臺聯(lián)系編輯。感謝各位關(guān)注!
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Nano Letters:法蘭西公學院應用液體電化學技術(shù)在電鏡原位研究Na-O2電池中NaO2形成機
要點:Swagelok電池(a-b)與TEM原位微電池(c-f)得到NaO2產(chǎn)物結(jié)構(gòu)比較。結(jié)果顯示,兩種方法得到的NaO2產(chǎn)物結(jié)構(gòu)類似,證明Poseidon 510透射液體原位樣品桿能為電池提供工作的真實環(huán)境。 圖3 電池放電過程中NaO2結(jié)構(gòu)演變圖 (a, e) 電池放電過程中NaO2 結(jié)構(gòu)演變的TEM圖;(b) NaO2顆粒的TEM圖;(c) NaO2 顆粒生長時間曲線圖;(f) 電池放電結(jié)束形成的NaO2顆粒TEM圖。 要點:電池放電時,溶液相沉淀析出導致NaO2納米立方體的產(chǎn)生,生長速率受限 圖4 核殼結(jié)構(gòu)的演變過程圖 (a) 核殼結(jié)構(gòu)演變的TEM圖;(b) 外層生長的時間曲線圖;(c) 核殼結(jié)構(gòu)的TEM圖。 要點:揭示了電池放電過程中核殼結(jié)構(gòu)的演變規(guī)律:放電90 s時,殼層厚約200 nm。 圖5核殼結(jié)構(gòu)的成分分析圖 (a, e) 電池放電結(jié)束后NaO2的HAADF-STEM圖;(b) 核殼結(jié)構(gòu)的TEM圖;(c-d) 核殼結(jié)構(gòu)的EDX圖;(f) 核殼結(jié)構(gòu)的SAED圖。 要點:核殼成分確認:NaO2/NaOx/organic carbonates( Poseidon 兼容于TEM內(nèi)的多種探測器,其中包括高角度的EDS探測器)。
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武漢理工余家國Mater. Today:鎳基超級電容器的研究進展
圖 4 近10年鎳基超級電容器發(fā)表文章統(tǒng)計圖 圖 5 鎳基材料的分類圖 圖 6 花粉模板-NiO(P-NiO)電極 (a,d)未經(jīng)處理油菜花粉粒的示意圖及其SEM圖像; (b,e)預處理后,油菜花粉粒的示意圖及SEM圖像; (c,f)花粉模板-NiO(P-NiO)的示意圖及SEM圖像; (g,h)P-NiO的TEM圖像; (i)P-NiO的HRTEM圖像; (j)在10 mV s-1下,P-NiO的CV曲線; (k)在10 A g-1(插圖:1 A g-1)的CP曲線; (l)無模板-NiO(W-NiO),P-NiO,Ni泡沫,花粉-A(天然花粉粒)和花粉-C(處理過的花粉粒)的速率性能對比圖。 圖 7 不同殼層結(jié)構(gòu)NiO電極 (I)不同殼層結(jié)構(gòu)NiO的合成示意圖; (a-c)封閉外部雙殼的雙殼、三殼和四殼空心NiO微球的TEM圖像; (d-f)雙殼、三殼和單殼NiO空心微球的TEM圖像; (g)不同結(jié)構(gòu)NiO微球的CV曲線; (h)不同結(jié)構(gòu)NiO微球的的充電/放電曲線; (i)不同結(jié)構(gòu)NiO微球的速率性能對比圖。 圖 8 碳質(zhì)材料的優(yōu)勢 圖 9 NiO/C-HS電極 (a)NiO/C-HS的合成示意圖; (b)前體SiO2/C的TEM圖像; (c)中間體Ni(OH)2/C-HS的TEM圖像; (d)NiO/C-HS的TEM圖像。
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