臺積的案例
新思科技攜手臺積公司全面加速EDA、IP及系統協同創新，助力下一代AI算力突破
在臺積公司 N2P 制程上成功完成業界首個低功耗 M?PHY v6.0 IP 的芯片首次點亮，同時完成 64G UCIe IP 的流片，并推出 224G IP，進一步加速下一代 AI 系統的開發進程
持續深化在 AI 驅動的數字、模擬與驗證流程以及電源完整性平臺方面的合作，覆蓋臺積公司多個先進制程節點，以實現優化的設計結果質量
在新思科技 Fusion Compiler 中合作引入智能體運行輔助（agentic run assistance），基于臺積公司 NanoFlex? Pro 架構，在臺積公司 A14 制程上顯著提升 PPA 表現與設計生產力
新思科技 3DIC Compiler 平臺為臺積公司的 CoWoS? 技術帶來生產力提升，在 5.5 倍光罩尺寸的中介層上實現高效的三維多芯片設計
面向 COUPE 的多物理場設計能力支持下一代共封裝光學（co?packaged optics）解決方案
新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布，在臺積公司先進的制程與封裝技術節點上，圍繞臺積公司 3nm 與 2nm 制程系列，以及采用超級電軌（Super Power Rail，SPR）的 A16? 與 A14 等節點，在已通過硅驗證的 IP、AI 驅動的 EDA 流程以及系統級技術賦能等方面取得多項重要進展。
通過整合智能化的數字、模擬與驗證流程，先進的 3D Multi-Die 設計能力，以及光?電協同設計能力，新思科技正在幫助開發者提升多物理場分析結果的質量，并加速從芯片到系統的開發周期，以應對日益復雜的 AI 與高性能計算設計需求。
臺積公司先進的制程與封裝技術，正在為 AI 與自動化系統在性能、帶寬和能效方面開辟全新空間。
展開 臺積電的最新技術布局
首先看工藝制造方面：
（1）3納米制程技術
2021年，臺積公司建立平臺支援N3技術，支援高效能運算及系統單芯片應用，也開始試產，預計于2022年下半年開始量產。臺積公司也開始開發N3E技術，改善了生產制程容許范圍，具備更佳的效能與功耗，預計于N3制程量產一年之后量產。
（2）2納米制程技術
2021年，臺積公司進入2納米制程技術的開發階段，著重于測試載具之設計與實作、光罩制作，以及硅試產。主要進展在于提升基礎制程設定、晶體管與導線效能。
（3）微影技術
2021年，臺積公司的研發組織藉由提升晶圓良率達到可靠影像以支援3納米試產，公司也提升極紫外光（EUV）的應用、降低材料缺陷與增進平坦化的能力以支援2納米技術的開發。此外，臺積公司研發單位致力于減少EUV曝光機光罩缺陷及制程堆棧誤差，并降低整體成本。
臺積公司的EUV項目在功率輸出及穩定性上有持續性的突破，進一步提升生產力，在EUV微影制程控制、光阻材料光罩保護膜，以及光罩生產質量皆有進一步進展，進而提升良率，以達到大量生產所需的要求。未來，公司將持續研究下一世代產品的生產與節能契機，以支援EUV項目達成2050年凈零排放的長期目標。
（4）光罩技術
2021年，研發組織聚焦于提升極紫外光光罩在線寬控制和光罩層疊精準度的表現以符合3納米微影制程的要求。藉由2納米光罩材料與光罩制程的基礎開發，臺積公司持續精進極紫外光光罩技術。
展開 關于臺積電2nm，我們來談談
臺積以王者之姿穩穩跨進納米片世代
盡管三星沒有特別強調，但我們從其所提供技術示意圖來看，就可以得知他們的GAAFET技術就是一種納米片（Nanosheet）架構，而這跟臺積所發表的N2技術，其實都是屬于同一種技術類型。換句話說，未來市場上2nm以下的制程芯片，都會是使用納米片架構的晶體管。
相較于三星采用大動作追擊的策略，臺積對于導入納米片架構制程就顯得保守且小心，或者說是一種不疾不徐的態度。我們回顧臺積選擇進入FinFET制程的時間點來看，就可以端倪出這家公司的決策文化。
一來，他們已是市場的領先者，穩健拓展業務遠比大膽推進技術更為重要；再者，臺積一向看重生產良率和高獲利率，不穩定、不夠成熟的制程，他們定不敢，也不會貿然進行量產。
就因為這立場與策略的差異，因此臺積選擇進入納米片架構的時間點，也就晚了三星一個世代。而這個一世代的差異，除了讓臺積在3nm制程上有更好的成本優勢外，也為他們的2nm制程取得了更多的研發和試產的時間。
依據臺積自己公布的資料，相對于N3，新一代的N2技術在相同功耗下，速度提升了10～15%；在相同速度下，則功耗降低25～30%。而在應用領域方面，N2將會推出針對行動運算的基本版本，另也會推出高效能版本和小芯片整合的解決方案，預計在2025年開始量產。
不過這里就有一點性能上的差異，因為三星的3nm GAAFET是對比5nm FineFET，而臺積N2則是對比N3，所以單就各自帳面上的性能提升來看，納米片架構的的確確是能夠突破FinFET的極限。若是比較雙方的數據差異，則臺積擁有微縮制程上優勢，其2nm具有較好的功耗表現。
不過三星的2nm制程也預計在2025量產，目前其實際的效能數據則仍未公布。
圖三: 臺積與三星的納米片結構制程比較。
展開 臺積電3nm工廠邁出重要一步
臺積電3nm建廠投資案跨出重要一步，環保署昨天初審通過「臺南科學園區二期基地開發暨原一期基地變更計劃環差案」，該案主要是科技部因應臺積3nm廠投資計劃提出環境差異分析報告。臺積預計投資超過六千億元興建3nm廠，2020年動工，最快2022年底量產。
臺積電資深處長莊子壽會后表示，感謝支持，臺積電迎戰世界其他大廠深具信心，「臺積電沒在怕」。
攸關臺積3nm投資案的南科臺南基地環差案初審通過后，最慢三個月內，也就是十一月以前可望獲環評大會通過，為國內投資挹注動能。
根據規劃，臺積3nm案預計使用南科廿八公頃用地，并緊臨臺積五奈米廠，科技部預訂在2020年中交地給臺積電蓋廠房。
因應臺積3nm用地需求，南科管理局檢討南科土地使用分區規劃，將原本公園綠地調整為事業專用區，將他處用地再變更為綠地，使得南科事業專用區及綠地用地皆增加。全案已通過臺南市都市計劃審查，將提報內政部都市計劃審查。
南科管理局長林威呈表示，由于園區產業發展需求，以確保世界先進制程的領先優勢，因此提出「臺南科學園區二期基地開發暨原一期基地變更計劃環差案」，一方面檢討園區土地使用分區計劃，二方面因應引進先進制程的需求，提出園區用水量、用電量、污水放流量、土方等變更。
南科管理局提出報告，因應臺積3nm設廠需要，南科臺南基地，每日用水量將由25萬噸增至32.5萬噸，用電量則由222萬瓦增至299.5萬瓦；推估此次變更后，溫室氣體排放量一年增加427萬噸。
為化解外界疑慮，南科管理局加強節能減碳外，臺積一開始承諾，在市場供給機制完善下，3nm廠新增用電量將隨著量產時程，逐年取得百分之廿用電度數的再生能源，預估每年最高可減少約85.41萬噸二氧化碳當量。
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一文看懂臺積電的先進封裝
系統整合芯片接下來可以使用傳統封裝或臺積公司新的3DFabric技術，
例如CoWoS?或整合型扇出來做封裝，支援下一代高效能運算（HPC）、人工智能（AI）和行動應用產品。目前臺積公司已使用微米級接合間距制程完成了芯片對晶圓（Chip on Wafer, CoW）和晶圓對晶圓（Wafer on Wafer, WoW）堆棧制程的驗證，具有令人滿意的電性良率和可靠性結
果。
臺積公司將繼續追求系統整合芯片技術的微縮，以與臺積公司先進的硅技術保持一致，進一步提高晶體管密度、系統功耗、性能和面積（Power, Performance, Area,PPA）與成本競爭力。
在臺積電看來，智能產品應用的2.5D領先技術。此技術具有一個大型的硅中介層，該中介層具有次微米級的繞線層和整合電容（integrated capacitors, iCap），因此可以在其上面放置系統單芯片（SoC）和高頻寬存儲器（HBM）等各種小芯片。正在開發的第五代CoWoS?具有創紀錄的硅中介層面積，高達2,400平方毫米，相當于三個全光罩（full-reticle）尺寸。此技術預計于2021年上半年完成驗證。
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系統整合芯片接下來可以使用傳統封裝或臺積公司新的3DFabric技術，
例如CoWoS?或整合型扇出來做封裝，支援下一代高效能運算（HPC）、人工智能（AI）和行動應用產品。目前臺積公司已使用微米級接合間距制程完成了芯片對晶圓（Chip on Wafer, CoW）和晶圓對晶圓（Wafer on Wafer, WoW）堆棧制程的驗證，具有令人滿意的電性良率和可靠性結
果。
臺積公司將繼續追求系統整合芯片技術的微縮，以與臺積公司先進的硅技術保持一致，進一步提高晶體管密度、系統功耗、性能和面積（Power, Performance, Area,PPA）與成本競爭力。
在臺積電看來，智能產品應用的2.5D領先技術。此技術具有一個大型的硅中介層，該中介層具有次微米級的繞線層和整合電容（integrated capacitors, iCap），因此可以在其上面放置系統單芯片（SoC）和高頻寬存儲器（HBM）等各種小芯片。正在開發的第五代CoWoS?具有創紀錄的硅中介層面積，高達2,400平方毫米，相當于三個全光罩（full-reticle）尺寸。此技術預計于2021年上半年完成驗證。
他們表示，2020年，臺積公司持續領先全球大量生產第五代整合型扇出層疊封裝技術（InFO-PoP Gen-5）以支援行動應用，并大量生產第二代整合型扇出暨基板封裝技術（InFO-oS Gen-2）支援高效能運算晶粒分割的應用。
第六代InFO-PoP已成功通過認證支援行動應用和增強散熱性能。如期開發完成的第三代InFO-oS提供了更多的芯片分割，整合于更大的封裝尺寸和更高的頻寬。
展開 臺積電強推新堆疊技術，讓同體積芯片性能增加兩倍
臺積電供應鏈指出，臺積電原位于中科的臺積太陽能廠，兩年多前結束營運后，臺積電決定利用原廠址發展InFO封測業務，相關投資計畫已獲科技部科學園區投資審議委員會審核通過，正全力展開裝機作業，臺積電也證實，確實打算再擴充后段封測產能，相關投資金額已列入今年資本支出，實際投資金額不便透露，但會比去年多。
臺積電的InFO高階封裝，完全是配合主要客戶蘋果。2016年臺積電買下高通龍潭廠，就是提供整體晶圓服務，從制造到后段晶圓封裝，隨臺積電獨家承攬蘋果A10及A11處理器，臺積電位于龍潭的封裝廠已全數滿載，臺積電又完封裝三星，獨攬蘋果次世代A12或稱A11x處理器，在晶圓數需求大增下，臺積除擴充龍潭廠外，也決定于中科再擴增InFO后段高階封測產能。
臺積電供應鏈傳出，臺積電近期已大舉購買后段封裝機臺設備，預計增加龍潭廠月產能從10萬片到13萬片，并于上季量產。
臺積電在后段先進封裝的擴產，也從龍潭延伸到中科，目前正就緊鄰量產10納米重鎮15廠區旁的原臺積太陽能廠增加InFO新廠，整體產能可望倍增，龍潭二期用地可望是臺積電未來擴廠的新選擇。
業界表示，臺積電大擴產InFO的動作，顯示InFO將不會委外，全部自己生產，客戶預期將會增加，營收貢獻也可望提高，對日月光等封測廠恐有不利影響；相對的，相關設備與材料等供應商受惠。
臺積電去年第4季已開始進行7納米試產，上季正式量產，部光罩制程采用極紫外光（EUV）技術的7+（7納米強化版）預定明年進入量產。至于5納米部份，目前規劃2019年下半年開始試產，2020年進入量產。
來源：CTimes
展開 臺積電電腦中毒背后的真正原因：每個工廠都在害怕
趨勢科技表示，早在臺積事故之前一年，就有兩家美、日大廠因中毒而停產。萬物聯網、智慧城市正夯，個人與企業如何因應這些潛在威脅？
「這個事件給我們機會好好地檢討，」臺積電財務資深副總何麗梅接受《天下》專訪，回顧該公司8月初驚動全球的資安事件時表示，臺積事后馬不停蹄的檢視防火墻等所有資安軟硬件及管理體制，「一定把有問題的地方找出來。」
當時，臺積電生產機臺感染電腦病毒，導致三大廠區機臺停擺多達三天，影響當季營收約2%，損失高達52億臺幣，是臺灣史上最大資安事故。
事后數星期，該事故細節才逐漸為外界了解。
有SOP為何還會出事？
原來，臺積現場操作人員沒有按照標準作業流程，讓新進機臺先掃毒，再連上內部網路。「有SOP（標準作業程序），但現場作業的人一個閃失，就是這樣子，」臺積電300mm廠務處資深處長莊子壽說。
藏身在新機臺電腦里的勒索病毒WannaCry，便在開機后立刻掃描同一生產內網里的所有電腦主機，發動攻擊Windows 7一處安全漏洞EternalBlue，擴散感染到同屬臺灣其他廠區。
雖然風波迅速平息，但臺積電這次電腦中毒事故，已經注定名留青史。
展開 關注 | 張忠謀：珍惜臺灣半導體晶圓制造的優勢
雖然目前臺積暫時占優勢，但臺積電跟三星的戰爭絕對還沒結束，臺積還沒有贏，我們只是贏了一、兩場battle，可是整個war還沒有贏。
張忠謀強調，三星的管理是很霸道的，這個不是奇異模式，也不是英特爾或臺積模式，是它自己的模式。
來源：內容來自半導體行業觀察綜合，謝謝。
臺積電產線因病毒入侵停擺，傳中芯國際也在排查
不過，每年的第三季起是臺積電大客戶的備貨旺季，尤其是智能手機大客戶蘋果開始拉貨的季節。因此，臺積電的生產線出問題，是否會影響客戶后續旺季備貨效應，需要繼續觀察。
此次病毒入侵事件考驗臺積電的新班子。今年6月份，被譽為臺灣半導體教父的臺積電董事長張忠謀正式退休。原本臺積電企業防黑客工作是由臺積電資訊技術資深副總兼資訊長左大川把關，但他已于今年3月退休。
有業內人士透露，受臺積電受到病毒入侵事件影響，另一家集成電路代工廠中芯國際也在嚴查病毒。
來源：澎湃新聞
傳三星獲4納米大單，為何AMD下一代芯片改采「雙代工模式」？
來源：科技新報
近期有消息傳出，AMD次世代芯片核心架構Zen 5C代號為「Prometheus」將采用「雙代工模式」，即同時采用臺積3納米及三星
臺積電受電腦病毒事件影響，第三季度營收將下降3%
臺“中央社”最新消息顯示，臺積電4日下午發布新聞稿稱，病毒感染范圍目前已經控制，受影響機臺正逐步恢復生產，預計在一天內將全數恢復正常。
據臺灣《經濟日報》報道，每年的第三季起是臺積電大客戶的備貨旺季，為蘋果等科技企業生產重要芯片的臺積電，是否遭遇生產延宕問題，影響客戶后續旺季備貨效應，還需要進一步觀察。
臺積電受到電腦病毒影響的機臺及生產線，已經開始重新裝上防毒軟件，計劃4日內把所有問題解決，讓生產線恢復正常運作。
臺灣《上報》指出，此次臺積電遭病毒攻擊實屬罕見，事實上，臺積電高度重視信息安全和信息秘密保護，連上廁所都要刷識別卡，這次意外遭病毒攻擊，也讓外界相當意外。
相關人士消息稱，臺積電晶圓12廠區內的內部電腦系統3日晚上遭電腦病毒攻擊，當晚并通過內部網路漫延到其它廠區。而4日上午市場充斥各種傳言，包括傳出臺積電疑似遭到黑客攻擊，受影響的廠區“機臺當機”且生產線停線，恐導致停留在生產線上的晶圓出現報廢等。
臺積電表示，內部電腦系統遭到電腦病毒攻擊，但并非外傳遭黑客攻擊，公司內部已經緊急召開會議應變，至于受影響的廠區與生產線，以及影響情況等，仍在了解當中。據了解，臺積電高層已指示4日之前要解決病毒入侵電腦系統一事，生產線也要在4日內恢復正常運作。
展開 超車臺積電？三星2020年量產3納米強化晶圓代工業務
因此，競爭對手三星要在7納米制程的節點追趕臺積點難度很高，所以將目光放在了更先進的3納米制程節點上。
過去，在晶圓代工方面，三星也曾有過領先歷史。在包括32納米、14納米及10納米等制程節點上都率先量產。不過，7納米制程節點上，三星則是落后臺積電，甚至連自家的Exynos 9820處理器也沒有使用上內含EUV技術的7納米制程，采用的還是10納米制程所改進的8納米LPP制程。
雖然在名稱上聽起來跟7納米制程差不多，但實際上相較華為麒麟980、蘋果A12及高通驍龍855等新一代旗艦型的處理器，仍落后一世代的技術。
另外，在當前存儲器市場面臨降價的大環境下，三星在半導體業務上的重點也開始傾向發展晶圓代工。2017年，三星晶圓代工業務營收為46億美元，而目前三星的目標是將營收增加一倍，也就是到100億美元以上、不過，要實現這個目標，三星除了斥資56億美元興建新的晶圓廠之外，還要在技術上加把勁，趕超臺積電。
只是，說來容易，做起來恐怕很難。因為在3納米技術的節點上，臺積電也有新的投資計劃。除了準備投資新臺幣6,000億元（約200億美元）的資金建立新廠房與技術開發之外，目前更加緊與各知識產權廠商的合作，建立生態體系。
因此，雖然臺積電計劃在2020年建廠，2021年完成設備安裝，2022年才能進一步量產，落后于三星預計在2020年量產的時程。但是，在整體生態體系的完整建立下，加上制程技術并非先推出者就有優勢，屆時還必須視最后各自的良率表現。因此，三星3納米制程是否真能超車臺積電，恐怕還有很多的變數。（Atkinson ）
來源：TechNews科技新報
展開 傳高通驍龍855芯片也將內置NPU
據悉，驍龍855是一顆12.4 x 12.4mm的芯片，采用臺積的7nm工藝打造，內置驍龍X24 LTE調制解調器，支持Cat.20 LTE，以達到2Gbps的下行速度，可以通過外掛驍龍X50 5G基帶實現5G功能。
WinFuture指出，新款SoC的最終名稱可能尚未確定，從高通內部流出的消息來看，代號為“SM8150”，按照此前的規則，其中“SM”代表Snapdragon Mobile，而“8150”就是全新SoC的型號，可能傳言中的驍龍855會改名為驍龍8150。
高通AIE深度解讀
在今年年初，高通宣布推出人工智能引擎（AI Engine），讓人工智能在終端側（如智能手機）上的應用更快速、高效。該AI Engine包括軟硬件兩部分，在高通驍龍核心硬件架構（CPU、GPU、VPS向量處理器）上搭載了神經處理引擎（Neural Processing Engine, NPE）、Android NN API、Hexagon神經網絡庫等軟件。
大多數移動機器學習（ML）任務（如圖像或語音識別）目前都在云中執行，智能手機將數據發送到云端，然后再將計算結果返回到手機。但是目前，在終端設備上執行的機器學習任務越來越繁重。為了給開發人員提供更好的基于機器學習的增強功能，高通推出人工智能引擎AI Engine來封裝其當前的ML產品。終端側人工智能的關鍵優勢包括即時響應、隱私保護增強、可靠性提升，此外，還能確保在沒有網絡鏈接的情況下用戶的AI體驗能到得到保障。
展開 關注 | 臺積電將再建六個晶圓廠，重點擴產7nm
臺積加碼投資臺灣，供應鏈吞定心丸
高雄市多年來爭取臺積電投資，如今臺積電終于選定中油煉油廠址打造七納米生產重鎮。此舉也讓臺積電未來區域風險分散至桃園、新竹、臺中、臺南及高雄，有利提升臺灣全球半導體地位，并加速臺積電扶植本土供應鏈的腳步。
臺積電加碼投資臺灣，也讓臺積電半導體族聚效應再擴大。臺積電下個三年的龐大資本支出，是供應鏈最大的定心丸，代表未來給供應鏈的訂單將源源不絕。臺積電為維持毛利率，預料對本土供應鏈的依靠也會加深。
臺積電未來以每年新建二到三廠的速度在臺擴建，但半導體人才不足、營建工人短缺及房價推升等三大困境及沖擊也會加深。此外，「護島神山」的所在地也成為這幾年當地房地產的活招牌。臺積電進駐中科、南科后，都造成房價大漲，此次臺積電南進高雄，造成當地房價上漲，也勢必會是擋不住的浪潮。
四年多前、高雄前市長陳菊任內，就一直爭取臺積電南下高雄投資，但當時臺積電考慮藉由南科擴大計劃，優先讓三納米廠落腳南科。四年多來的國內外政治局勢轉變，臺積電受制于地緣政治壓力，宣布赴美國建廠，也決定將高雄列入設廠選項。
在投資效益、建廠時程及人力支援等因素下，臺積電目標先在南科興建十八廠，但一度因南科污染總量達上限而卡關，讓臺積電還曾打算改至美國設廠，震撼府院高層。后來科技部前部長陳良基說服行政院成立專案小組解決，加速南科擴建，才留住臺積電擴廠計劃。
至于選定中油高雄煉油廠，也歷經政經時空轉變。
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