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吸收率

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創(chuàng)建者:320科技工作室 創(chuàng)建時(shí)間:2022-09-10

吸收率的視頻教程

014 - FDTD隨機(jī)鋪撒在基底上的微鐵球吸光(含演示,26元)
014 - FDTD隨機(jī)鋪撒在基底上的微鐵球吸光(含演示,26元)

方向的吸收率曲線; ·??建模過程錄制了時(shí)長為 20 min 的演示視頻(沒有聲音)。

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027 – COMSOL石墨烯超表面THz吸收器(含演示,80元)
027 – COMSOL石墨烯超表面THz吸收器(含演示,80元)

石墨烯的電導(dǎo)一般用 Kubo 公式描述,在本文中,由于研究的波段是 THz,所以可以將石墨烯的電導(dǎo)近似為 Drude 模型。 本案例演示了如何在comsol中創(chuàng)建二維材料,計(jì)算了頻率為 0.5 ~ 2.5 THz 的入射光下該超表面的吸收率和電場分布。 計(jì)算的內(nèi)容和結(jié)果(手機(jī)端可能無法顯示圖片,請?jiān)陔娔X端查看): 1、三種結(jié)構(gòu)的吸收率。

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008 - FDTD窄帶超表面吸收器(含講解視頻)
008 - FDTD窄帶超表面吸收器(含講解視頻)

Xintong Gu等》,重復(fù)其中的圖2和圖3; ·??計(jì)算所需的內(nèi)存:8 GB; ·??基于Lumerical FDTD Solution求解,使用的軟件版本為Lumerical 2016a; ·??涉及的內(nèi)容:平面光源、監(jiān)視器-透反射、編寫腳本繪制吸收率、創(chuàng)建分析組并編寫繪制電流密度分布、自定義網(wǎng)格 等; ·??繪制了:反射吸收率、電流密度分布(自己編寫腳本); ·??建模過程錄制了時(shí)長為

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吸收率圖1

吸收率的實(shí)例教程

5 鐵液化學(xué)成分對增碳劑吸收率的影響 當(dāng)鐵液中初始碳含量高時(shí),在一定的溶解極限下,增碳劑的吸收速度慢,吸收量少,燒損相對較多,增碳劑吸收率低。當(dāng)鐵液初始碳含量較低時(shí),情況相反。另外,鐵液中硅和硫阻礙碳的吸收,降低增碳劑的吸收率;而錳元素有助于碳的吸收,提高增碳劑吸收率。就影響程度而言,硅最大,錳次之,碳、硫影響較小。因此,實(shí)際生產(chǎn)過程中,應(yīng)先增錳,再增碳,后增硅。
5 鐵液化學(xué)成分對增碳劑吸收率的影響 當(dāng)鐵液中初始碳含量高時(shí),在一定的溶解極限下,增碳劑的吸收速度慢,吸收量少,燒損相對較多,增碳劑吸收率低。當(dāng)鐵液初始碳含量較低時(shí),情況相反。另外,鐵液中硅和硫阻礙碳的吸收,降低增碳劑的吸收率;而錳元素有助于碳的吸收,提高增碳劑吸收率。就影響程度而言,硅最大,錳次之,碳、硫影響較小。因此,實(shí)際生產(chǎn)過程中,應(yīng)先增錳,再增碳,后增硅。 免責(zé)聲明:本文系網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載,版權(quán)歸原作者所有。如涉及作品版權(quán)問題,請與我們聯(lián)系,我們將根據(jù)您提供的版權(quán)證明材料確認(rèn)版權(quán)并于接到證明的一周內(nèi)予以刪除或做相關(guān)處理!
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025 – COMSOL案例:周期性結(jié)構(gòu)的吸收率(僅模型文件,40元) 基本介紹: 主要內(nèi)容:根據(jù)發(fā)表在Scientific Reports上的論文《Strong and highly asymmetrical optical absorption in conformal metal-semiconductor-metal grating system for plasmonic hot-electron photodetection application,作者:Kai Wu等》,用COMSOL重復(fù)了其中的Fig.3(1)、Fig.4(b)、Fig.4(d)、Fig.4(f) ; 基于COMSOL頻域求解,使用的軟件版本為COMSOL 5.3 (5.3.0.223); 計(jì)算所需的內(nèi)存:4 GB; 涉及的內(nèi)容:全局參數(shù)、組件耦合-積分、變量、自定義材料、端口、周期性條件、自定義網(wǎng)格、對波長的掃描 等; 繪制了:上層金屬和下層金屬的吸收率、吸收功率密度分布; 本案例僅包含模型文件,購買后不附帶答疑指導(dǎo)。 包含的文件截圖: 詳細(xì)描述: 如上圖所示,由 Au/ZnO/Au 三層材料構(gòu)成的光柵放置在 SiO2 襯底上。圖中 Λ = 600 nm、d1 = 60 nm 、d2 = 4 nm、d3 = 40 nm、w = 400 nm。在波長為 600 ~ 800 nm 的 TM 光照射下,計(jì)算上下兩層金對入射光的吸收率。 對特定區(qū)域計(jì)算吸收率需要在軟件中對該區(qū)域內(nèi)的吸收功率密度(單位 W/m3)進(jìn)行積分,得到該區(qū)域的吸收功率(單位 W),然后除以入射光功率得到吸收率。 計(jì)算的內(nèi)容和結(jié)果: 1、上層和下層金中的吸收率
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特別是后者 的依賴性開辟了一條折射傳感的道路,對于一定的折射變化,LSPR現(xiàn)象將導(dǎo)致較大的光譜偏移,從而可以檢測介電環(huán)境微小的變化。在實(shí)際應(yīng)用中,金屬納米結(jié)構(gòu)的損失是不可避免的。 為了實(shí)現(xiàn)低損耗器件,人們通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)幾何形狀和使用增益材料來降低損耗。超材料是共振金屬納米結(jié)構(gòu),其晶胞遠(yuǎn)小于光的工作波長,通過正確設(shè)計(jì)超材料中的電磁響應(yīng),可以實(shí)現(xiàn)完美的吸收。一般來說,在實(shí)際應(yīng)用中,理想的吸收體對入射角和光的偏振不敏感。</p><p class="ql-align-justify">我們的傳感器方案提出了潛在的折射傳感器平臺(tái),其中局域表面等離子體共振傳感基于簡單的反射測量,只需使用單波長光源就可完成。圖 1 展示了吸收體傳感器結(jié)構(gòu)的幾何形狀。它由兩個(gè)功能層組成:最上層是金納米盤陣列,最下層是金鏡,這兩層由 MgF2 電介質(zhì)隔開。該結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為在垂直入射時(shí)在 x 和 y 方向上與偏振無關(guān)。</p><div contenteditable="false" width="100%" class="ql-align-justify"><img src="https://p3-sign.toutiaoimg.com/tos-cn-i-axegupay5k/f60824320abb41ac838d27131f57563b~noop.image?
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吸收率幾乎相同,因?yàn)榉瓷?em>率為零,但膜層前面部分的吸收降低了分母上的Ienter的值,因此膜層后部的吸收率逐漸增加。 圖1具有吸收高折射材料和無吸收低折射材料的窄帶濾光片的計(jì)算。由于反射為零,吸收率和勢吸收率幾乎相同。
吸收率圖2

吸收率的最新內(nèi)容

隨后,在 OAS 材料庫中選擇或自定義紅外光學(xué)材料,并依據(jù)實(shí)際需求輸入詳細(xì)的光學(xué)參數(shù),如折射吸收率等,將這些參數(shù)準(zhǔn)確定義在鏡頭表面,確保模型真實(shí)反映實(shí)際光學(xué)系統(tǒng)的物理特性。OAS軟件支持導(dǎo)入機(jī)械結(jié)構(gòu)以及其他光學(xué)軟件建立的鏡頭文件,實(shí)現(xiàn)光學(xué)-機(jī)械一體化建模。 ? 光源設(shè)置 創(chuàng)建適用于紅外冷反射分析的光源。
一個(gè)吸收二向性x偏振片可以用no=1.61、ne=1.65、ko=100、ke=0模擬,一個(gè)線柵偏振片可以用no=1、ne=1.001、ko=100、ke=0模擬,虛數(shù)折射代表吸收。在這種情況下,偏振的O光分量(垂直于晶軸)被吸收,只留下沿著+X晶軸的偏振分量。 偏振點(diǎn)圖 為監(jiān)測光通過系統(tǒng)的偏振情況,一個(gè)分析面可用于產(chǎn)生偏振點(diǎn)圖。
為了幫助完成這項(xiàng)任務(wù),快速物理光學(xué)建模和設(shè)計(jì)軟件VirtualLab Fusion提供了各種工具,如分層介質(zhì)組件,這使得圖層系統(tǒng)的配置易于使用,并且可以通過我們的全面內(nèi)置數(shù)據(jù)庫選擇涂層的材料,或指定其光學(xué)特性,如折射吸收系數(shù)的實(shí)部。 在這篇簡報(bào)中,我們分享了分層介質(zhì)組件的介紹,以及基于CIGS的太陽能電池的模擬設(shè)置。
因此,采用體全息成像方法既可以研究靜態(tài)物體的高度與外形輪廓的變化,以及半透明物體(具有一定的折射吸收系數(shù))的內(nèi)部變化,又可以研究散射微粒的空間動(dòng)態(tài)物場分布。特別值得一提的是體全息成像系統(tǒng)還可以獲取光譜信息,即它能夠?qū)⑽矬w不同顏色的部分像彩虹一樣分開,因而還可以在像面不同位置處分別獲取待測物體的光譜信息。
課程從PIN結(jié)物理原理切入,講解其在載流子注入效應(yīng)下的折射吸收系數(shù)變化機(jī)制。學(xué)員將學(xué)習(xí)利用Lumerical Multiphysics(多物理場求解器)構(gòu)建完整的PIN結(jié)模型,設(shè)置摻雜濃度、電極位置及偏壓條件,求解得到穩(wěn)態(tài)載流子分布和I-V特性。 在此基礎(chǔ)上,課程將演示光學(xué)與電學(xué)仿真協(xié)同。
該材料基于尖端的納米結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與精密制備工藝,實(shí)現(xiàn)了對可見光波段(380-780nm)高達(dá)99.5%以上的極致吸收率,其表面反射率低于0.5%,創(chuàng)造了前所未有的“視覺黑洞”效果與光學(xué)性能。 技術(shù)優(yōu)勢: 極致黑度與低反射: 采用獨(dú)特的納米級孔隙與吸光結(jié)構(gòu),能有效捕獲并耗散入射光線,將漫反射和鏡面反射降至極低水平,是目前已知最黑的人工材料之一。
</li><li class="ql-align-justify"><strong>節(jié)能建材與新能源</strong>:精確評估建筑保溫材料、太陽能吸收涂層的發(fā)射,直接關(guān)系到建筑的節(jié)能效率與光伏產(chǎn)品的能量轉(zhuǎn)換效率。
2) 調(diào)制過程: 施加反向偏置電壓→PN結(jié)空間電荷區(qū)變寬→耗盡區(qū)內(nèi)載流子濃度減小→波導(dǎo)折射吸收系數(shù)改變→實(shí)現(xiàn)電光調(diào)制。 3) 電極結(jié)構(gòu): 為獲得足夠的調(diào)制深度,采用載流子耗盡型的調(diào)制器長度較長,通常為幾個(gè)毫米,因此需要采用行波電極來驅(qū)動(dòng)。
因此外部調(diào)制器件也可分為電吸收型和折射改變型,根據(jù)能量形式的不同,折射率改變型又可分為:電光調(diào)制、熱光調(diào)制、聲光調(diào)制以及磁光調(diào)制。
Macleod:吸收工具5個(gè)月前
因此我們寫了一個(gè)光學(xué)薄膜 一個(gè)膜系的吸收率是一個(gè)可以計(jì)算的參數(shù),它能與反射率和透射率一起作為二維和三維圖的可選參數(shù)列出。此外,還有兩個(gè)工具可以處理吸收率,它們隱藏在設(shè)計(jì)分析部分,即Absorptance Rate和Total Absorptance。