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入射光的電場並非用單一個點來描述，相對的，我們會假設該電場比多重光束干涉發生的區域更大許多。在Zemax OpticStudio中，我們使用field係數來表示這個結果，這些係數已經被薄膜膜層的程式驗證過許多次。薄膜理論的慣例是計算平面法向量方向上的相位變化，這表示其假設了一個虛擬的平面波從薄膜最外層一路傳播到基板。

這些模態的電場分佈可以寫成 Ince 多項式。 Miguel A. Bandres 和 Julio C.

關於 Jones Matrix在下列的式子中，我們用向量E來表示電場的振幅和偏振態。此外，E具有{Ex, Ey, Ez}三個複數型式的分量。而傳播向量k的三個分量{l, m, n}則是電磁波在x, y, z方向上的Cosine分量。為了使下方的式子成立，E和k必須互相垂直。將E和k分別以分量的形式帶入，我們可以得到下方的結果。

透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。注意，在這個理論中，能量被假設為只在入射波、零階（直射波）和一階繞射波之間交換。若要消除這個限制，需要嚴格耦合波分析理論。對於TM(橫向磁場)極化，我們可以簡單地將κ替換為κTM，如下所示，仍然使用前面的公式。

發光器件通常為發光二極體，受光器件通常在低階產品為光二級管/光三級管/光晶閘管，高階產品為光耦合積體電路。

將超穎透鏡之後的電場輸出導出為ZBF檔，然後將其進一步導入OpticStudio POP中以評估最終的PSF。但是，當超穎透鏡置於透鏡之間並且入射光束不是平面波前時，設計人員可以使用POP中的平面波開始模擬。光束在POP中傳播到超穎透鏡的前端，並作為ZBF檔導出。然後將ZBF作為光源導入FDTD，並透過超穎透鏡進行傳播。其餘過程與前面討論的相同。

智能終端產品由于其結構的緊湊性、器件的密集度、開發節奏的快速，對仿真技術挑戰很大，需要建立并持續提升相對應的仿真和實驗體系，才能實現智能終端產品的高性能與高可靠性。嘉賓簡介：小米集團仿真部總經理。曾經擔任華為終端仿真首席專家和負責人、美國阿美德格工業工程總監、美國霍尼韋爾運輸系統事業部核心技術部經理和航空航天事業部產品經理，美國安捷倫科技機械工程師。