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發光器件通常為發光二極體，受光器件通常在低階產品為光二級管/光三級管/光晶閘管，高階產品為光耦合積體電路。

透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。注意，在這個理論中，能量被假設為只在入射波、零階（直射波）和一階繞射波之間交換。若要消除這個限制，需要嚴格耦合波分析理論。對於TM(橫向磁場)極化，我們可以簡單地將κ替換為κTM，如下所示，仍然使用前面的公式。

智能終端產品由于其結構的緊湊性、器件的密集度、開發節奏的快速，對仿真技術挑戰很大，需要建立并持續提升相對應的仿真和實驗體系，才能實現智能終端產品的高性能與高可靠性。嘉賓簡介：小米集團仿真部總經理。曾經擔任華為終端仿真首席專家和負責人、美國阿美德格工業工程總監、美國霍尼韋爾運輸系統事業部核心技術部經理和航空航天事業部產品經理，美國安捷倫科技機械工程師。