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紫外線殺菌器殺菌原理是利用紫外線燈管輻照強(qiáng)度，即紫外線殺菌燈所發(fā)出之輻照強(qiáng)度，與被照消毒物的距離成反比。當(dāng)輻照強(qiáng)度一定時(shí)，被照消毒物停留時(shí)間愈久，離殺菌燈管愈近，其殺菌效果愈好，反之愈差。

此外，超高功率的極紫外激光光源在工作時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量熱量，為了維持光源穩(wěn)定，也需要優(yōu)秀且完備的冷卻、散熱系統(tǒng)來保證設(shè)備正常工作。為了維持光線在光刻機(jī)內(nèi)的留存率，光刻機(jī)內(nèi)需要保持真空狀態(tài)，來避免本就“脆弱”的極紫外光線被空氣吸收。據(jù)悉，目前臺(tái)積電擁有80 臺(tái)EUV 設(shè)備，且正在安裝更新下一代。照此估算，臺(tái)積電一年僅這80臺(tái)EUV光刻機(jī)的耗電量將高達(dá)8億千瓦時(shí)。

不具名的業(yè)者透露，一線大廠具有相對(duì)談判籌碼，取得機(jī)臺(tái)腳步會(huì)比較順?biāo)欤坏行⌒蛷S商相對(duì)就必須「照規(guī)矩來」，只能按照設(shè)備商給予的交期乖乖排隊(duì)。 關(guān)于先進(jìn)制程所需的極紫外光（EUV）機(jī)臺(tái)設(shè)備，臺(tái)積電并沒有對(duì)外揭露累計(jì)采購(gòu)數(shù)量。據(jù)了解，目前臺(tái)積電部分7納米制程與5納米制程均使用EUV設(shè)備，未來量產(chǎn)的3納米制程也會(huì)采用。

李云輝等以二苯甲酮(PI)為光引發(fā)劑在紫外光照射下實(shí)現(xiàn)了硅橡膠的交聯(lián)，結(jié)果表明：適量的光引發(fā)劑和照射時(shí)間可提高硅橡膠的交聯(lián)密度；但當(dāng)PI過量時(shí)，硅橡膠的交聯(lián)密度反而下降。這是因?yàn)檫^多殘余引發(fā)劑可與硅橡膠大分子鏈自由基活性中心相結(jié)合，從而阻礙交聯(lián)反應(yīng)的進(jìn)行。

另外，依托早期半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，中國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域初步積累了人才基礎(chǔ)，三安光電、國(guó)星光電、乾照光電等半導(dǎo)體照明龍頭企業(yè)都為第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要參與者。