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石化和其他行業使用風扇通風和處理 500°C 以上的有害氯化物氣體。這些風扇的最大運行速度受行業標準約束，并且通常受到限制。這種限制迫使風扇制造商調整葉輪直徑以獲得所需的壓力輸出。工程師必須避免最終的設計尺寸過大、笨重且制造、測試和運輸成本高昂。

如下圖所示，高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，溫度維持在大約1400℃，爐中的空氣通常是惰性氣體，使多晶硅熔化，同時又不會產生不需要的化學反應。為了形成單晶硅，還需要控制晶體的方向：坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉，把一顆籽晶浸入其中，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉，同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。

相應的C-4碘化物6和氯化物7均可以實現脫鹵過程。此外，富電子芳基鹵化物（8-10）也具有良好的兼容性，分別以良好的產率得到產物18。值得注意的是，此策略并不僅僅局限于有機鹵化物的活化，當作者使用C-4硫化物11、C-4硒化物12、C-4黃原酸酯13、C-4醇衍生物14和15均可以以中等到良好的產率得到產物17。

現行最佳方式是在機上安裝傳感器，即時探測并回報機上發生的疲勞與腐蝕損傷，老飛機的結構安全將更有保障。

減壓蠟油原料經加熱后進入第一反應器，發生加氫脫硫、脫氮、芳烴飽和等反應，之后一反流出物直接進入第二反應器，進一步發生脫硫、脫氮、芳烴飽和反應，以及開環、裂化及異構化反應。反應產物經氣液分離，分出富氫氣體，液體產物再經分餾，得到不同產品。

目前國內應用較多的有氧化溝、SBR和生物接觸氧化法，應用較少的是射流曝氣法、間歇式生物膜反應器(SBBR)、流化床和升流式厭氧污泥床(UASB)。

原料和氫氣受熱后進入第一反應器（段），主要發生加氫脫硫、脫氮、芳烴飽和等反應。一反流出物直接進入第二反應器（段），主要發生正構烷烴異構化、環烷烴開環等反應。

由于時鐘信號在數字芯片起到全局指揮的作用，對稱式的連到各個寄存器單元，從而使時鐘從同一個時鐘源到達各個寄存器時，時鐘延遲差異最小，因此往往需要單獨布線。 時鐘布線之后進行普通信號布線，包括各種標準單元（基本邏輯門電路）之間的走線；提取寄生參數，進行再次的分析驗證信號完整性問題；最后，就是各種驗證，并生成用于芯片生產的GDS版圖。