1.提純：沙子/石英經(jīng)過脫氧提純以后的得到含硅量25％的二氧化硅，再經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并蒸餾后，得到純度高達(dá)99%以上的晶體硅。

2.晶棒制造：晶體硅經(jīng)過高溫熔化，采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方法，經(jīng)過頸部成長(zhǎng)、晶冠成長(zhǎng)、晶體成長(zhǎng)、尾部成長(zhǎng)，得到一根完整的晶棒。

3.切片：將晶棒橫向，采用環(huán)狀、其內(nèi)徑邊緣鑲嵌有鉆石顆粒的薄片鋸片切成厚度基本一致的晶圓片。

4.打磨拋光：對(duì)晶圓外觀進(jìn)行打磨拋光，去掉切割時(shí)在晶圓表面產(chǎn)生的鋸痕和破損，使晶片表面達(dá)到所要求的光潔度。

5.氧化：其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，一是可做后期工藝的輔助層，二是協(xié)助隔離電學(xué)器件，防止短路。

6.光刻和刻蝕：在氧化后的晶圓表面旋涂一層光刻膠，隨后對(duì)其進(jìn)行曝光，再通過顯影把電路圖顯現(xiàn)出來。再用化學(xué)反應(yīng)或用等離子體轟擊晶圓表面，實(shí)現(xiàn)電路圖形的轉(zhuǎn)移。

7.離子注入、退火：把雜質(zhì)離子轟入半導(dǎo)體晶格，再將離子注入后的半導(dǎo)體放在一定溫度下加熱，從而激活半導(dǎo)體材料的不同電學(xué)性能。

8.氣相沉積、電鍍：氣相沉積用于形成各種金屬層以及絕緣層，電鍍專用于生長(zhǎng)銅連線金屬層。

9.化學(xué)機(jī)械研磨：用化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨相結(jié)合的方式進(jìn)行磨拋。

10.最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。

11.晶圓針測(cè)工序：用針測(cè)儀對(duì)每個(gè)晶粒檢測(cè)其電氣特性，舍棄不合格晶粒。

1.背面減薄：對(duì)晶圓進(jìn)行背面減薄，達(dá)到封裝需要的厚度。

2.晶圓切割：將晶圓切割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立的Dice，再對(duì)Dice進(jìn)行清洗。

3.光檢查：檢查是否出現(xiàn)廢品。

4.芯片粘接：芯片粘接，銀漿固化（防止氧化），引線焊接。

5.注塑：防止外部沖擊，用EMC（塑封料）把產(chǎn)品封裝起來，同時(shí)加熱硬化。

6.激光打字：在產(chǎn)品上刻上生產(chǎn)日期、批次等內(nèi)容。

7.高溫固化：保護(hù)IC內(nèi)部結(jié)構(gòu)，消除內(nèi)部應(yīng)力。

8.去溢料：修剪邊角。

9.電鍍：提高導(dǎo)電性能，增強(qiáng)可焊接性。

10.切片成型檢查廢品。

11.芯片測(cè)試：分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，一般測(cè)試是測(cè)試芯片的電氣特性，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是有針對(duì)性的專門測(cè)試，看是否能滿足客戶的特殊需求。

12.測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。