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(a) 兩到建構光束折射到全像材料中 (b) 重建光束折射到體積全像中現在，我們考慮在全像中，由正弦調變來表示折射率n和α，如方程式（3）。其中n0為平均折射率，n1為折射率的振幅調製，K為光柵向量。透射和反射全像的繞射波和穿透波的TE(橫向電場)的偏振電場可以用以下4個公式計算。注意，在這個理論中，能量被假設為只在入射波、零階（直射波）和一階繞射波之間交換。

</p><p>&nbsp;</p><p>QQ::</p><p>負體積是由於element本身產生大變形造成自我體積的內面跑到外面接著被判讀為負體積，</p><p>控制使element不出現不合理變形的方法就如同dragonwen與ayke所說的幾點，注意使Hourglassing情形減少，有以下幾個方法可以試看看</p><p>1.避免單點loading=&amp;gt;不要將force施在單一node

什麼是Field以及Ray係數常常使用者在這個主題上會有一些混亂，因為薄膜理論以及相關的設計軟體程式，通常以不同的觀點來處理這個問題，而這個觀點與光線追跡的程式有很大的不同。在薄膜光學中，我們通常處理光的場 (field)，一般來說即是所謂的平面波。然而，光線的處理方式在本質上有很大不同，光線是局部的、無限小的且帶有能量的一點，擁有位置以及傳播方向等資訊。光線所看到的世界與薄膜的世界是不同的。

800 nm範圍內的光將用於避免組織中的高吸收，這會限制穿透。光源規格OCT將干涉測量技術與寬帶近紅外光結合使用。 較寬的帶寬可提供最佳分辨率，而波長選擇可確定樣品材料中的穿透深度。

納米片最受關注的特點，就是其四面環繞的閘極架構，藉此可以大幅提升對通道的靜電控制能力，但叉型片卻似退了一步，改成三面閘極架構。盡管如此，imec在上述實驗中將納米片與叉型片共同整合在同片晶圓上，結果發現，叉型片在閘極長度為20nm的情況下，展現了可與納米片媲美的短通道控制能力（SS SAT＝66-68mV）。