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本文簡(jiǎn)要回顧了反激式電源中磁干擾背后的物理學(xué)原理，并介紹了一種抗磁干擾的雙路輸出隔離反激式電源設(shè)計(jì)。最后討論了抗磁干擾電源與傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的電源之間的測(cè)試和性能比較。

舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于一個(gè)使用硅MOSFET的65W反激式適配器，其效率曲線在10%負(fù)載下處于約85%的范圍內(nèi)，在滿載時(shí)將達(dá)到90%以上（見(jiàn)圖4）。而一個(gè)使用Power Integrations (PI)公司基于氮化鎵的InnoSwitch?器件的65W反激式適配器，其效率在10%負(fù)載下將約為88%。在滿載時(shí)，這款氮化鎵設(shè)計(jì)的效率將達(dá)到約94%。

1 反激式電源中的鐵氧體磁放大器 對(duì)于兩個(gè)輸出端都提供實(shí)際功率(5V 2A 和 12V 3A，兩者都可實(shí)現(xiàn)± 5%調(diào)節(jié))的雙路輸出反激式電源來(lái)說(shuō)，當(dāng)電壓達(dá)到 12V 時(shí)會(huì)進(jìn)入零負(fù)載狀態(tài)

1 反激式電源中的鐵氧體磁放大器 對(duì)于兩個(gè)輸出端都提供實(shí)際功率(5V 2A 和 12V 3A，兩者都可實(shí)現(xiàn)± 5%調(diào)節(jié))的雙路輸出反激式電源來(lái)說(shuō)，當(dāng)電壓達(dá)到 12V 時(shí)會(huì)進(jìn)入零負(fù)載狀態(tài)

常見(jiàn)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括Buck降壓、Boost升壓、Buck-Boost降壓-升壓、Flyback反激、Forward正激、Two-Transistor Forward雙晶體管正激等。常見(jiàn)的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)一、基本的脈沖寬度調(diào)制波形這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都與開(kāi)關(guān)式電路有關(guān)。

一反激式電源中的鐵氧體磁放大器對(duì)于兩個(gè)輸出端都提供實(shí)際功率(5V 2A和12V 3A），兩者都可實(shí)現(xiàn)± 5%調(diào)節(jié))的雙路輸出反激式電源來(lái)說(shuō)，當(dāng)電壓達(dá)到12V時(shí)會(huì)進(jìn)入零負(fù)載狀態(tài)，而無(wú)法在5%限度內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)。線性穩(wěn)壓器是一個(gè)可實(shí)行的解決方案，但由于價(jià)格昂貴且會(huì)降低效率，仍不是理想的解決方案。我們建議的解決方案是在12V輸出端使用一個(gè)磁放大器，即便是反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)也可使用。

▲圖1 過(guò)電流保護(hù)特性 用于變壓器初級(jí)直接驅(qū)動(dòng)電路中的限流電路 在變壓器初級(jí)直接驅(qū)動(dòng)的電路（如單端正激式變換器或反激式變換器）的設(shè)計(jì)中，實(shí)現(xiàn)限流是比較容易的。

負(fù)折射 是將光彎向“錯(cuò)誤”方向的一種反直覺(jué)的物理現(xiàn)象，最早由俄國(guó)物理學(xué)家Veselago提出，即當(dāng)光波跨過(guò)界面時(shí)，光波的折射與常規(guī)折射相反，折射波和入射波位于界面法線同一側(cè)。上世紀(jì)末，英國(guó)物理學(xué)家J.Pendry利用超材料首次在實(shí)驗(yàn)上實(shí)現(xiàn)了負(fù)折射現(xiàn)象。近幾十年來(lái)，科學(xué)家利用超材料中的負(fù)折射效應(yīng)在亞波長(zhǎng)成像和隱身等方面取得了重要進(jìn)展。

三、反激式典型應(yīng)用拓?fù)鋱D現(xiàn)有消費(fèi)市場(chǎng)的適配器都是采用反激式結(jié)構(gòu)為主，反激電路元器件少，電路簡(jiǎn)單、成本低、體積小，可同時(shí)輸出多路互相隔離的電路。 產(chǎn)品特點(diǎn)： 新型的橫向變摻雜技術(shù)； 專有的功率MOS結(jié)構(gòu)； 高溫特性優(yōu)良； 對(duì)標(biāo)國(guó)內(nèi)四大MOS品牌系列產(chǎn)品； 器件參數(shù)一致性較好。

三、典型應(yīng)用拓?fù)鋱D 輔助電源一般會(huì)選用單開(kāi)關(guān)反激式拓?fù)洌航Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、元件數(shù)量少、成本低；但單開(kāi)關(guān)反激式轉(zhuǎn)換器中的電源開(kāi)關(guān)MOS管在關(guān)斷時(shí)，MOS管會(huì)承受兩倍于輸入電壓的應(yīng)力，因此該類拓?fù)鋺?yīng)用中我們推薦超高電壓的MOS管，以應(yīng)對(duì)電壓變化帶來(lái)的沖擊。

真正的 Apple 充電器里面是非常復(fù)雜的電路，而這款充電器的板子密度相當(dāng)?shù)停褪且粋€(gè)簡(jiǎn)單的反激式開(kāi)關(guān)電源。 圖|取下外殼和散熱器的假冒 MagSafe 充電器 該電路是一個(gè)相當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)的反激電源。要了解它是如何工作的，請(qǐng)查看下圖，從右側(cè)的交流輸入逆時(shí)針?lè)较颉ｋ娫赐ㄟ^(guò)保險(xiǎn)絲后，由橋式整流器轉(zhuǎn)換為直流電。大濾波電容器平滑直流。

由于材料的折射率與其介電常數(shù)有關(guān)，而介電常數(shù)反過(guò)來(lái)又會(huì)影響其電磁傳播長(zhǎng)度，因此負(fù)折射率超材料提供了可調(diào)的光學(xué)屬性，超越了傳統(tǒng)透鏡、反射鏡和光學(xué)設(shè)備的能力。漸變折射率表面等離子體光子學(xué)超材料此外，表面等離子體光子學(xué)超材料也可以經(jīng)過(guò)配置，以沿著其長(zhǎng)度或表面顯示不同的折射率。例如，可以通過(guò)使用電子束光刻將PMMA等合成聚合物沉積到金納米表面來(lái)制造這些材料。

常見(jiàn)的表面等離子體光波導(dǎo)類型包括金屬-絕緣體-金屬（MIM）、絕緣體-金屬-絕緣體（IMI）、通道等離子體激元（CPP）和間隙等離子體激元（GPP）波導(dǎo)。什么是表面等離子體光子學(xué)超材料？超材料（metamaterial）是一種呈現(xiàn)出天然材料所不具備的超常物理性質(zhì)的復(fù)合材料。

· 要了解有關(guān) 48V 隔離要求和設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)的更多信息，請(qǐng)參閱應(yīng)用手冊(cè)，“適用于 mHEV 應(yīng)用的 PSR 反激式直流/直流轉(zhuǎn)換器變壓器設(shè)計(jì)”。· 如需有關(guān) MHEV 隔離式拓?fù)溥x擇的更多信息，請(qǐng)閱讀模擬設(shè)計(jì)期刊文章，“為何在雙電池 mHEV 系統(tǒng)中使用 PSR 反激式隔離轉(zhuǎn)換器”。

▲立式旋風(fēng)式水膜除塵器 ▲臥式旋風(fēng)式水膜除塵器 3、自激式濕式除塵器 自激式濕式除塵器，如沖激式除塵器、水浴式除塵器。 ▲自激式濕式除塵器 4、填料式濕式除塵器 填料式濕式除塵器，如填料塔、湍球塔。

首先可以看到外殼內(nèi)部有專門的石墨導(dǎo)熱貼，有利于充電器的快速散熱；其次，內(nèi)部PCBA板布局非常緊湊，器件密密麻麻，采用的了PFC+準(zhǔn)諧振反激式的電源架構(gòu)，來(lái)具體看下涉及到了哪些廠商的器件。 從輸入端開(kāi)始，有壓敏電阻，用于輸入過(guò)壓保護(hù)；有輸入端保險(xiǎn)絲，采用熱縮管包裹絕緣；有NTC浪涌抑制電阻，用于減小接入電源的浪涌電流。

根據(jù)變壓器的激勵(lì)和輸出電壓的相位，又可以分成：正激式、反激式、單激式和雙激式等多種。

；13、二硫化鉬的拉曼散射;14、磁化的等離子體、各向異性的液晶、手性介質(zhì)的仿真；15、光學(xué)系統(tǒng)的連續(xù)譜束縛態(tài)；16、片上微納結(jié)構(gòu)拓?fù)鋬?yōu)化設(shè)計(jì)(特殊情況下，如何利用二維系統(tǒng)來(lái)有效的優(yōu)化三維問(wèn)題)：反設(shè)計(jì)片上透鏡，偏振分束器；17、形狀優(yōu)化反設(shè)計(jì)：利用形狀優(yōu)化設(shè)計(jì)波導(dǎo)帶通濾波器；18、非厄米光學(xué)系統(tǒng)的奇異點(diǎn)：包括 PT 對(duì)稱波導(dǎo)結(jié)構(gòu)和光子晶體板系統(tǒng)等；19、微納結(jié)構(gòu)的非線性增強(qiáng)效應(yīng)，以及共振模式的多極展開(kāi)分析

2、反激式整流電路： T1為開(kāi)關(guān)變壓器，其初極和次極的相位相反。D1為整流二極管，R1、C1為削尖峰電路。L1為續(xù)流電感，R2為假負(fù)載，C4、L2、C5組成π型濾波器。 3、同步整流電路： 工作原理：當(dāng)變壓器次級(jí)上端為正時(shí)，電流經(jīng) C2、R5、R6、R7使Q2導(dǎo)通，電路構(gòu)成回路，Q2 為整流管。Q1柵極由于處于反偏而截止。

對(duì)于快速變化的光功率，這可以激發(fā)晶格振動(dòng)，反過(guò)來(lái)也會(huì)影響光的傳播。這導(dǎo)致受激拉曼散射和布里淵散射，這將在下面討論。布里淵散射布里淵散射 ( SBS ) 與聲學(xué)聲子（在千兆赫范圍內(nèi)）有關(guān)。事實(shí)證明，這種相互作用通常要求相位匹配，這樣它才能耦合兩個(gè)反向傳播的光波。能量守恒要求光頻隨聲頻變化而變化。