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它在局部坐標系和全局坐標系下分別構建理論框架，局部坐標系以單個圖形單元為原點，可簡化局部光場計算，實現單個圖形 CD 均勻性與邊緣精度的精細優化；全局坐標系以整個曝光視場為基準，能分析全視場偏振像差的空間分布差異，實現全視場二維圖形成像均勻性的全局優化。三維嚴格矢量光刻成像模型主要針對3D集成電路（如3DNAND、3DIC堆疊）的三維圖形，需解決立體結構對光場傳播與偏振態的調制問題。

UNAP已實現PCG、PBiCGStab、GMRES等Krylov子空間方法以及AMG代數多重網格求解器，預處理器包含Jacobi、DIC、DILU等，未來還將開發直接求解模塊，以滿足來自各領域的復雜應用需求。

本文采用的方案可以準確地建模現實的散熱環境，并為復雜的3DIC系統生成熱邊界條件；同時考慮到芯片之間的熱積累和熱耦合等多種因素，不同的層和位置會生成不同的溫度（Tj）。以芯片為中心的熱分析所產生的真實空間溫度分布場景可以替代傳統EM分析中的均一全局溫度設置。通過thermal-aware EM分析，可以避免設計過度和設計不足。仿真結果可為系統的散熱設計提供指導。