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然而，為了準確地說明體積全像的特性，除了考慮繞射光線的傳播方向外，還必須考慮繞射效率、材料收縮或折射率變化等因素。考慮繞射效率使用戶能夠進行圖像模擬和綜合優化等高級分析。表面反射光柵與體積全像光柵的比較在介紹這個模型之前，我們先簡單解釋一下表面反射光柵（SRG）和體積全像光柵（VHG）的區別。

對于Essential Macleod中的所有計算，基本分量是線偏振平面波（或單色光）。 當我們討論偏振時，我們經常提到線偏振或平面偏振、圓偏振和橢圓偏振。在計算中，所有這些偏振被表示為兩個正交線偏振的組合，其可以單獨計算并且在透射或反射中的取向不變。它們有時被稱為偏振的本征模式，這在斜入射時尤為重要。光學薄膜的作用是改變每種組分的振幅和相位。膜層的性能量化了這些變化。

下圖顯示了S偏振光照明下不同Z切片(圖像平面沿Z方向位移)的圖像。下圖顯示了S偏光照明下不同z-切片(圖像平面沿z-方向位移)的圖像。十字經過光學系統后的相干像(斜入射的s偏振入射平面波)十字經過光學系統后的相干像(斜入射的p偏振入射平面波)

十字經過光學系統后的相干像(斜入射的s偏振入射平面波) 十字經過光學系統后的相干像(斜入射的p偏振入射平面波)

它們有時被稱為偏振的本征模式，這在斜入射時尤為重要。光學薄膜的作用是改變每種組分的振幅和相位。膜層的性能量化了這些變化。 讓我們將討論局限于完全各向同性的材料。所涉及的過程是線性的，允許我們將任何問題分解為一系列可以單獨遵循的簡單分量。對于Essential Macleod中的所有計算，基本分量是線偏振平面波（或單色光）。

分析3：斜入射 本分析將研究涉及用非正入射光照射納米線柵偏振器，在45度入射角下仿真具有50%占空比結構（550nm波長，140nm光柵常數）的透射率，并生成場振幅和相位圖。

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分析3：斜入射 本分析將研究涉及用非正入射光照射納米線柵偏振器，在45度入射角下仿真具有50%占空比結構（550nm波長，140nm光柵常數）的透射率，并生成場振幅和相位圖。

Moldex3D光學分析支持預測多材質射出A-B層在成型過程產生的流動殘留應力與熱殘留應力，并提供最終產品的條紋級數與光彈條紋，利用Moldex3D進行多材質射出的光學分析。

（圖３至圖７之相關圖例，請參下頁）圖3：分別為射出成型（左）與射出模內壓縮（右）之體積收縮率剖面與統計圖圖4：射出成型之總和光程差 圖5：射出模內壓縮之總和光程差 圖6：射出成型之總和光彈條紋圖7：射出模內壓縮之總和光彈條紋 未經同意，請勿轉載

分層射出是光學產品極端設計的解決方案之一，透過將極端產品設計分解成堆棧的A-B層依序成型，改善高肉厚帶來的成型挑戰。Moldex3D光學分析支持預測多材質射出A-B層在成型過程產生的流動殘留應力與熱殘留應力，并提供最終產品的條紋級數與光彈條紋。

光柵被斜入射S和P偏振平面波照亮。JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度S偏振光照明的近場強度P偏振光照明的近場強度后處理傅里葉變換計算散射場在上半空間的傅里葉變換。在實驗中，遠場通常由成像的光學裝置來收集。后處理光學成像允許描述一個通用光學成像系統。

Moldex3D光學分析支持預測多材質射出A-B層在成型過程產生的流動殘留應力與熱殘留應力，并提供最終產品的條紋級數與光彈條紋，利用Moldex3D進行多材質射出的光學分析。

程序適用于二維多土層粘彈性邊界和地震波等效節點力的加載；可以實現P波和SV波的斜入射。程序用MATLAB編寫注意:本程序用MATLAB編寫；本程序僅限于模型網格是規則的，請參考圖片；由于本物品并非實體，因此賣出概不退換，因此購買前請詢問清楚。

光柵被斜入射S和P偏振平面波照亮。JCMsuite計算近場分布。下圖顯示了當波長為193nm時，平面波從襯底側垂直入射到結構內的近場強度S偏振光照明的近場強度P偏振光照明的近場強度后處理傅里葉變換計算散射場在上半空間的傅里葉變換。 在實驗中，遠場通常由成像的光學裝置來收集。后處理光學成像允許描述一個通用光學成像系統。