它在局部坐標(biāo)系和全局坐標(biāo)系下分別構(gòu)建理論框架,局部坐標(biāo)系以單個圖形單元為原點,可簡化局部光場計算,實現(xiàn)單個圖形 CD 均勻性與邊緣精度的精細優(yōu)化;全局坐標(biāo)系以整個曝光視場為基準,能分析全視場偏振像差的空間分布差異,實現(xiàn)全視場二維圖形成像均勻性的全局優(yōu)化。三維嚴格矢量光刻成像模型主要針對3D集成電路(如3DNAND、3DIC堆疊)的三維圖形,需解決立體結(jié)構(gòu)對光場傳播與偏振態(tài)的調(diào)制問題。