Ansys Zemax光學設計軟件技術教程：眼科鏡片設計 
本文不包括漸進式鏡片設計，儘管漸進式鏡片時常根據一般的鏡片曲率原則進行設計，但這些基礎的原則多以消除近視為目的，無法為特殊用途的鏡片設計提供太多的幫助。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
ZEMAX軟件技術應用專題：如何在OpticStudio中設計DOE透鏡或超穎透鏡 
或者，參考文獻[3]顯示了如何使用Lumerical FDTD軟體為給定的相位曲線設計超穎透鏡。這種方法的缺點是設計人員可能無法檢查整個系統的性能。例如，沒有辦法考慮所有繞射階數來檢查點擴展函數（PSF）。類似地，儘管可以追蹤“非有效”的順序光線，但沒有計算出繞射效率，因此沒有辦法知道雜散光路中的功率比。
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w**elab86_Swsp ??? 3年前
Abaqus線性動力&噪音分析詳解(理論及實作) 
課程介紹：線性動力及噪音都是工程上必須面對的問題，無論是高科技、電子產業到土木工程、機械、航空領域，學習振動知識能幫助我們有效解決工程上的問題。本課程從基礎理論出發，介紹振動與噪音的基本理論架構，配合實作練習帶領同學一步一步掌握分析要點，適合各相關領域學習(土木、機械、航空等...)
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鄭鈞 Adam ??? 6年前
Ansys拓撲優化系列 
初始參數，其他邊界條件，多載荷情況，結構中有一個管洞。
5.在Ansys軟件優化分析設置中，可施加制造約束和設計約束，以獲得更符合工程實際的優化結果。討論幾種常見的制造約束。
6.1.光順化后的體結構導出，另存為我們熟悉的中間格式，如.x_t，STL，stp等。
6.2.添加制造約束的拓撲優化結果驗證。
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言之同 ??? 11月前
如何在熱交換器中同時使用流動仿真和熱分析 
步驟1： 通過此圖形創建簡化熱交換器 步驟2： 在 SW 中，您可以獲得 model。
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仿真資料吧 ??? 1年前
3萬毫安時22.5W，大容量數顯充電寶拆解分析 
最后就剩一些MOS管，采用的是【8205A】雙MOS管芯片了。 5.總結 其實結果有點出乎意料，容量確實足，充手機滿電充了好幾次，虛標很少。
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電子工程世界EEWorld ??? 4年前
石墨烯基導熱薄膜的研究進展 
關鍵詞：還原氧化石墨烯；石墨烯；導熱片；缺陷；熱導率 隨著 5G 時代的到來，晶體管尺寸一直呈指數級縮小，芯片制造商也不斷在增加晶體管數量以實現更高的組件密度和時鐘頻率。
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熱管理博覽會 ??? 2年前
研華如何利用Raise3D打印機實現工裝治具的小批量柔性化生產？ 
“我們的設備安裝在工廠工程師的工作室，操作簡單，工程師會用UG，SW軟件，所以很快就可以上手操作。原來我們用CNC外發需要兩周時間，但在使用Raise3D Pro2 Plus后，我們的生產速度提高了很多，大一點的件20個小時就可以制造出來，表面也不用任何處理，就已經很夠用了?！?/div>
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Raise3D復志科技 ??? 2年前
一文教您識別化工工藝流程圖 
生活用水火炬排放燃料氣燃料油熔鹽填料油熱載體熱水（回）熱水（供）高壓蒸汽儀表空氣 LOLSMSNGNOPSPAPGPLPW 潤滑油低壓蒸汽中壓蒸汽天然氣氮氧工藝固體工藝空氣工藝氣體工藝液體工藝水 RRORWSLSCSOSW
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材料科學與工程技術 ??? 4年前
化工工藝流程圖詳細說明 
生活用水火炬排放燃料氣燃料油熔鹽填料油熱載體熱水（回）熱水（供）高壓蒸汽儀表空氣 LOLSMSNGNOPSPAPGPLPW 潤滑油低壓蒸汽中壓蒸汽天然氣氮氧工藝固體工藝空氣工藝氣體工藝液體工藝水 RRORWSLSCSOSW
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化工交流 ??? 4年前
各類工業常用軟件，你知道的有多少
工程數據庫系統 8 I-Sketch ISO圖 9 Spoolgen 管道加工圖生成 容器專業和機械專業 序號 軟件名稱 主要功能 1 SW6
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機械加工網 ??? 4年前
各類工業常用軟件，你知道的有多少
工程數據庫系統 8 I-Sketch ISO圖 9 Spoolgen 管道加工圖生成 容器專業和機械專業 序號 軟件名稱 主要功能 1 SW6
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數控編程教學 ??? 4年前
CFD專欄丨Flow Simulator案例：航空發動機燃燒室一維仿真 
應用場景包括航空發動機、火箭推進、爆炸，激波管等。</p><p><br></p><p><strong>? CEA的主要特點：</strong></p><p><br></p><ul><li>化學平衡計算：能夠根據給定的初始條件計算出反應體系的化學平衡狀態。</li><li>熱力學性質：提供廣泛的化學物質的熱力學數據，包括但不限于熵、焓、自由能等。
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ALTAIR ??? 1年前
【熱點】純電動汽車800V是蛻變？還是嘩眾取寵？800V電驅動系統詳細解析！ 
逆變器總損耗 PL,PE,total 由導通損耗PL,cond和開關損耗 PL，SW 組成，開關損耗隨開關頻率線性增加。同時，該半導體的導通損耗不受開關頻率的影響。因此，逆變器總損耗預計會隨著開關頻率的增加而線性增加，與開關損耗的增加相同，見圖2。 上述分析基礎是一個 800 V 系統，逆變器中使用了 SiC MOSFET。
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木火柴 ??? 4年前
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