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對于簡單的問題，可以使用有限元方法進行單元節點的分解，并且會將這些節點所途經之地連接成子域。如果不同的單元之間都存在相似，需要有一個共同的求解結果，將復雜的問題簡單化。有限元分析方式主要根據結構力學，將復雜的物體進行分解為不同的數量單元，這些數量單元所經過的所有節點都可以將物體分解為有限單元，這種分解方式又稱為離散。

</p><p><strong>2、&nbsp;干式連接裝配式節點</strong></p><p>節點采用預應力筋、角鋼、阻尼器等，此類節點，建模方法有所不同。

Lam 的副總裁 David Fried 在一次演講中表明，干式（由小金屬有機單元組成）與濕式光刻膠相比，可以提供更高的分辨率、更寬的工藝窗口和更高的純度。對于相同的輻射劑量，干式光刻膠顯示出較少的線路塌陷，因此產生的缺陷較少。此外，使用干式光刻膠可將浪費和成本降低 5-10 倍，并將每個晶圓通過所需的功率降低 2 倍。

Lam 的副總裁 David Fried 在一次演講中表明，干式（由小金屬有機單元組成）與濕式光刻膠相比，可以提供更高的分辨率、更寬的工藝窗口和更高的純度。對于相同的輻射劑量，干式光刻膠顯示出較少的線路塌陷，因此產生的缺陷較少。此外，使用干式光刻膠可將浪費和成本降低 5-10 倍，并將每個晶圓通過所需的功率降低 2 倍。

JSR 解釋說：“將金屬氧化物 PR 用于 EUV，我們可以有效地圖案化先進的節點器件架構。Inpria 材料解決方案將降低 EUV 圖案化成本。”SK海力士表示，“EUV很復雜，需要先進的材料。氧化錫PR將為下一代DRAM提供性能和低成本。”此前，Lam Research 宣布將為 SK Hynix 提供干式 PR 底層和干式顯影工藝設備。

韓芳旭等［3］基于磁致伸縮力-熱應力比擬的數值計算方法建立電磁場數值模型，求解鐵心每個節點不同時刻的磁密值，加載試驗測得的硅鋼片磁致伸縮特性曲線，仿真得到鐵心每個時間步各個節點的磁致伸縮力，導入到結構場計算模型中求得鐵心本體的振動位移。

公司光刻膠技術研發始終堅持完全自主化路線 ，公司正在自主研發和產業化的ArF光刻膠 （包含干式及浸沒式） 可以達到90nm-14nm的集成電路工藝節點。2017及2018年，公司分別獲得國家02專項“高分辨率光刻膠與先進封裝光刻膠產品關鍵技術研發項目”和“ArF光刻膠產品的開發和產業化項目”的正式立項。

對于更詳細、更獨特的幾何結構變化，可以使用各種自動方法移動Mechanical中代表幾何結構的節點。使用具有皮米分辨率的專用預處理和晶圓級仿真方法，不僅有助于加速設計進程，而且還可確保設計準確，確保其具有所需的規范，從而可為其預期應用提供高性能MEMS器件。

發展路徑清晰：制程節點進化的需求是光刻膠行業發展的驅動因素，光刻膠和光刻機技術的相輔相成、兵合一處是制程得以進步、摩爾定律得以實現的關鍵。相應的，光刻膠的光化學反應與光刻機曝光波長的適配是提高光刻工藝分辨率的關鍵。