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馬赫-曾德爾型干涉儀1)結構概述：馬赫-曾德爾型調制器(Mach-Zehnder modulator, MZM)是利用相位調制實現強度調制的器件，廣泛應用于鈮酸鋰電光調制器、硅基電光調制器等各類調制器件與光開關器件。典型的MZM結構如下圖所示，分別由輸入波導、輸出波導、一個3 dB分束器、兩個調制臂和一個3 dB合束器組成，兩條調制臂通常為對稱結構、也有非對稱的情況。

體鈮酸鋰（LN）MZM作為商用長途光纖通信系統中電光調制器的主流選擇，其優勢源于Pockels效應賦予的固有線性電光特性、高光學透過率及長期可靠性。然而體材料的固有特性限制了器件尺寸微型化，進而阻礙電光帶寬提升。

接著，我們在FEEM中計算了擾動的LN波導的光學模式，以及TE基模的電壓相關相位調制性能，包括損耗和VπL。概述背景光收發器將電信號轉換為光信號。所有的計算都始于電子領域，然后通過將信號從電信號轉換為光信號，我們可以提升更多的通道，擁有更大的帶寬，這可以在長距離傳輸中顯著減小信號衰減。

電光調制器，一種通過外部手段改變材料折射率的光電子器件，常用于電信號與光信號轉換過程。現實當中電光調制器種類繁多，諸如鈮酸鋰基的電光調制器、硅基的電光調制器、基于等離子共振色散的電光調制器等等。然而，這些調制器原理不一樣，這造就了分析調制器的原理和方法不能放之四海而皆準，必然是針對具體問題要采用特定的方法和技巧。考慮到硅基電光調制器的成熟工藝，下文將展現仿真硅基電光調制的整個流程。

芯片級電光（EO）調制器將信號從電域轉換至光域，是現代PIC的關鍵構建模塊。迄今已提出多種集成平臺與解決方案以實現高性能芯片級電光調制器，涵蓋硅基、聚合物、磷化銦、等離子體及其他EO材料（氮化鋁、鈦酸鋇、碳化硅、鋯鈦酸鉛）。

定義光柵區域的調制函數 ? 打開光波導組件中區域的編輯對話框；光柵特性和查找表存儲在光柵區域中。? 編輯光柵參數調制功能，使其定義為可編程功能，光柵參數的預期線性調制由開始和結束位置的值定義（EPE 從左到右邊界，外耦合器從上到下）。

空間光調制器(SLM.0002 v1.1) 應用示例簡述 1. 系統細節? 光源— 高斯光束? 組件— 反射型空間光調制器組件及后續的2f系統? 探測器— 視覺感知的仿真— 電磁場分布? 建模/設計— 場追跡：? 一個SLM像素陣列處光傳播的仿真，仿真中包括了SLM像素間無功能間隔引起的衍射效應。

定義光柵區域的調制函數 ? 打開光波導組件中區域的編輯對話框；光柵特性和查找表存儲在光柵區域中。 ? 編輯光柵參數調制功能，使其定義為可編程功能，光柵參數的預期線性調制由開始和結束位置的值定義（EPE 從左到右邊界，外耦合器從上到下）。

大家好，今天我分享的案例模型是一種基于光耦合器的熱光調制光開關模型。是基于rsoft軟件中beam模塊耦合熱光調制物理場而展開模擬研究的。 圖1 熱光調制光開關基本幾何模型其中加熱電極為鋁電極，具體配置的材料參數圖示如下圖2所示： 圖2鋁電極材料設置參數其中參數WA,PxA均為參數變量，可自行設定控制波導所在位置。

根據可用的效率調制范圍選擇填充因子的初始范圍。更多信息可參見： 光柵分析和在光波導上的平滑調制光柵參數 初始系統的生成 ? 具有所謂光柵參數調制功能的光波導設置由足跡和光柵分析工具生成（包括光柵特性）。 ? Uniformity Detector 用于定義優化的評價函數。

根據可用的效率調制范圍選擇填充因子的初始范圍。更多信息可參見： 光柵分析和在光波導上的平滑調制光柵參數 初始系統的生成 ? 具有所謂光柵參數調制功能的光波導設置由足跡和光柵分析工具生成（包括光柵特性）。 ? Uniformity Detector 用于定義優化的評價函數。

更多信息可參見：光柵分析和在波導上的平滑調制光柵參數初始系統的生成? 具有所謂光柵參數調制功能的光波導設置由步跡和光柵分析工具生成（包括光柵特性）。? Uniformity Detector 用于定義優化的評價函數。定義光柵區域的調制函數? 打開光波導組件中區域的編輯對話框；光柵特性和查找表存儲在光柵區域中。

? 光波導上的光柵分析和平滑調制的光柵參數 [用例] ? AR/MR 應用波導的步跡分析 [用例] 光束步跡和光柵分析工具用于指定光柵參數變化的所需范圍，并針對特定條件（波長和方向）預先計算相應的瑞利系數。

對于在一個區域內引入調制光柵參數，不允許使用改變光路的參數（如周期等）。 7.查找表的計算在配置所需的光柵參數變化后，可以通過單擊計算查找表來計算生成的光柵特性并將其存儲在查找表中。 查找表是針對在足跡和光柵分析工具的第一步中確定的光柵參數和 FOV 模式的定義變化計算的。

對于在一個區域內引入調制光柵參數，不允許使用改變光路的參數（如周期等）。 7. 查找表的計算在配置所需的光柵參數變化后，可以通過單擊計算查找表來計算生成的光柵特性并將其存儲在查找表中。查找表是針對在足跡和光柵分析工具的第一步中確定的光柵參數和 FOV 模式的定義變化計算的。

光束整形＞衍射光學 任務/系統說明 亮點 ?使用空間光調制器（SLM）模擬光束整形?研究SLM像素間非功能性間距的影響 說明：光源 說明：SLM像素陣列 說明：傅立葉透鏡 說明：探測器 結果：3D系統視圖

因此圖2a所示結構既是一個電光式光開關，同時也是一個主動式任意分束比分束器。基于薄膜鈮酸鋰優異的電光性能，該器件的開關速度僅25.9ns（如圖2e所示），實現π相位調制的功耗僅35.8nJ。因此由其構建的焦平面陣列光束掃描芯片在速度和功耗等性能上相比現有熱光式焦平面陣列提升2個數量級。 圖2.

因此圖2a所示結構既是一個電光式光開關，同時也是一個主動式任意分束比分束器。基于薄膜鈮酸鋰優異的電光性能，該器件的開關速度僅25.9ns（如圖2e所示），實現π相位調制的功耗僅35.8nJ。因此由其構建的焦平面陣列光束掃描芯片在速度和功耗等性能上相比現有熱光式焦平面陣列提升2個數量級。 圖2.

上一期我們介紹了光學調制的基本概念并總結了電光調制中常用的物理效應，對于硅材料而言，主要的電光效應包括克爾效應、弗朗茲-－凱爾迪什（F-K）效應、量子限制斯塔克（QCSE）效應和等離子體色散（PD）效應等，但體硅材料中克爾效應和F-K效應都非常微弱，因此硅基高速電光調制一般都利用硅材料的等離子體色散效應來實現調制。