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通過電子束光刻（Vistec EBPG-5200+）和感應耦合等離子體干法刻蝕工藝，在光刻膠上形成波導、MMI和光柵耦合器圖案，并將其轉移至SiN層。隨后對SiN層進行300納米深度的刻蝕。去除殘留物后，通過電子束蒸發和剝離工藝沉積并制作350納米厚的分段慢波電極。我們展示了制備器件的光學顯微鏡照片和掃描電子顯微鏡（SEM）圖像（圖2a–c）。

干電極技術：干式電池電極（DBE）技術是制造大板高能量復合正極的常見選擇，因為它對 ASSLB 具有獨特的兼容性。與傳統濕法涂覆的 "粉末-漿料-薄膜 "加工路線相比，干法電池電極技術通過將活性材料、粘結劑和電子/離子導電劑進行均勻的機械干法混合以及后續的干法涂覆工藝，形成了更為簡潔的 "粉末-薄膜 "加工路線。因此，DBE 可以簡化生產工藝，消除有機溶劑造成的劣化影響。

TFT-LCD光刻膠用于加工液晶面板前段Array制程中的微細圖形電極；彩色光刻膠和黑色光刻膠用于制造LCD中的彩色濾光片；觸摸屏光刻膠用于制作觸摸電極。 伴隨顯示產業轉移，國內面板光刻膠市場規模快速擴張 。從2009年開始，面板產業鏈逐漸向中國轉移。

系列環境空氣自動監測系統是基于干法儀器的生產技術，利用定電位電解傳感器原理，結合國際上成熟的電子技術和網絡通訊技術研制、開發出來的新型科技產品。該系統符合國家對城市環境空氣自動監測系統的各項技術指標要求，國產化程度高，具有較強的實用性和理想的性能價格比，可替代同類進口產品，是開展城市環境空氣自動監測的理想儀。

省煤器管內壁的腐蝕主要是給水中溶解氧造成的氧腐蝕，這是一種復雜的電化學腐蝕，為鐵和氧形成兩個電極，組成腐蝕電池，水中的溶解氧在腐蝕電池的陰極部位接受電子，使陽極部位的金屬以離子形式進入溶液形成腐蝕。這種腐蝕特征稱為潰瘍腐蝕。

金屬化：評估 CTE 匹配的金屬，選擇抗蝕劑類型、金屬蒸發和剝離、濺射金屬沉積和干法蝕刻。歐姆接觸形成：SiC/金屬阻擋層的高值導致整流接觸。歐姆接觸需要后金屬沉積退火。優化退火溫度、升溫速率、持續時間、氣體流量，保持表面質量。柵極氧化物：不良的 SiC/SiO2 界面質量會降低 MOS 反型層遷移率。開發鈍化技術以提高 SiC/SiO2 界面質量。

中微公司專注于研發干法刻蝕（等離子體刻蝕）設備，用于在晶圓上加工微觀結構。干法刻蝕通過等離子釋放帶正電的離子來撞擊晶圓以去除（刻蝕）材料。根據所要去除材料和加工器件結構的不同，可分為電介質刻蝕、導體刻蝕和硅通孔刻蝕。

TSV 電鍍種子層起著與電鍍電極電連接并實現 TSV 孔填充的作用。 電鍍填充工藝：TSV 深孔的填充技術是 3D 集成的關鍵技術，也是難度較大的一個環節，TSV 填充效果直接關系到后續器件的電學性能和可靠性。從填充材料角度，可以填充的材料包括銅、鎢、多晶硅等，目前 電鍍銅工藝是主流的先進封裝中硅通孔填充材料。硅通孔電鍍銅工藝目前主要有大馬士革電鍍和掩模電鍍 兩種。